有或没有Alq_3参与情况下LiF和Al的化学反应

利用X光电子能谱(XPS)和高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了几种条件下LiF和Al的化学反应.在有Alq3参与的情况下,LiF和Al在室温下发生反应.在Al/LiF/Alq3系统中,Li1s的峰发生了0.25eV的位移,同时F1s也发生了相应的位移.在没有Alq3参与的情况下,加热样品至350K后,在Li1s峰的低能端0.85eV处出现了一个伴峰.XPS研究表明,这个伴峰对应的是金属态的Li1s.HREELS的结果也验证了这一结论.

基于聚合物/氧化物/聚合物杂化栅介质层的低电压有机互补反相器研究

有机互补反相器是未来柔性电子产品的核心元件。为了制备超薄、高质量的柔性栅介质层,以实现器件低电压和高稳定性工作。首先通过旋涂法制备聚合物黏附层,再采用磁控溅射制备超薄的氧化物薄膜,并利用聚合物对氧化物薄膜进行修饰进而获得高质量的杂化绝缘层。超薄的栅介质层和良好的绝缘性能保证了反相器可以在2.5V电压下工作,电压增益达到40,输入-输出曲线无回滞,且器件可以稳定工作300次以上。此外,采用该方法制备的杂化绝缘层具有良好的耐弯折性能,制备的柔性有机场效应晶体管在弯折100次之后仍可正常工作。器件良好的电学性能主要得益于采用聚合物修饰后极大减少了氧化物薄膜表面的缺陷,降低了晶体管的偏压应力效应。本文提出了1种杂化栅介质层的制备方案,并证实了其应用于未来低电压有机互补反相器的可行性。

政产学研用融合创新与高校创新能力提升的路径突破--基于苏州纳米科技协同创新中心的案例研究

政产学研用协同创新是提高我国产业技术创新能力的关键途径之一,但在实践中却面临着五者间难以深度融合的问题。由苏州大学牵头成立的苏州纳米科技协同创新中心经过近几年的实践探索,建立了新的"政产学研用"协同创新模式,这一模式的核心是以共性问题需求为导向,加强高校与政府、企业、行业的开放共享,有效整合散落各处的创新资源,实现"创新裂变"向"创新聚变"转变,取得了显著的实践效果。

ABET认证与一流本科专业专业建设——以苏州大学纳米材料与技术专业为例

纳米材料与技术专业立足江苏,辐射全国,努力为国家战略性新兴产业及相关领域输送学术创新人才和应用创新人才,将专业建设水平做到江苏顶尖、国内一流、国际知名。美国ABET作为美国高等工程技术教育最具影响力的认证机构,是目前国际上公认的最具权威性和普遍性的认证体系,该机构建立的高等工程技术教育认证制度对保障美国高等工程技术教育质量、促进技术师国际互认和专业学位发展起着重要作用。

基于ABET专业认证中以学生为中心的纳米专业拔尖学生培养计划

纳米技术是用单个原子、分子制造物质的科学技术,研究结构尺寸在1至100纳米范围内材料的性质和应用,其对国家战略性新兴产业的发展有重大的促进作用,近年来受到科技和产业界的广泛关注,国家设立了纳米重大专项,组建了"国家纳米科技指导协调委员会",以指导和推进我国纳米科学技术的发展。苏州大学纳米科学技术学院是教育部首批17所国家试点学院之一,纳米材料与技术专业目前是苏州大学纳米学院的唯一本科专业,作为中国高等教育综合改革"试验田",文章认为试点学院肩负着探索大众化条件下高校如何培养拔尖创新人才的重要使命,为进一步树立"以学生为中心"的教学理念,提高我国纳米专业的人才培养质量提供新的思路。

MgF_2与Alq_3(八羟基喹啉)反应的高分辨电子能量损失谱研究

介绍了用高分辨电子能量损失谱 (HREELS)研究MgF2 与Alq3(八羟基喹啉 )的反应 .结果表明无论MgF2 蒸镀到Alq3上或Alq3蒸镀到MgF2 上 ,MgF2 与Alq3均发生了相同的反应 .在反应中 ,对应于Alq3分子非平面苯环弯曲振动的能量损失峰位置发生了移动 .HREELS的研究结果表明从MgF2 中的Mg与Alq3中的Al,O和N相互作用 ,Mg的位置处于Alq3分子的平面外 .

倒置有机发光二极管中电子注入的研究及发展

在文化和科技迅速发展的时代,信息显示广泛应用于社会生活的各个领域.在众多新型显示技术中,有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)凭借高对比、广视角、高显色等优势成为新一代显示技术.多样的有机材料、简单的器件结构和制备技术给予它更多的发展可能.其中,倒置结构的OLEDs(inverted organic lightemitting diodes,iOLEDs)因与基于n型薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs)的驱动电路具有更好的兼容性而备受关注.然而,iOLEDs器件中氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)阴极与有机发光层的最低未占据分子轨道(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)之间存在较大能级差,较低的电子注入效率严重限制了器件性能.针对这一问题,本文综述了提升iOLEDs电子注入效率的研究进展,主要围绕Richardson-Schottky(RS)热注入和Fowler-Nordheim(FN)量子隧穿两种电子注入模型展开讨论.

等离子体处理后的倒置有机发光二极管及其光电性能研究

项目基于Fowler-Nordheim(FN)量子力学隧穿原理,以氩等离子体处理过的氧化铟锡(ITO)作为底部阴极以及电子注入层,可以大幅提高电子的注入量,从而提高器件的发光效率.氩等离子体对ITO的处理可以在其表面形成密集的载流子注入热点(以下简称"热点"),这种"热点"主要有以下两方面作用:通过在电极表面形成欧姆接触,ITO的能带弯曲程度增大,使更多的电子通过隧穿穿过能级势垒;经过处理后的ITO微观表面形成了多个利于出光的几何面,相比于传统的以金属纳米颗粒或者无机碳纳米结构修饰ITO的方法,有一定的光萃取效应.

新工科教育的融合创新与路径突破——苏州大学纳米科技创新人才培养的案例研究

新工科教育普遍面临无既定人才培养模式、教学科研分离、课程体系单一和教育资源国际化不足等问题。苏州大学纳米科学技术学院作为新工科学院的典型代表,通过创建以研究性学习为载体的教学科研深度融合机制,建立学段贯通、学科交叉融合的个性化人才培养体系,建成多方协同的国际资源融合平台,构建形成了纳米科技创新人才"三融合"培养模式。其"学科先行、专业后发再并行"的发展思路,超前把握学科增长点、快速占据学科制高点的办学路径,全方位开放和深度自主的办学机制对新工科教育的创新发展具有一定的借鉴意义。

1231例结直肠癌类器官培养成功率的影响因素分析

目的探讨影响结直肠癌类器官培养成功率的因素。方法本研究采用回顾性观察性研究方法。回顾性收集2021年12月至2022年11月期间,在南方医科大学南方医院接受手术或活检且未合并其他恶性肿瘤的结直肠癌患者的肿瘤组织标本进行类器官培养,包括1130例结直肠癌患者共1231份肿瘤组织样本。采用单因素分析和多因素Logistic回归分析影响结直肠癌类器官培养成功率的因素。结果本组标本培养中位时间为7(3~12)d。总培养成功率为76.3%(939/1231)。不同取材部位的类器官培养成功率不同,其中恶性腹水成功率最高(96.4%,27/28),其后依次为肝转移灶(83.1%,54/65)、肺转移灶(8/10)、原发灶(76.0%,816/1074)、网膜转移灶(10/14)、腹膜转移灶(61.5%,16/26)、卵巢转移灶(3/5)和淋巴结转移灶(5/9);原发灶类器官培养成功率低于恶性腹水类器官培养成功率比较,差异有统计学意义(P=0.012),而与其他转移灶的类器官培养成功率差异无统计学意义(均P>0.05)。腹腔穿刺获取恶性腹水的类器官培养成功率为96.4%(27/28),手术标本的类器官培养成功率为76.5%(864/1130),内镜活检标本的类器官培养成功率为65.8%(48/73),差异有统计学意义(χ^(2)=10.773,P=0.005)。新辅助放化疗组的类器官培养成功率为62.5%(40/64),低于无辅助治疗组(76.9%,787/1023)和单纯化疗组(77.8%,112/144),差异有统计学意义(χ^(2)=7.134,P=0.028)。多因素Logistic分析显示,内镜活检(OR=0.557,95%CI:0.335~0.924,P=0.024)和新辅助放化疗(OR=0.483,95%CI:0.285~0.820,P=0.007)是影响结直肠癌类器官培养成功率的独立危险因素;恶性腹水(OR=8.537,95%CI:1.154~63.131,P=0.036)和腹腔穿刺(OR=8.294,95%CI:1.112~61.882,P=0.039)是影响结直肠癌类器官培养成功率的独立保护因素。结论结直肠癌类器官的培养成功率受取材部位、取材方式及新辅助治疗的影响,取材来自内镜活检和术前接受新辅助放化疗者培养成功率较低,取材来自恶性腹水者培养成功率较高。建议怀疑腹膜转移者首选恶性腹水培养。