软土地层三线小角度叠交盾构隧道施工影响规律及位移控制

天津地铁6号线入出段线盾构隧道上穿既有隧道,通过现场实测和数值模拟对既有隧道结构变形规律、变形影响因素、不同变形控制措施的效果进行了研究。结果表明:盾构上穿过程中既有隧道竖向位移整体呈现出隆起-沉降-隆起的变化规律;刀盘距叠交部位断面距离L=2.0D(D为隧道直径)时,叠交部位断面轴力达到最大值,L=0~2.0D时,叠交部位断面弯矩逐渐由L≤0时的横8字形转变为L≥2.0D时的三叶草形;新建隧道与既有隧道的叠交角度在15°~60°、竖向净距小于1.0D时,既有隧道竖向位移受新建隧道影响较大,实际工程中应使叠交角度大于60°,竖向净距大于1.0D;设置支撑台车后,支撑台车影响范围约为2倍台车长度,在影响范围内横断面位移得到控制,但随着支撑台车离开,原来位置处对位移的控制效果逐渐消失;与不注浆相比,深孔注浆加固后既有隧道竖向位移最大值和水平位移最大值分别减小了67.4%、76.0%。

补阳还五汤及主要成分对大脑中动脉阻塞再灌注大鼠脑组织细胞焦亡的影响

背景:细胞焦亡是脑缺血再灌注损伤的重要病理机制,补阳还五汤是中医临床治疗缺血性脑卒中的经典方剂,细胞焦亡可能是补阳还五汤治疗脑缺血再灌注损伤的有效作用靶点。目的:观察补阳还五汤对大脑中动脉阻塞再灌注大鼠脑组织细胞焦亡的影响及作用机制。方法:将48只SD大鼠随机分为假手术组、模型组、黄芪组及补阳还五汤组。除假手术组外,其余各组均进行大脑中动脉阻塞缺血2 h再灌注72 h处理,黄芪组和补阳还五汤组大鼠均于缺血2 h再灌注后开始连续灌胃相应体积的药物至缺血再灌注72 h,早晚各1次。Zea Longa评分观察大鼠神经功能缺损情况,TTC染色观察大鼠脑梗死体积,苏木精-伊红染色观察大鼠脑组织病理损伤变化,免疫荧光观察脑组织Tunel和Cleaved Caspase-1共表达以及接头蛋白ASC表达情况,免疫组化及Western blot检测大鼠脑组织焦亡相关蛋白表达。结果与结论:①与假手术组相比,模型组大鼠神经功能缺损评分显著升高(P<0.01),与模型组相比,补阳还五汤组及黄芪组大鼠神经功能缺损评分显著下降(P<0.01);②与模型组相比,黄芪组和补阳还五汤组脑梗死体积占比下降(P<0.01);③模型组脑组织神经细胞胞核固缩深染或溶解消失,细胞排列紊乱,与模型组比较,补阳还五汤组及黄芪组脑组织病理损伤较轻;④与假手术组相比,模型组大鼠脑组织Tunel与Cleaved Caspase-1双染色阳性细胞数及ASC免疫荧光表达强度显著增加,Cleaved Caspase-1、NLRP3、白细胞介素18和白细胞介素1β焦亡蛋白表达显著升高(P<0.01);与模型组相比,补阳还五汤组及黄芪组Cleaved Caspase-1与Tunel双染色阳性细胞数、ASC免疫荧光表达强度及Cleaved Caspase-1、NLRP3、白细胞介素18、白细胞介素1β焦亡蛋白表达均明显下降(P<0.01)。结果表明,补阳还五汤及其君药黄芪可有效缓解大脑中动脉阻塞再灌注大鼠脑组织损伤,其机制可能与抑制神经细胞焦亡有关。

辇路埋秋藓——元代奉元路安西王宫城政治文化意涵考释

元代安西王(秦王)一藩两府,皆为宫邸,分别在奉元路和开成路。本文首先通过梳理中外历史文献,廓清了安西王世系封建废黜和宫城兴建废毁的历史脉络,及其与蒙古皇室的纠葛、与伊斯兰教的联系。其后以考古实证为基础、参考史料记载、结合前哲的设想,考辨了奉元路安西王宫城建筑形制和空间布局的特征、规律,进而比较了两座安西王宫城与元大都宫室、宋代宫室、蒙古毡帐、西域伊斯兰建筑的关联。在此基础上解析了奉元路安西王宫城对于城市形态的塑造作用,通过引鉴西方现代社会思想家的观点和方法,探究了城市空间结构所体现的社会秩序、民族关系、政治角力、文化意涵。本文通过考释安西王宫城的空间布局,对其间发生的同化、异化、涵化,以及汉化、华化、夷化等现象作出解析,进而对西安古城在特定历史阶段的统治策略进行批判,这对于更加深刻清醒地认识现代国家的民族、宗教、文化战略具有一定意义。

铈对硬质合金微观组织结构的影响

用分析电镜和带有拉伸台的高压电镜,研究了YG8R、YT5R和YT14R稀土硬质合金的微观组织和裂纹扩展特征。结果表明,添加铈在硬质合金中可能形成Ce_2O_3或Ce_2O_2S化合物,它抑制了层错扩展和fcc Co向hcp Co的转变,增加了合金中fcc Co的体积分数,提高了Co相和(TiW)C相及晶界的强度和韧性。拉伸裂纹边沿的Co相有明显的塑性变形特征,且裂纹可以穿过一些较小的WC颗粒。

Si_3N_4复合陶瓷材料的微观组织和断裂机制

使用AEM和HREM研究了添加纳米SiC颗粒和同时添加纳米SiC颗粒及SiC晶须的两种Si3N4 复合陶瓷材料的微观组织和断裂机制。结果表明 ,部分SiC颗粒分布在Si3N4 晶内 ,SiC晶须分布在Si3N4 晶粒之间 ,SiC颗粒和晶须与Si3N4 界面之间不存在第二相组织 ,非晶组织大多分布在Si3N4 三叉晶界。断裂裂纹主要沿晶界和相界面扩展 ,也可能穿过少数Si3N4 晶粒。当裂纹扩展遇到SiC颗粒和 /或SiC晶须时 ,会发生转弯 ,产生分枝裂纹或微裂纹并在Si3N4 晶内和Si3N4 晶粒的断裂表面引起晶格畸变 ,这降低了裂纹扩展能量 。

Zr（Y）O_2衬底上大面积YBCO薄膜表面组织状态的研究

使用配备有ＥＤＳ和ＥＣＰ附件的ＳＥＭ、ＡＥＭ和ＳＴＭ研究了在７５０和８００℃的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２衬底上磁控溅射沉积的大面积ＹＢＣＯ超导薄膜的表面组织状态。ＹＢＣＯ薄膜为ｃ轴取向单晶，但衬底温度为８００℃时，膜表面的突出组织多为ＣｕＯ颗粒，小坑较多，表面粗糙；衬底温度为７５０℃时，突出组织多为棒状和多边形１２３结构，很少小坑，表面较平整。对不同衬底温度下膜的生长机制和小坑的形成机制进行了讨论。

LaAlO_3衬底上磁控溅射的大面积YBa_2Cu_3O_（7－x）薄膜微观组织

用分析电镜和高分辨电镜对在３０ｍｍ×３０ｍｍＬａＡｌＯ３衬底上，采用中空柱状阴极直流磁控溅射的高ＪｃＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）薄膜的微观组织结构进行了研究。薄膜为ｃ轴取向ＹＢＣＯ，含有少量Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒和纺锤状Ｙ２Ｏ３。膜内主要晶体缺陷为［００１］刃位错和螺位错、堆垛层错、（００１）晶面弯曲带、小于１５ｎｍ的晶格畸变区和阳离子空位。ＬａＡｌＯ３衬底表面呈阶梯状并有小坑。衬底表面第一层膜原子为ＣｕＯ和ＣｕＯ２层，以致在界面形成ＢａＣｕＯ２和ＹａＢａＣｕ２Ｏ５相。ＬａＡｌＯ３衬底表层有较多位错，对薄膜外延生长和缺陷的形成有明显影响。

铅取代BiSrCaCuO超导系中部分铋的研究

铅在Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y超导系中的最大固溶度在x=0.30～0.45范围内。但是,只有添加适量的铅才能促进高T_c相的形成,和改善其热稳定性。x=0.2的样品具有最佳超导性。当铅含量增加到x>O04时,超导性降低。

YBa_2Cu_3O_(7-x)超导化合物在加热过程中相转变的高压电镜原位观察

对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导化合物在加热过程中的相转变进行了高压电镜原位观察,并做了在空气中的X射线衍射分析和真空处理样品的X射线衍射物相分析。结果表明,在真空环境下,相变温度与氧含量有关,一般比在空气中低100～120℃。在320～350℃,孪晶带开始消失,在样品表面出现一些Cu_2O黑斑,并开始由正交结构YBa_2Cu_3O_(7-x)向正交结构Y_2BaCuO_5化合物转变,在500℃左右相转变结束。在冷却过程中未发现相转变。

管窥西洋镜——清末所见西安府城北院与南院衙署及其园林探微

北院衙门与南院衙门是清代西安府城中规制最高的两座衙署建筑群,亦为1900年庚子国难时清室“西狩”的驻跸之所。虽然此二者故址今日仍为政府驻地,但其历史建筑已基本被当代建筑所取代。文章以发掘、研读、辨析清末至民国时期西方人的笔记、照片作为关键支撑,结合本土地方志,尝试梳理并厘清清末所见北院与南院衙门历代沿袭的历史脉络,初步解读其内部建筑及园林的格局状貌,分析其在塑造城市空间结构层面的作用。研究试图展示清代西安的衙署建筑类型,揭示西安城市发展的一个历史维度,并为清代衙署建筑及其园林研究提供一组案例。同时也希望为西安老城的建筑风貌、空间格局、文化脉络、身份定位的认知、保护和复兴提供参考。

稀土大磁致伸缩材料研究

本文采用丘克拉尔斯基法制备晶粒取向的（Ｔｂ０．２８Ｄｙ０．７２）Ｆｅ１．９５磁致伸缩材料，研究了材料的微观结构对磁致伸缩系数的影响。当（Ｔｂ０．２８Ｄｙ０．７２）Ｆｅｘ中ｘ＝１．９５时，有明显的压应力效应，在１０ＭＰａ、２００ｋＡ／ｍ时，磁致伸缩系数１５００×１０－６，当ｘ＝２时，由于出现ＲＦｅ３相，压应力效应随之减小。

SiC纳米及晶须增强Si_3N_4基复相陶瓷断裂行为的研究

用扫描电镜、透射电镜及努氏压痕法研究了添加SiC晶须、纳米颗粒及晶须和纳米颗粒的三种Si3N4基复相陶瓷在外力作用下的断裂行为。这三种材料断裂的主要方式是沿晶断裂 ,偶尔可见穿晶断裂。在裂纹发展的路径上当裂纹尖端遇到了晶须、集聚的纳米颗粒及类晶须时 ,会产生扭转、偏转、断裂、拔出和终止 ,从而使裂纹能量消耗 ,抑制和阻碍了裂纹的扩展和传播 ,起到了增韧补强的作用。

稀土贮氢合金 RE(NiCoMnAl)_5 的相结构与电容量关系

研究了ＡＢ５型稀土贮氢合金ＲＥ（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５在Ａ侧组分改变下的相结构与电化学性能之间的关系。结果表明：在Ａ侧Ｎｄ（或Ｐｒ）＝０．２时Ｌａ０．８ＲＥ０．２（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５合金的放电容量达最高值（３２０ｍＡｈ／ｇ）；Ｌａ１－ｘＮｄｘ（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５合金的晶胞体积随组分ｘ呈线性减小，少量的Ｎｄ替换对放电容量有良好的影响；退火处理改善了合金的放电容量，但起始活化较慢，可能与表面氧化物的生成有关；快凝条件下晶体织构生长及一次枝晶细化，因而有利于电化学综合性能的提高。

热处理对La_(0.9)Nd_(0.1)(NiCoMnAl)_5电极性能的影响

研究了热处理对Ｌａ０．９Ｎｄ０．１（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５电极材料结构、成分、脱氢压力－组成等温曲线（ＰＣＴ）、循环寿命的影响。Ｘ射线衍射结果表明热处理降低了评价主相峰的半高宽（ＦＷＨＭ）平均值，即降低了晶格应力。采用ＪＳＭ－８４０能谱分析仪对热处理前后合金成分进行分析，发现热处理使得合金中的Ｌａ、Ｍｎ向晶内扩散，而Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ却向晶界偏聚。测定了室温下热处理前后的合金脱氢ＰＣＴ曲线及其电极循环寿命曲线，结果表明热处理使电极放电容量有所降低，同时却又使电极循环寿命有所提高，并且还降低了合金平衡压。

La_(1-x)Nd_x(NiCoMnAl)_5贮氢合金性能研究

研究了不同ｘ值的Ｌａ１－ｘＮｄｘ（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５合金的晶格常数、氢平衡压力、放电容量及大电流放电性能。测定结果表明，合金晶胞体积随ｘ值增加呈线性关系减小；当ｘ＝０２时，电极容量达到最大值，而氢平衡压力最低。

用于微波器件的大面积YBCO超导薄膜

高质量大面积ＹＢＣＯ簿膜是用原位中空柱状阴极直流磁控溅射装置制备的。化学计量比的超导靶的内在为１００ｍｍ，加热器有效面积５０×４０ｍｍ￣２。在３０×３０ｍｍ￣２的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ＿２ＬａＡｌＯ＿３基片上沉积的ＹＢＣＯ薄膜的厚度均匀度为±６％，临界温度Ｔ＿ｃ＞８９Ｋ，Ｔ＿ｃ不均匀性在１％以内，△Ｔｃ在０．８～０．９之间，临界电流密度Ｊ＿ｃ为２０～３．５×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２；△Ｊ＿ｃ为１．０～１．５Ａ／ｃｍ￣２。微波表面电阻在７７．５Ｋ、９８９４ＭＨｚ下，测得Ｒｓ在０．２５～０．７６ｍΩ。以上参数表明该ＹＢＣＯ超导薄膜可在无源微波器件领域应用。ＹＢＣＯ超导薄膜沿Ｃ轴生长时的临界电梳密度Ｊ＿ｃ比沿ａ轴和ｂ轴生长时的临界电流密度Ｊ＿ｃ大两个数量级，微波表面电阻可差一个数量级。所制备的ＹＢＣＯ薄膜样品经Ｘ射线衍射分析表明，是纯Ｃ轴垂直于基体表面的外延薄膜。ＳＥＭ电子沟道和ＴＥＭ截面电子衍射结果表明，在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ＿２和ＬａＡＩＯ＿３基体上沉积的薄膜为单晶结构。用该薄膜做出了性能良好ＹＢＣＯ超导带状线谐振器，其Ｑ＿０（无载品质因素）值达到１３１００。做出的环形微带谐振器，直线式微带谐振器，超导天线均性能良好，已可作为单独?

Fe杂质对AB_5型储氢合金电性能的影响

研究了混合稀土中的铁杂质对混合稀土一镍系储氢合金Mm(NiCoMnAl)_5电性能的影响,当铁在稀土中的含量小于0.4w％时,对AB_5型储氢合金的容量、循环寿命、电压平台等性能无明显影响,当Fe在稀土中的含量达0.4w％时,储氢合金的活化性能稍有降低。XRD分析结果表明,稀土中铁含量不超过0.4w％时,合金均为单相CaCu_5型结构,且其晶胞参数均没有改变,SEM结合EDS分析结果表明,稀土中铁含量为0.4w％的合金与稀土中铁含量为0.084w％的合金相比,二者的表面形貌和微观组织均无明显区别。

不同色彩背景对选择反应和运算能力的影响研究

目的:对不同色彩背景下认知操作的任务完成绩效进行比较研究.方法:95名青年男性,完成不同色彩背景下的连续相加和字母选择认知测验.结果:认知任务均受到了色彩背景的影响,并且不同的色彩背景之间统计学上存在差异.①在操作时限为2 min的简单选择任务中,彩色背景下测试成绩之间无统计学差异,而非彩色之间以及非彩色与彩色背景之间有统计学差异(F=2.257,P<0.05);②在连续相加任务中,操作时限为9 min,非彩色与彩色背景之间均有统计学差异(F=2.115,P<0.05).结论:在视屏操作过程中,不同的背景色会影响到操作功能的反应速度和准确性,并且与任务难度及操作时间有关.

La_(0.75)Nd_(0.05)Pr_(0.2)B_5 电极性能的研究

通过对制备好的ＬａｘＮｄｙＰｒ１－ｘ－ｙＢ５系列合金放电容量的初步测定，发现所设计合金放电容量均在２７６ｍＡｈ／ｇ～３０１ｍＡｈ／ｇ之间。为评价所设计合金的综合性能，本文选取其中一种成分即Ｌａ０．７５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．２Ｂ５，采用ＳＥＭ、ＸＰＳ等测试手段，对合金循环寿命、表面状态，ＰＣＴ曲线等性能进行了测定。测定结果表明，合金的表面状态对其活化速度具有一定影响，金属Ｎｉ弥散分布在Ｌａ２Ｏ３基体上，有助于氢的吸附和解析，使合金活化速度加快。此外，对合金粒度与放电容量、循环寿命间关系的研究表明：粒度分布在１００目～３００目间和５００目以下的合金放电容量较高。

SiC晶须有序添加角度对Si_3N_4基体陶瓷的增韧效应

对晶须添加的方向角效应进行了研究 ,对裂纹尖端后方晶须桥连角度引起的应力重新分配进行了有限元分析 ,得到晶须添加角度不同时Si3N4 陶瓷材料的裂纹尖端和晶须附近区域的应力应变场。分析表明 ,试件在Ⅰ型加载受力状态下 ,当添加晶须的轴向垂直于裂纹面时 ,晶须在裂纹尖端后方的桥接所引起的能量耗散作用最大 ,添加效果最优 ,使材料达到较好的增韧效果。当添加晶须与裂纹面法向形成角度θ时 ,随角度θ的增加 ,裂纹尖端拉应力增加。当添加角度较大时 ,晶须根部基体承受了较大的应力 ,易遭到破坏性崩裂。同时 ,晶须内部主应力与晶须轴向之间的角度也随角度θ的增加而增加 ,造成晶须折断 ,致使造成晶须拨出的体积分数 φap减小 。