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基于栅控横向PNP双极晶体管的氢氛围中辐照损伤机制 被引量:3
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作者 缑石龙 马武英 +4 位作者 姚志斌 何宝平 盛江坤 薛院院 潘琛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第15期214-221,共8页
为了研究氢气与辐射感生产物之间的作用关系,以栅控横向PNP双极晶体管为研究对象,分别开展了氢气氛围中浸泡后的辐照实验和辐照后氢气氛围中退火实验,结果表明:氢气进入双极晶体管后会使其辐照损伤增强,并且未浸泡器件辐照后在氢气中退... 为了研究氢气与辐射感生产物之间的作用关系,以栅控横向PNP双极晶体管为研究对象,分别开展了氢气氛围中浸泡后的辐照实验和辐照后氢气氛围中退火实验,结果表明:氢气进入双极晶体管后会使其辐照损伤增强,并且未浸泡器件辐照后在氢气中退火也会使晶体管辐射损伤增强.基于栅扫描法分离的辐射感生产物结果表明,氢气进入晶体管会使得界面陷阱增多,氧化物陷阱电荷减少,主要原因是氢气进入氧化层会与辐射产生的氧化物陷阱电荷发生反应,产生氢离子,从而使界面陷阱增多.基于该反应机理,建立了包含氢气反应和氢离子产生机制的低剂量率辐照损伤增强效应数值模型,模型仿真得到的界面陷阱及氧化物陷阱电荷面密度数量级和变化趋势均与实验结果一致,进一步验证了氢气在双极器件中辐照反应机理的正确性,为双极器件辐照损伤机制研究和在氢氛围中浸泡作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的建立提供了参考和理论支撑. 展开更多
关键词 栅控晶体管 氢气 低剂量率辐照损伤增强效应 界面陷阱 氧化物陷阱电荷
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40nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析 被引量:2
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作者 何宝平 马武英 +2 位作者 王祖军 姚志斌 缑石龙 《现代应用物理》 2022年第1期180-185,共6页
通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产... 通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产生影响,而在综合作用下是否相关依赖于二者的先后试验顺序。器件在先TID效应后CHC效应的综合作用下,损伤程度要大于CHC效应单独作用的结果,2种效应具有相关性;器件在先CHC效应后TID效应的综合作用下,损伤程度小于TID效应和CHC效应单独作用的结果,2种效应没有相关性。 展开更多
关键词 电离总剂量效应 沟道热载流子效应 浅槽隔离 超薄栅氧化层
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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究
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作者 王祖军 尹利元 +7 位作者 王兴鸿 张琦 唐宁 郭晓强 盛江坤 缑石龙 李传洲 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2348-2356,共9页
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产Ga... GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,通过开展100 MeV质子不同注量下的辐照实验,分析质子位移损伤诱发GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压(V_(oc))、短路电流(I_(sc))、最大输出功率(P_(m))、光电转换效率(E_(ff))等辐射敏感参数的退化规律和损伤机理。结果表明:注量范围为1×10^(11)~2×10^(12)cm^(-2)时,V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)的退化程度随辐照注量的增加而增大,当注量为2×10^(12)cm^(-2)时,P_(m)和E_(ff)归一化处理后的退化程度均为16.88%,与V_(oc)和I_(sc)相比,衰减更严重。对不同注量辐照所得V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)进行拟合,获得了V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)随辐照注量变化的特征曲线,根据该曲线可预估GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同注量下性能的衰减幅度。 展开更多
关键词 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池 质子辐照 位移损伤 辐射敏感参数
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基于电荷泵技术的栅控横向晶体管在氢氛围中的辐照损伤增强机制
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作者 缑石龙 马武英 +4 位作者 姚志斌 何宝平 盛江坤 王祖军 薛院院 《现代应用物理》 2022年第1期164-171,共8页
以栅控横向PNP(gate-controlled lateral PNP,GCLPNP)晶体管为载体,开展了在不同浓度氢氛围中的辐照实验,研究了氢气对双极器件总剂量辐射效应的影响规律。并利用电荷泵技术,分离得到GCLPNP晶体管辐照后产生的界面陷阱浓度和氧化物陷阱... 以栅控横向PNP(gate-controlled lateral PNP,GCLPNP)晶体管为载体,开展了在不同浓度氢氛围中的辐照实验,研究了氢气对双极器件总剂量辐射效应的影响规律。并利用电荷泵技术,分离得到GCLPNP晶体管辐照后产生的界面陷阱浓度和氧化物陷阱电荷浓度,总结出氢氛围中辐照损伤的微观机制。实验结果表明,与空气中的辐照实验相比,GCLPNP晶体管在氢气中辐照会使放大倍数减小,损伤增强;且随着氢气浓度的增大,损伤程度会进一步增强,辐照在器件氧化层中产生的界面陷阱增多,氧化物陷阱电荷减少。对比辐照前后界面陷阱的能级分布图可见,在氢氛围中辐照主要增加的是深能级的界面陷阱,且氢气浓度越高,辐照产生的深能级界面陷阱越多。 展开更多
关键词 GCLPNP晶体管 电荷泵 氢气 界面陷阱 氧化物陷阱电荷
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H_(2)和H_(2)O对双极器件抗辐射性能的影响规律和机制 被引量:1
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作者 马武英 缑石龙 +4 位作者 郭红霞 姚志斌 何宝平 王祖军 盛江坤 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期897-902,共6页
为了深入研究H_(2)和H_(2)O进入氧化层后对双极器件辐射效应的影响机制,以栅控双极晶体管为研究载体,分别开展了不同浓度H_(2)浸泡中的辐照试验和温湿度试验后的总剂量辐照试验。试验结果表明,随着氢气浸泡浓度的增加,器件的抗辐射能力... 为了深入研究H_(2)和H_(2)O进入氧化层后对双极器件辐射效应的影响机制,以栅控双极晶体管为研究载体,分别开展了不同浓度H_(2)浸泡中的辐照试验和温湿度试验后的总剂量辐照试验。试验结果表明,随着氢气浸泡浓度的增加,器件的抗辐射能力逐渐降低;而温湿度试验后,由于水汽的进入,器件在随后的辐照试验过程中辐射损伤呈增大趋势。在此基础上,利用栅控栅扫描法进行氧化层辐射感生缺陷的定量分离,发现H_(2)和H_(2)O进入器件氧化层后,均会造成辐射感生界面陷阱电荷Nit的增加,并在一定程度上降低辐射感生氧化物陷阱电荷Not的量,结合理论分析进一步给出了H_(2)和H_(2)O造成器件损伤增强的潜在机制。研究成果对于辐射环境用电子系统的抗辐射性能评价和应用具有参考意义。 展开更多
关键词 双极器件 电离总剂量 湿度 Γ射线
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重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转
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作者 盛江坤 许鹏 +6 位作者 邱孟通 丁李利 罗尹虹 姚志斌 张凤祁 缑石龙 王祖军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2264-2273,共10页
为研究不同注量下浮栅存储单元位翻转特点及其翻转截面变化,以及重离子入射导致的多单元翻转,以两款25 nm NAND Flash存储器为载体开展了重离子实验研究。实验结果表明,单个重离子在击中存储单元灵敏体积的情况下足以引起位翻转,位翻转... 为研究不同注量下浮栅存储单元位翻转特点及其翻转截面变化,以及重离子入射导致的多单元翻转,以两款25 nm NAND Flash存储器为载体开展了重离子实验研究。实验结果表明,单个重离子在击中存储单元灵敏体积的情况下足以引起位翻转,位翻转比率随着注量累积基本呈线性变化。由于处于编程状态阈值电压分布低压区的存储单元倾向于在相邻或靠近的地址上集中分布,随着注量累积,这类存储单元数量迅速减少,而其他大量存储单元的翻转数增长率变化不明显,因此位翻转截面随注量累积呈下降趋势。重离子导致两款器件出现多单元翻转,多单元翻转呈现单列、双列以及列间隔等结构。利用离子电离径迹模型估算得到离子电离有效径迹半径,可以判定多单元翻转是由于一个离子的电离有效径迹覆盖了多个存储单元。 展开更多
关键词 NAND Flash 浮栅 重离子辐照 注量相关性 多单元翻转
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Analysis of displacement damage effects on the charge-coupled device induced by neutrons at Back-n in the China Spallation Neutron Source 被引量:2
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作者 薛院院 王祖军 +9 位作者 陈伟 郭晓强 姚志斌 何宝平 聂栩 赖善坤 黄港 盛江坤 马武英 缑石龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第7期435-442,共8页
Displacement damage effects on the charge-coupled device(CCD)induced by neutrons at the back-streaming white neutron source(Back-n)in the China Spallation Neutron Source(CSNS)are analyzed according to an online irradi... Displacement damage effects on the charge-coupled device(CCD)induced by neutrons at the back-streaming white neutron source(Back-n)in the China Spallation Neutron Source(CSNS)are analyzed according to an online irradiation experiment.The hot pixels,random telegraph signal(RTS),mean dark signal,dark current and dark signal non-uniformity(DSNU)induced by Back-n are presented.The dark current is calculated according to the mean dark signal at various integration times.The single-particle displacement damage and transient response are also observed based on the online measurement data.The trends of hot pixels,mean dark signal,DSNU and RTS degradation are related to the integration time and irradiation fluence.The mean dark signal,dark current and DSNU2 are nearly linear with neutron irradiation fluence when nearly all the pixels do not reach saturation.In addition,the mechanisms of the displacement damage effects on the CCD are demonstrated by combining the experimental results and technology computer-aided design(TCAD)simulation.Radiation-induced traps in the space charge region of the CCD will act as generation/recombination centers of electron-hole pairs,leading to an increase in the dark signal. 展开更多
关键词 displacement damage effects charge-coupled device(CCD) China Spallation Neutron Source(CSNS) MECHANISMS technology computer-aided design(TCAD)
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CMOS图像传感器中子位移辐照损伤效应仿真模拟研究 被引量:4
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作者 王祖军 杨勰 +7 位作者 赖善坤 薛院院 聂栩 黄港 贾同轩 何宝平 马武英 缑石龙 《现代应用物理》 2022年第3期150-157,共8页
以180 nm工艺钳位光电二极管(PPD)像素结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS像素单元的器件物理建模、中子辐照损伤效应建模,分别仿真模拟了不同中子辐照注量、不同积分时间、不同缺陷类型条件下,中... 以180 nm工艺钳位光电二极管(PPD)像素结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS像素单元的器件物理建模、中子辐照损伤效应建模,分别仿真模拟了不同中子辐照注量、不同积分时间、不同缺陷类型条件下,中子位移辐照损伤诱发CIS暗信号和电荷转移损失(CTI)的退化规律。仿真模拟结果表明:暗信号和CTI均随中子辐照注量增大而增大,在达到饱和阈值之前,均呈近似线性关系;在相同的中子辐照注量下,积分时间越长,暗信号越大,CTI越小;多空位中心(E_(c)-0.46 eV)、双空位中心(E_(c)-0.42eV)、C_(i)-O_(i)中心(E_(V)+0.36 eV)3种不同体缺陷对暗信号和CTI退化的影响程度不同,E_(c)-0.46 eV是诱发暗信号和CTI退化的主要因素。仿真模拟的变化趋势与辐照实验测试的变化趋势相吻合。该仿真模拟研究为深入揭示CIS中子位移辐照损伤效应机理及抗辐射加固技术研究提供了理论依据。 展开更多
关键词 PPD CMOS图像传感器 位移损伤 中子辐照 暗信号 电荷转移损失 仿真模拟
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