期刊文献+
共找到29篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转
1
作者 盛江坤 许鹏 +6 位作者 邱孟通 丁李利 罗尹虹 姚志斌 张凤祁 缑石龙 王祖军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2264-2273,共10页
为研究不同注量下浮栅存储单元位翻转特点及其翻转截面变化,以及重离子入射导致的多单元翻转,以两款25 nm NAND Flash存储器为载体开展了重离子实验研究。实验结果表明,单个重离子在击中存储单元灵敏体积的情况下足以引起位翻转,位翻转... 为研究不同注量下浮栅存储单元位翻转特点及其翻转截面变化,以及重离子入射导致的多单元翻转,以两款25 nm NAND Flash存储器为载体开展了重离子实验研究。实验结果表明,单个重离子在击中存储单元灵敏体积的情况下足以引起位翻转,位翻转比率随着注量累积基本呈线性变化。由于处于编程状态阈值电压分布低压区的存储单元倾向于在相邻或靠近的地址上集中分布,随着注量累积,这类存储单元数量迅速减少,而其他大量存储单元的翻转数增长率变化不明显,因此位翻转截面随注量累积呈下降趋势。重离子导致两款器件出现多单元翻转,多单元翻转呈现单列、双列以及列间隔等结构。利用离子电离径迹模型估算得到离子电离有效径迹半径,可以判定多单元翻转是由于一个离子的电离有效径迹覆盖了多个存储单元。 展开更多
关键词 NAND Flash 浮栅 重离子辐照 注量相关性 多单元翻转
下载PDF
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究
2
作者 王祖军 尹利元 +7 位作者 王兴鸿 张琦 唐宁 郭晓强 盛江坤 缑石龙 晏石兴 李传洲 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2348-2356,共9页
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产Ga... GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,通过开展100 MeV质子不同注量下的辐照实验,分析质子位移损伤诱发GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压(V_(oc))、短路电流(I_(sc))、最大输出功率(P_(m))、光电转换效率(E_(ff))等辐射敏感参数的退化规律和损伤机理。结果表明:注量范围为1×10^(11)~2×10^(12)cm^(-2)时,V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)的退化程度随辐照注量的增加而增大,当注量为2×10^(12)cm^(-2)时,P_(m)和E_(ff)归一化处理后的退化程度均为16.88%,与V_(oc)和I_(sc)相比,衰减更严重。对不同注量辐照所得V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)进行拟合,获得了V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)随辐照注量变化的特征曲线,根据该曲线可预估GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同注量下性能的衰减幅度。 展开更多
关键词 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池 质子辐照 位移损伤 辐射敏感参数
下载PDF
Analysis of displacement damage effects on the charge-coupled device induced by neutrons at Back-n in the China Spallation Neutron Source 被引量:2
3
作者 薛院院 王祖军 +9 位作者 陈伟 郭晓强 姚志斌 何宝平 聂栩 赖善坤 黄港 盛江坤 马武英 缑石龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第7期435-442,共8页
Displacement damage effects on the charge-coupled device(CCD)induced by neutrons at the back-streaming white neutron source(Back-n)in the China Spallation Neutron Source(CSNS)are analyzed according to an online irradi... Displacement damage effects on the charge-coupled device(CCD)induced by neutrons at the back-streaming white neutron source(Back-n)in the China Spallation Neutron Source(CSNS)are analyzed according to an online irradiation experiment.The hot pixels,random telegraph signal(RTS),mean dark signal,dark current and dark signal non-uniformity(DSNU)induced by Back-n are presented.The dark current is calculated according to the mean dark signal at various integration times.The single-particle displacement damage and transient response are also observed based on the online measurement data.The trends of hot pixels,mean dark signal,DSNU and RTS degradation are related to the integration time and irradiation fluence.The mean dark signal,dark current and DSNU2 are nearly linear with neutron irradiation fluence when nearly all the pixels do not reach saturation.In addition,the mechanisms of the displacement damage effects on the CCD are demonstrated by combining the experimental results and technology computer-aided design(TCAD)simulation.Radiation-induced traps in the space charge region of the CCD will act as generation/recombination centers of electron-hole pairs,leading to an increase in the dark signal. 展开更多
关键词 displacement damage effects charge-coupled device(CCD) China Spallation Neutron Source(CSNS) MECHANISMS technology computer-aided design(TCAD)
下载PDF
CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展 被引量:14
4
作者 王祖军 刘静 +3 位作者 薛院院 何宝平 姚志斌 盛江坤 《半导体光电》 CAS 北大核心 2017年第1期1-7,共7页
CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元... CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展。从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展。分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 总剂量效应 辐照损伤 抗辐射加固技术
下载PDF
NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究 被引量:6
5
作者 盛江坤 邱孟通 +5 位作者 姚志斌 何宝平 黄绍艳 刘敏波 肖志刚 王祖军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1502-1507,共6页
针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺... 针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。 展开更多
关键词 NAND型Flash存储器 总剂量效应 辐照偏置 工艺尺寸
下载PDF
双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验 被引量:5
6
作者 刘敏波 陈伟 +5 位作者 姚志斌 黄绍艳 何宝平 盛江坤 肖志刚 王祖军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期214-218,共5页
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存... 选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。 展开更多
关键词 双极集成电路 低剂量率 高温辐照 界面态
下载PDF
低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究 被引量:4
7
作者 姚志斌 陈伟 +6 位作者 何宝平 马武英 盛江坤 刘敏波 王祖军 金军山 张帅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1144-1152,共9页
本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。 展开更多
关键词 低剂量率辐照损伤增强效应 数值仿真 总剂量效应 高温辐照 加速试验
下载PDF
电离辐照诱发面阵电荷耦合器暗信号增大试验 被引量:4
8
作者 王祖军 罗通顶 +2 位作者 杨少华 刘敏波 盛江坤 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期72-78,共7页
针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先,通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化,并... 针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先,通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化,并拟合计算出暗信号斜率。然后,对比分析了不同偏置条件下辐照后暗信号退化的试验规律;分析了不同偏置条件下辐照后暗信号的退火恢复情况;分析了不同积分时间、不同总剂量下的暗信号不均匀性的变化规律。最后,阐述了电离辐照损伤诱发面阵CCD暗信号增大的物理机制。结果表明:面阵CCD对电离辐照损伤很敏感,在进行航天器成像系统设计时,要充分考虑CCD受电离辐照损伤带来的影响。 展开更多
关键词 面阵电荷耦合器件 电离辐照 暗信号 退火 空间轨道环境
下载PDF
双极晶体管ELDRS实验及数值模拟 被引量:3
9
作者 刘敏波 陈伟 +5 位作者 何宝平 黄绍艳 姚志斌 盛江坤 肖志刚 王祖军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期262-266,270,共6页
对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半... 对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半导体模拟软件模拟了载流子在氧化层中的输运、捕获及释放等物理过程,得到了NPN晶体管基极电流随总剂量和剂量率的变化规律。结果表明,双极晶体管在不同剂量率下表现出低剂量率辐射损伤增强效应,主要是因为高剂量率和低剂量率下晶体管基区氧化层内产生的氧化物陷阱电荷所形成的空间电场不同。 展开更多
关键词 双极晶体管 低剂量率 氧化物陷阱电荷 空间电场
下载PDF
InGaAsP器件质子位移损伤等效性研究 被引量:3
10
作者 黄绍艳 刘敏波 +6 位作者 郭晓强 肖志刚 盛江坤 王祖军 姚志斌 何宝平 唐本奇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1701-1705,共5页
对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIE... 对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIEL进行了计算。以InGaAsP多量子阱激光二极管为研究对象,开展了4、5和8 MeV质子辐照实验,获得了激光二极管的阈值电流损伤系数。研究结果表明:实验用不同能量质子辐射环境下的阈值电流损伤系数测试结果与NIEL理论计算结果之间呈线性关系。 展开更多
关键词 INGAASP NIEL 位移损伤 等效性
下载PDF
掺锗石英光纤的稳态和瞬态γ辐射效应研究 被引量:2
11
作者 黄绍艳 肖志刚 +5 位作者 刘敏波 盛江坤 王祖军 何宝平 姚志斌 唐本奇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期2288-2292,共5页
开展了掺锗石英光纤在1.0×10^(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总... 开展了掺锗石英光纤在1.0×10^(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总剂量相同的情况下,光纤辐射感生损耗随辐照剂量率的增大而增大。辐照期间有光注入较无光注入时的光纤辐射感生损耗低,证实了光褪色效应的存在。对实验用650、850和1 310nm 3个波长,光纤辐射感生损耗随波长的增大而减小。与光纤稳态辐射感生损耗相比,光纤瞬态辐射感生损耗要大得多;光纤瞬态辐射感生损耗峰值与脉冲总剂量呈线性关系,这与饱和指数关系在低剂量下的泰勒展开近似一致。 展开更多
关键词 掺锗石英光纤 稳态 瞬态 辐射感生损耗
下载PDF
CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法 被引量:4
12
作者 王祖军 薛院院 +5 位作者 刘敏波 唐本奇 何宝平 姚志斌 盛江坤 马武英 《现代应用物理》 2016年第4期30-36,共7页
针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面... 针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面,研究了CCD空间总剂量效应、位移效应和单粒子瞬态效应地面模拟试验方法,为开展CCD空间辐射损伤效应研究和加固性能考核提供了试验技术支持。 展开更多
关键词 CCD 空间辐射效应 总剂量效应 位移效应 单粒子瞬态效应 地面模拟试验方法
下载PDF
Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响 被引量:2
13
作者 刘敏波 姚志斌 +2 位作者 黄绍艳 何宝平 盛江坤 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期708-711,共4页
针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器... 针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。 展开更多
关键词 SRAM器件 工艺尺寸 高温老炼 电离总剂量效应
下载PDF
基于EMVA1288标准的图像传感器辐照效应参数测试系统的研制 被引量:4
14
作者 王祖军 薛院院 +4 位作者 姚志斌 马武英 何宝平 刘敏波 盛江坤 《半导体光电》 北大核心 2017年第4期515-520,共6页
提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应测试系统,并进行了辐照试验验证。验证试验表明:该系统能对光... 提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应测试系统,并进行了辐照试验验证。验证试验表明:该系统能对光电图像传感器辐照前后的时域、空域和光谱类参数进行测试,较好地解决了光电图像传感器辐照效应测试难题,如测试效率、数据可比对、兼容和拓展性等,具有较好的推广应用前景。 展开更多
关键词 光电图像传感器 辐照效应 测试系统 EMVA1288国际标准
下载PDF
双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究 被引量:3
15
作者 何宝平 姚志斌 +4 位作者 刘敏波 黄绍艳 王祖军 肖志刚 盛江坤 《现代应用物理》 2013年第2期-,共6页
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在... 采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因. 展开更多
关键词 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量
下载PDF
光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应 被引量:1
16
作者 黄绍艳 刘敏波 +5 位作者 姚志斌 盛江坤 肖志刚 何宝平 王祖军 唐本奇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期241-245,共5页
开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情... 开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。 展开更多
关键词 光电耦合器 γ总剂量 低剂量率辐照损伤增强
下载PDF
部分耗尽SOI晶体管电离辐射损伤的物理模型 被引量:1
17
作者 何宝平 刘敏波 +4 位作者 王祖军 姚志斌 黄绍艳 盛江坤 肖志刚 《计算物理》 CSCD 北大核心 2015年第2期240-246,共7页
从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模型可以很好地描述辐射诱导氧化层陷阱电荷和界面态与辐射剂量的关系,并从实验上对上述模型结果给予验证.... 从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模型可以很好地描述辐射诱导氧化层陷阱电荷和界面态与辐射剂量的关系,并从实验上对上述模型结果给予验证.结果表明,在实验采用的辐射剂量范围内,辐射诱导产生的氧化物陷阱电荷与辐射剂量满足负指数关系.模型中如果考虑空穴的退火效应,可以更好地反映高剂量辐照下的效应;辐射诱导产生的界面态与辐射剂量成正比例关系. 展开更多
关键词 部分耗尽SOI晶体管 总剂量 界面陷阱 氧化物陷阱电荷
下载PDF
数字信号处理器单粒子功能性瞬态故障预估方法研究 被引量:1
18
作者 盛江坤 许鹏 +7 位作者 王茂成 姚志斌 罗尹虹 杨业 刘卧龙 赵铭彤 王迪 王忠明 《现代应用物理》 2021年第3期119-125,共7页
结合特定应用下数字信号处理器单粒子功能故障的产生机理和表征模式,定义了单粒子功能性瞬态故障的概念,提出了利用数字信号处理器内部存储区数据位翻转截面和数据位缓存时间有效占比预估功能性瞬态故障截面的方法。在西安200 MeV质子... 结合特定应用下数字信号处理器单粒子功能故障的产生机理和表征模式,定义了单粒子功能性瞬态故障的概念,提出了利用数字信号处理器内部存储区数据位翻转截面和数据位缓存时间有效占比预估功能性瞬态故障截面的方法。在西安200 MeV质子应用装置上开展了TMS320C6455型数字信号处理器质子辐照实验,对预估方法的有效性进行了验证。实验得到了被测器件的功能性瞬态故障截面和内部存储区数据位翻转截面,并利用预估方法计算得到被测器件功能性瞬态故障截面预估值,实验结果与预估值相对偏差小于5%。 展开更多
关键词 数字信号处理器 质子应用装置 单粒子效应 功能性瞬态故障 预估方法
下载PDF
不同偏置条件下光电耦合器的总剂量效应
19
作者 黄绍艳 刘敏波 +5 位作者 盛江坤 姚志斌 王祖军 何宝平 肖志刚 唐本奇 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期708-712,共5页
开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系... 开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系不大;电流传输比随偏置条件的变化关系是由初级光电流决定的,而C-B区光响应度是初级光电流退化的主导因素。 展开更多
关键词 光电耦合器 总剂量效应 不同偏置 电流传输比
下载PDF
CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟 被引量:4
20
作者 薛院院 王祖军 +7 位作者 刘静 何宝平 姚志斌 刘敏波 盛江坤 马武英 董观涛 金军山 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期83-88,共6页
针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数... 针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数据进行对比,模拟误差在5%以内。根据质子与材料相互作用的物理过程,选取了合适的Lindhard分离函数,添加合适的物理过程,模拟计算了不同能量质子在SiO_2中的电离能量损失和Si中的非电离能量损失,并将结果与国外相关数据进行对比。根据CCD的生产工艺参数,建立了单个像元的三维模拟模型,确定了质子辐照损伤的灵敏体积,模拟计算了不同能量质子在像元灵敏体积内的电离能量沉积与非电离能量沉积,分析了CCD不同能量质子的辐照损伤差异产生的机理。结合粒子输运计算结果与CCD质子辐照实验结果,分析了质子辐照诱发CCD辐射敏感参数退化的物理机制。 展开更多
关键词 电荷耦合器件(CCD) 质子 GEANT4 电离能量沉积 非电离能量沉积
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部