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题名浅谈书厄对中国文化发展的影响
被引量:1
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作者
钱昆
禚越
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机构
长春师范学院政法学院
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出处
《科教文汇》
2009年第30期245-245,共1页
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文摘
本文主要概述了历史上的书厄现象,并进一步分析了书厄产生的原因,同时从正反两个方面指出了书厄对中国文化发展的影响。
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关键词
书厄
中国文化
影响
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分类号
G0
[文化科学]
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题名高校内部知识共享研究
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作者
禚越
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机构
青岛大学国际商学院
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出处
《教育界(高等教育)》
2013年第1期15-15,共1页
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文摘
高校内部知识共享难以有效实现的主要障碍来自于知识共享主体、知识共享客体和知识共享手段三方面。高校要实现有效知识共享必须打破知识垄断,在文化建设、制度建设、组织建设、环境建设等方面采取相应措施,推进知识共享。
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关键词
高校
知识共享
障碍
对策
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分类号
TP18
[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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题名单界面陷阱对7nm P型GAAFET性能影响研究
- 3
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作者
张珀菁
李小进
禚越
孙亚宾
石艳玲
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机构
华东师范大学电子工程系上海多维信息处理重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第4期569-573,578,共6页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003)
国家科学自然基金资助项目(61574056,61704056)
+1 种基金
上海扬帆计划资助项目(YF1404700)
上海市科学技术委员会资助项目(14DZ2260800)。
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文摘
采用3D TCAD软件仿真分析了单界面陷阱对7 nm P型全环栅场效应晶体管DC和AC性能的影响。研究结果表明:单个陷阱能使转移特性曲线发生严重偏移;当单界面陷阱位于沟道中心附近且陷阱能级靠近导带时,对关态电流和阈值电压的影响最大;陷阱使栅电容的相对变化量小于1%;环栅晶体管沟道长度和纳米线直径的缩小会加重陷阱对器件性能的影响,高介电常数材料的Spacer可减小陷阱引起的沟道能带弯曲程度,从而缓解陷阱对器件性能的影响。在调节器件结构参数使器件性能最大化的同时,应使陷阱对器件性能的影响最小化。
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关键词
7
nm节点
全环栅场效应晶体管
单界面陷阱
阈值电压
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Keywords
7-nm node
gate-all-around nanowire FET
single interface trap
threshold voltage
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名Civil 3D在重力坝坝基开挖中的应用
被引量:1
- 4
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作者
禚越
谢坤
许文达
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机构
福州大学土木工程学院
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出处
《福建水力发电》
2019年第1期8-9,58,共3页
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文摘
以某重力坝坝基开挖为例,利用Civil 3D软件通过对路线设计、加宽路线设计、纵断面设计、装配设计等步骤进行坝基开挖曲面的创建,并将Civil 3D自带部件创建开挖装配和Subassembly Composer创建开挖部件两种生成装配的方法进行比较。总结了Civil 3D在重力坝坝基开挖中的主要思路,为水工设计师利用Civil 3D进行重力坝坝基开挖,提高设计效率提供参考。
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关键词
重力坝
坝基开挖
CIVIL
3D
SUBASSEMBLY
COMPOSER
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分类号
TV551.4
[水利工程—水利水电工程]
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