SOI CMOS器件研究

利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。

基于WiMAX的VoIP的QoS改进

为了提高无线资源的利用率,使WiMAX系统更好地支持语音业务,基于IEEE802.16e协议的QoS调度体系和已有的信息流优先级(Traffic Priority),引入新的信息流优先级乘数(Traffic Priority Multiplier)概念,提出使用高优先级的BE服务流承载SIP信令,以取代目前普遍使用nrtPS承载SIP信令的做法。通过对优先级乘数的不同设置,可以使WiMAX运营商更加灵活地分配有限的无线资源,从而提供更好的网络和语音服务。