硅基支撑系统的光刻工艺

为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度,用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响,得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合。在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络,对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选,并用实验加以验证。最终得到在胶厚约1.55μm时,前烘温度100℃,时间90s;曝光时间5s;显影温度15℃,时间90s时,光刻后图形的线宽偏差最小,达到了0.3μm以下。

GaAs/AlGaAs多层膜刻蚀的陡直度

GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀法,等离子体由Cl2+BCl3(蒸汽)混合气体电离形成。通过控制变量方法,发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法刻蚀中BCl3(蒸汽)流量对刻蚀陡直度的影响规律。由此得出,提高H3PO4所占比例和降低刻蚀温度虽然会降低刻蚀速率,但可以提高多层膜的陡直度;ICP刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀,BCl3(蒸汽)的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小。

平面肖特基二极管的制作

为研究制作THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺。通过分子束外延(MBE)生长了掺杂浓度分别为5×1018 cm-3的缓冲层和2×1017 cm-3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整。通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的Si O2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善。研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到0.8×10-7Ω/cm2。用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合Ga As湿法刻蚀的速率控制,完成了表面沟道的制作,制作出完整的平面肖特基二极管。通过I-U曲线理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础。

提高OLED光导出效率的异形金属光栅的设计与优化

提出一种用于有机电致发光器件(OLED)的双面对称矩形金属光栅电极,采用时域有限差分方法(FDTD)模拟研究了OLED中表面等离子体激元的激发和耦合传输的物理规律和物理机制,详细计算和分析了该光栅结构的周期、槽宽、光栅高度、槽底厚度、入射光的入射角与电极透射效率的关系,并由此优化了结构的几何参数,使金属电极的光导出效率相对于通常的金属银层电极增强了1.77倍,为基于表面等离子体激元的高效光导出器件的优化设计提供了理论依据。

一个MAS结构模型

通过引入Ａｇｅｎｔ视图概念，给出一个ＭＡＳ（Ｍｕｌｔｉａｇｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ）结构模型。

惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备

论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明,硅支撑冷却臂的侧壁陡直度大于88°,卡爪径向形变量大于20μm,符合靶的设计要求。

高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析

针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明,HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012cm-3,电子迁移率大于6 520 cm2·V-1·s-1。

太赫兹QCL技术研究进展

综述了太赫兹QCL(THz QCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展。THz QCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键。通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THz QCL线宽和提高频率稳定性。随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用。

复杂屏幕格式的自动生成

复杂屏幕格式的自动生成山东经济学院计算机管理系罗跃川一、前言在管理信息系统应用软件的开发过程中，不可缺少的是数据采集模块，因为绝大多数管理信息系统都需要进行大量的数据录入工作，一个应用系统是否能被用户接受和喜爱，很大程度取决于应用系统的用户界面，要求...

用JDBC访问低端数据库系统

Microsoft的FoxPro是一种比较低端的数据库系统,它(包括FoxBase、dBase)具备完备的数据库管理功能,可以作为独立的DBMS使用,是PC上开发客户/服务器型数据库应用的优秀工具,也是国内PC用户常用的数据库软件。虽然,随着开发平台的提升,应用系统已转向面向Oracle、DB2等大型数据库的应用,但是,目前正在运行着的各种应用系统中,仍有一部分采用的是比较低端的数据库系统,特别是一些小型单位已用它建立了大量的数据库档案资料。因此,在目前的开发平台中实现对低端的数据库系统的访问有着广泛的现实意义。由于JDBC与Java结合,可以很容易地把SQL语句传送到任何关系数据库中,因而JDBC也可以用于低端的数据库系统。本文通过一个实例介绍如何用JDBC和JavaSQLAPI编写在中文Windows95下访问FoxPro(包括FoxPro2.6、FoxBase2.1、dBase3.0及dBase4.0等)等数据库的Java应用程序。

亚微米尺寸金属电极的制备工艺

亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。

Agent理论通用框架——非线性动力学

用非线性动力学作为Agent理论的通用框架 ,把Agent最本质特征 (信念、愿望、意图 )归结到这个框架下 。

虚拟图形设备GRP的编辑器

给出虚拟图形设备(GRP)编辑器的设计思想,主要操作功能以及处理流程框图.

量子信息与智能模拟

在人类跨入21世纪之际,信息科学面临着新的挑战。计算机是否存在智能一直是数学家和电子技术专家们关注的重要课题,是人们向往的目标,但建立在不可逆Turing机基础上的智能模拟暴露了许多难以克服的困难,近年来,物理学家加入这个研究行列,他们成功地将量子理论和信息科学结合起来,提出许多令人耳目一新的概念、原理和方法,于是"量子信息"作为新兴的学科分支便应运而生。山东经济学院计算机科学与技术系和江苏大学计算机科学与通信工程学院的几位老师在本文中探讨了基于量子信息技术的智能模拟新途径。

利用非对称双面金属光栅电极提高OLED光导出率的模拟研究

提出利用非对称双面金属光栅电极提高有机电致发光器件(OLED)的光导出效率,采用时域有限差分(FDTD)电磁场模拟仿真软件详细研究了OLED中表面等离子体激元的激发和耦合传输的物理规律和物理机制,计算和分析了非对称双面光栅电极的周期、槽宽、入射光的入射角等与OLED光导出率之间的关系,通过设计优化非对称金属光栅电极结构参数,在广角度照射下,OLED光导出率可增强1.41倍以上,为提高OLED发光效率提供一条新的途径.