超快速高温烧结改性钛酸钡陶瓷性能研究

烧结方法对压电陶瓷致密化、晶粒发育及性能影响巨大。利用超快速高温烧结方法制备了改性(Ba_(0.92)Ca_(0.08))(Ti_(0.97)Zr_(0.03))O_(3)陶瓷。对比了常规烧结与超快速高温烧结工艺对陶瓷相组成、显微结构、介电、铁电及压电性能的影响。超快速高温烧结过程中,随着电流的增大,陶瓷的致密度明显提高。该工艺最佳烧结条件(230 A保温5 min)下,居里温度时陶瓷的相对介电常数为12212.5(1 kHz),介电损耗为0.0059,室温下剩余极化强度为9.92μC/cm^(2),压电常数d_(33)为392 pC/N。超快速高温烧结可以获得与常规烧结方法相似的相组成与显微结构,因此陶瓷的介电、铁电与压电性能均接近常规烧结的陶瓷,但是其烧结时间缩短为常规工艺的2.1%。超快速高温烧结是一种新型快速制备高性能压电陶瓷的方法。

三维寄生电阻电容直接边界元计算

应用直接边界元素法求解表征寄生电阻电容的混合边界条件拉普拉斯方程，处理角点法向电场间断是一个难点。作者曾提出多重法向导数方法处理２Ｄ角点问题，取得良好效果［２，４］。本文详细介绍多重法向导数方法在３Ｄ情形的推广。

亚洲季风降水季节演变特征的气候系统模式模拟:基于FGOALS-g3和FGOALS-g2的比较评估

亚洲季风降水的季节演变对亚洲农业生产和社会经济有重要的影响。本文通过与观测资料对比,评估了中国科学院大气物理研究所研发的最新版本的气候系统模式FGOALS-g3相对于上一版本FGOALS-g2对亚洲季风降水季节演变的模拟能力,并通过与FGOALS-g3海温驱动的大气模式结果对比,研究海气相互作用对季风降水量年循环模拟的影响。结果表明,FGOALS-g3提高了对南亚和西北太平洋降水量年循环的模拟能力,部分源于大气模式的改进,但对其他区域模拟性能改进不明显。FGOALS-g3对西北太平洋季风爆发、撤退、峰值和持续时间、阿拉伯海东部季风撤退和持续时间以及印度半岛至中国南海季风峰值时间的模拟偏差有所改进,且考虑模式自身海气耦合过程后,可显著改善西北太平洋区域降水量年循环等模拟偏差。与FGOALS-g2相比,在南亚和中南半岛区域,FGOALS-g3模拟的季风爆发更晚,这是由非洲大陆降水量干偏差导致索马里越赤道急流减弱,加剧该区域5月负降水量偏差导致。在西北太平洋,FGOALS-g3显著改善了季风爆发西侧推迟而东侧提前的模拟偏差,原因是太平洋东暖西冷的海温偏差显著减小,局地Hadley环流增强,在该区域产生异常下沉运动,减小了西侧1月降水量湿偏差,使5月相对于1月的降水量增加,而东侧5月降水量与1月降水量的干偏差得以互相抵消。研究表明热带大尺度海温型模拟偏差的改进对提高亚洲季风降水量年循环的模拟能力有重要作用。

用于多个机动目标的混合高斯概率假设密度跟踪器

现有的混合高斯概率假设密度(GM-PHD)跟踪器不仅可以估计时变的多目标状态,还能辨识不同目标并保持其轨迹连续性.但当多个目标发生机动时,其稳定性较差,容易丢失目标.针对这一问题,本文提出一种能跟踪多个机动目标的混合高斯概率假设密度跟踪器算法.算法在GM-PHD滤波的框架上采用修正的输入估计方法将目标的概率假设密度(PHD)表示成混合高斯形式,并利用不同的标记辨识各个高斯分量,然后通过PHD滤波方程迭代这些高斯分量和对应的标记,最终达到跟踪多个机动目标的目的.仿真实验表明,和传统的GM-PHD跟踪器相比,新算法能以更高的稳定性跟踪多个机动目标.

三维VLSI互连寄生电容提取的研究进展

随着VLSI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,互连寄生参数提取已成为集成电路辅助设计中的一个研究热点 .目前 ,三维互连寄生电容提取的研究得到广泛关注 ,并取得了很大进展 .针对这一热点 ,结合作者的研究工作 ,对三维电容提取方法进行综述 ,详细阐述国内外的相关研究进展情况 .重点介绍间接、直接边界元方法 ,以及维度缩减技术和区域分解法等半解析方法 .

工艺参数变动下的三维互连电容快速模式建库方法

针对工艺不稳定性所带来的三维互连电容模式提取耗时激增的问题,提出一种增量式快速模式建库方法·该方法基于直接边界元计算,在2个紧邻工艺变动组合计算中,仅对前一组合计算所得的系数矩阵与右端项作局部修改,并取经预测修正的结果作为初值迭代提取后一工艺变动组合的电容,有着很高的精度和较高的加速比·

一种可适应复杂互连电容结构的边界元形体处理方法

针对当前集成电路中日益复杂的互连结构 ,提出了一种边界元电容提取中的形体处理方法 ,可适用于填充气隙、保形介质、多平面介质 ,以及任意复杂的寄生电容结构 .在该处理方法中采用多叉树组织三维形体对象 ,并有效地生成区域边界表面的信息 .数值实验表明 ,该方法拓宽了边界元电容提取处理复杂结构的能力 ,且具有较高效率 .

保形(Conformal)结构互连电容的BEM模拟

介绍了一种基于扫描线的复杂保形介质结构快速生成算法 .该算法应用多边形的扩展运算和集合运算形成保形介质 ,同时处理保形介质中的凹槽 ,并已实现于边界元素法三维互连寄生电容提取软件 B3D中 .数值结果表明 ,该算法可靠 ,并有很高效率 .

三维寄生电容边界元计算的半解析积分方法

在VLSI三维多介质互连寄生电容的边界元法计算中 ,利用互连结构特点 ,本文提出一种半解析积分方法 ,它应用原函数方法将二维面积分转化为一维线积分 ,再用一维高斯积分求出积分值 .与二维高斯积分相比 ,速度更快、精度更高 。

VLSI三维寄生电容提取的层次式h-自适应计算

在基于直接边界元素法的层次式 h-自适应计算中 ,改进了层次式边界元的自动加密方法 ,提高了计算可靠性 .同时 ,将基于超收敛恢复技术的误差指示器实现于在常数元基础上叠加层次锥函数的寄生电容自适应计算 ,提出一种在不同阶次边界元上使用恢复技术的方法 .与同类软件相比 ,计算稳定 。

多孔平面的快速边界元划分

在 3D VL SI互连寄生电容的边界元素法计算中 ,多孔平面的边界元划分是十分困难的问题 .文中提出一种快速划分多孔平面边界元的方法 ,它可高效处理非正交几何边界形状 ,形成规则的梯形元 .与全局扫描线法相比 ,有较高的划分速度。

三维互连全耦合电容矩阵的层次式提取算法

基于直接边界元素法 ,提出一种边界电容矩阵概念 ,从而实现了三维互连电容的层次式提取算法 .该算法将三维求解区域划分为若干小块 ,对每个小块分别计算其边界电容矩阵 ,再通过层次式合并算法便可得到全耦合互连电容矩阵 .数值实验表明 ,本方法进行电容提取的速度比商业软件SpiceLink、虚拟多介质快速算法。

层次式直接边界元计算VLSI三维互连电容

文中将 Appel处理多体问题的层次式算法思想实现于直接边界元法 ,用以计算 VL SI三维互连寄生电容 .直接边界积分方程同时含有边界上的电势与法向电场强度 ,能比间接边界元法更方便地处理多介质及有限介质结构 .直接边界元法的层次式计算涉及对三种边界 (强加边界、自然边界与介质交界面 )及两种积分核 (1/r与 1/r3)的处理 ,显著区别于基于间接边界元法、仅处理强加边界与一种积分核的层次式算法 .文中以边界元的层次划分为基础 ,实现系数矩阵的层次式形成与存储 ,并在 GMRES迭代中实现层次式矩阵——向量乘法 ,显著提高了计算速度 .

重叠组合法的芯片级三维寄生电容提取及其并行实现

采用双向区域重叠组合法,基于三维层次式块边界元法实现了芯片级的互连电容提取·该方法将芯片切分为大量小规模区域,用全局场求解器计算各子区域电容矩阵,可方便地组合出整个芯片的电容矩阵;同时分析了其计算量和精度,并进行了并行计算实验·对实际版图结构的数值实验验证了有关分析结论,表明该方法高效、可靠、并行性能好·

动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟

在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求 .本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高 ,速度快 ,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件 ,并通过实例计算 。

小波分析在寄生参数提取中的应用

将小波分析方法应用于求解三维（３Ｄ）边界元素法形成的线性方程组。通过数据压缩将稠密矩阵化为稀疏矩阵，当求解具有相同系数矩阵和多个不同右端向量的方程组时，可以节省计算量。

多介质电容直接边界元计算及单介质计算加速

在ＶＬＳＩ电路中，版图设计的层次化、微细化及气泡结构等，使互连寄生电容器更为复杂。重点介绍在直接边界元法计算中，应用稀疏矩阵存储技术有效组织离散化方程组系数矩阵，以期快速、精确地进行多介质嵌套寄生电容的计算。同时，利用直接边界元法的局部化性质，以多介质的组织方式加速单介质计算，算例表明，加速可达一个数量级。

一种快速的三维VLSI互连电容提取方法:虚拟多介质方法

本文提出一种基于直接边界元方法的虚拟多介质 (Quasi MultipleMedium ,QMM)加速方法 ,并将它应用于三维VLSI多介质互连电容的计算中 .QMM方法将三维互连电容器中的单层介质看成由多个虚拟介质组成 ,从而大大减少了系数矩阵中的非零元数目 ,最终使计算时间和存储空间显著减少 .通过比较QMM算法与非QMM算法 ,以及商业软件Raphael对实际三维互连结构的计算 ,结果表明QMM算法在保持计算准确性的同时 ,可使电容提取的效率得到显著提高 .

三维寄生电感提取中一种多右端方程求解方法

本文介绍应用PEEC模型提取VLSI电路中 3 D互连寄生电感电阻中出现的多右端线性方程组求解问题 .在种子投影多右端方程求解方法EGCR[5] 的基础上 ,本文提出一种改进的EGCR方法MEGCR ,达到有控制地扩大搜索空间以减少所需正交化时间的目的 .它显著加快了多右端方程组的求解速度 ,在可比精度下 ,右端数约为 30时 ,综合运用多右端技术及多极加速的本文方法比先进的FastHenry[1] 快数十倍 .

互连寄生电容器中屏蔽导体的快速判断

应用层次式 Z缓冲区可视性算法的思想 ,实现了一种互连寄生电容器中屏蔽导体的快速判断算法 ,能准确地确定对电容值影响较小的导体 ,并加以消除 .当用边界元法提取甚多环境导体对关键路径产生的寄生电容时 ,可在满足计算精度的条件下 ,显著地提高计算速度 .