一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法

提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90～ 6 10 m S/ mm,夹断电压为 - 1.0～ - 1.2 V,器件的栅长分布均匀 .这种新的结构工艺步骤少 ,工艺宽容度大 ,重复性好 。

0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为 0 .2 5 μm的 Ga As基 In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为 5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达 4 90 m A/ mm,截止频率为 75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基 In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高 .对该器件工艺及结果进行了分析 ,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数 ,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法 .

用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数

将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1～ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了 Ga0 .4 9In0 .51 P/ Ga As HBT交流小信号等效电路模型的全部 16个参数 ,得到了令人满意的模拟与测量 S参数的比较结果 .

GaAs HBT中BC结耗尽区电子渡越时间的修正

在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非以饱和速度 Vsat渡越 BC结耗尽区 ,而是以更高的速度运动。基于上述理论 ,对产生截止频率误差的 BC结耗尽区电子渡越时间τsc进行了修正。利用修正后的公式对文献中的数据进行了重新计算 ,得到了令人满意的结果。

从三个内部项目化案例看HR管理的平台化转型

对于大部分企业的人力资源管理现状,我们要做的不是调整管理模式,而是资源整合,把手头的资源盘活,用项目制运作来打通六大模块,让人力资源部成为平台部门,调配资源而不是管控资源,从而实现与业务的共赢。