过渡金属掺杂GaN的电子结构和光学性质理论研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同过渡金属(V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)掺杂Ga N的电子结构及光学性质,分析掺杂对电子结构及光学性质的影响.结果表明,过渡金属掺杂在Ga N的禁带中引入杂质能带,除掺Fe体系外其它掺杂体系都表现为半金属性.除掺Fe和Ni体系在低能区没有出现光吸收外,其它体系均在低能区杂质能级处出现光吸收.

8-羟基喹啉铝在多孔铝中的发光研究

利用多孔铝非常高的孔隙率,将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到Alq3/多孔铝镶嵌膜,研究了不同条件下制备的多孔铝镶嵌膜的荧光光谱。实验表明,Alq3在多孔铝中的发光峰位在490 nm左右,比其在固态粉末状态蓝移了许多。Alq3/多孔铝镶嵌膜的发光特性与多孔铝中嵌入Alq3分子的数量及聚集程度有关。当分子数量较多、聚集程度较大时,发光增强,光谱峰位红移,但聚集程度太大时,易发生荧光猝灭现象。数量较多时,由于Alq3分子大多以范德瓦尔斯力结合,聚体较少,所以峰位移动幅度不大。实验中还发现,Alq3因为处在小孔中,光学性质稳定,荧光光谱带宽超过100 nm,比一般染料大得多,这使Alq3/多孔铝镶嵌膜有可能在固体可调谐激光器方面得到新的应用;同时也为探究Alq3/多孔铝镶嵌膜在电致发光器件中的发光特性奠定了基础,为将其进一步推向实用提供了实验依据。

I^2C串行总线存储技术在单片机系统中的应用

介绍I2C串行总线原理及AT24CXX系列串行EEPROM的特点。着重阐述了利用I2C串行总线和AT24CXX系列串行EEPROM实现数据存储的技术,并给出了该技术在MCS51系列单片机系统中的实现方法。

MSM结构ZnO/Cu薄膜的接触特性

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明:样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向;当Cu和ZnO直接接触时,样品的I-V特性是非线性的;当Cu和ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触,而且退火后欧姆接触性能明显提高,电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。

制备条件对含铜阳极氧化铝复合薄膜偏振特性的影响

利用多孔阳极氧化铝(PAA)的纳米列阵结构,将金属铜电镀到氧化铝的孔中,得到含有金属铜纳米列阵阳极氧化铝(Cu/PAA)膜。实验中发现,Cu/PAA膜的偏振特性与电镀条件有关。在一定的范围内,随着电镀时间和电流密度的增加,消光比增大。电镀溶液的温度也是影响Cu/PAA膜消光比的一个很重要的因素,在电镀溶液温度相对较高的情况下,电流密度相对较小时也可以获得相对较高的消光比。通过优化电镀条件可获得高效率的Cu/PAA膜微偏振器。这种电化学方法制备的微偏振器,制备工艺简单,尺寸可控,便于实现产业化,有广泛的应用前景。

主从触发器的动作特点及波形分析

特性方程和电压波形图都是触发器重要的逻辑功能表示方法.文中结合具体实例,说明直接根据特性方程画主从触发器电压波形图时会遇到的问题,并结合其电路结构及动作特点给出了解释,指出了特性方程适用的条件,同时也总结出了主从触发器电压波形图的画法.这种提出问题、分析问题并解决问题的教学方法可以提高学生的学习兴趣并加深对内容的理解,提高教学质量.

乙醇溶液中8-羟基喹啉铝光谱研究

对 8 -羟基喹啉铝 (Alq3 )在乙醇溶液中的荧光光谱进行研究发现 ,其发光性质与溶液浓度有关 ,随着浓度的降低 ,其荧光光谱的峰位发生蓝移 ,发光强度降低 ,而半高宽则一直在增大 ,但由于在浓度较高时 ,乙醇溶液中Alq3 分子大部分以范德瓦尔斯力相结合 ,只出现少量的聚体 ,所以峰位移动幅度不大 ;但当浓度降低到某一数值后 ,峰位将不再变化 .另外 ,在浓度很大时 。

多孔铝纳米列阵模板的形成及其机理分析

利用阳极氧化法可以制备出高度有序的多孔铝纳米列阵模板 .该文介绍了目前流行的制备模板的方法及对它的形成机理的不同解释 。

多孔硅的形成与理论分析

综述了多孔硅的形成机制 ,并分别对用n_Si和

有机染料在多孔铝中的发光研究

用电化学方法制备的多孔阳极氧化铝具有孔径大小均匀、相互平行、排列规则的微孔结构 ,可作为多种发光材料的透明基底 .以多孔铝为载体 ,将有机染料嵌入多孔铝孔中 ,获得有机染料固体镶嵌膜 ,测量了镶嵌膜的吸收光谱、光致发光谱 .镶嵌膜的吸收光谱和液相染料的吸收光谱基本一致 ,光致发光谱的发光峰位蓝移 ,发光强度降低 ,但光谱线型更趋于对称 .实验结果表明染料以单体形式存在于多孔铝中 .通过对衬底多孔铝进行一系列后处理 。

公共场所控烟立法与公众参与

公共场所控烟立法,在法理上具有充分的合理性和正当性。在我国现行体制下,公众参与公共场所控烟立法,应以代表制立法、媒体讨论、立法听证、法律评估等形式,能够产生更为良好的社会效果。

氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响

为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响,采用脉冲激光沉积技术,在P-Si〈11〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析,并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明,所有样品均在2θ=34.3°附近出现ZnO(002)衍射峰,没有发现Cu的衍射峰,在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下,样品有较好的c轴择优取向;室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带,该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷,属于深能级发射机制,并且随着氧压的升高,其发光强度增强。

Eu^3＋，Li^＋共掺杂ZnO薄膜结构与发光性质的研究

为了研究Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜结构与发光性质,采用脉冲激光沉积方法在P型单晶Si(111)衬底上制备了Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜,其中,Eu^(3+)作为发光中心,而Li^+作为低价电荷的补偿离子和发光敏化剂。分别对样品进行了X射线衍射谱测试和光致发光谱分析。得出的数据中X射线衍射谱显示,Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,X射线衍射谱中除ZnO晶向以外没有出现其它结晶峰;Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜的光致发光谱与ZnO纯晶体薄膜的发射光谱基本相似,但是掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰却出现红移现象,峰值位于382nm处,且发光峰也不尖锐。当以395nm的激发光照射样品时,在光致发光光谱中观察到了稀土Eu^(3+)在594nm,613nm附近的特征发光峰。结果表明,掺杂元素Eu^(3+),Li^+均已进入到ZnO晶格中,形成了以Eu^(3+)为发光中心的ZnO纤锌矿结构。

含纳米金属阵列阳极氧化铝膜的偏振特性

利用阳极氧化铝的纳米多孔阵列结构特性 ,将金属Cu电镀到氧化铝的孔中 ,得到含有金属纳米阵列的氧化铝膜。实验发现 ,这种氧化铝膜确实象金属线栅偏振器一样表现出偏振特性 ,是一种新型微偏振器件。它在波长大于 5 0 0nm时吸收很小 ,在波长为 1.5 μm时有高达 6 7.1%的透射率和 2 5 .6dB的消光比。该氧化铝膜的偏振特性与阳极氧化和电镀条件有关。随着电流密度的增大 ,金属柱增多 ,光学损失增大 ,透射率降低 ,而偏振度增大。但是当电流密度增加到某一数值时 ,偏振度降低。通过优化制备条件 ,可得到高效率的氧化铝微偏振器。这种微偏振器制作简单 ,体积小 ,在光电通信领域有着非常广泛的应用前景。

多孔铝镶嵌8-羟基喹啉铝荧光光谱研究

利用多孔铝非常高的孔隙率 ,将 8 羟基喹啉铝 (Alq3)镶嵌到多孔铝中 ,得到多孔铝Alq3镶嵌膜 .研究了镶嵌膜的荧光光谱 ,并与Alq3在溶液状态下的荧光光谱进行比较 ,发现其荧光光谱与Alq3在乙醇溶液中的光谱相似 ,呈现单分子的发光特征 ,并且光谱线形更加对称 .实验表明 ,多孔介质有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq3在电致发光器件方面应用的新途径 .

基于PLD法制备ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜的发光性质研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(111)衬底上生长了Eu3+、Li+共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)谱测试和光致发光(PL)谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3+的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的蓝光发射减弱,紫外发光增强。用395nm的光激发时,退火前样品分别在594nm和613nm处存在两个明显的Eu3+特征发光峰,退火后的样品仅发现Eu3+位于594nm的特征发光峰,这表明,退火处理不利于稀土离子的特征发射,但O2中退火的样品ZnO基质红绿波段发射光谱明显增强。

多孔铝膜的偏振特性研究

用阳极氧化方法制备了多孔Al,并向其孔中镀入Cu,观察到了其表现出的偏振性质。实验结果表明,镀Cu多孔Al膜确实和线栅偏振器一样表现出偏振性质。未电镀的多孔Al,在650.0nm显示出较好的偏振特性;对于电镀的样品,在1500.0nm显示出较好的偏振特性。电镀后的多孔Al膜的透射率相对降低,但偏振度明显提高。

退火温度对PLD法制备ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜结构和发光性质的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,分别在450,500,550和600℃条件下进行退火,退火气氛为真空。利用X射线衍射(XRD)仪和荧光分光光度计研究了退火温度对薄膜结构和光致发光(PL)的影响。研究结果表明,Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,Eu3+,Li+没有单独形成结晶的氧化物,均以离子形式掺入ZnO晶格中。PL谱中有较宽的ZnO基质缺陷发光,ZnO基质与稀土Eu3+之间存在能量传递,但没有有效的能量传递。随着退火温度的增加,薄膜发光先增强后减弱,退火温度为550℃时发光最强。当用395 nm的激发光激发样品时,仅观察到稀土Eu3+在594 nm附近的特征发光峰,但发光强度随退火温度变化不明显。

氧分压对ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜结构和光学性质的影响

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了ZnO:Eu^(3+),Li+薄膜,分别通过XRD谱和光致发光(PL)谱测试研究了氧分压不同时薄膜结构和发光性质。XRD谱研究表明,所有样品均仅出现ZnO基质的(002)衍射峰,说明Eu^(3+)已进入ZnO基质晶格,没有单独形成结晶氧化物。PL谱研究表明,当用325 nm的光激发样品时,样品的发光仅由ZnO基质的紫外发光和绿光发射组成,没有出现稀土Eu^(3+)的特征发光峰。当用395 nm的光激发样品时,在594和613 nm处出现两个明显的Eu^(3+)特征发光峰,分别属于Eu^(3+)的磁偶极跃迁(~5D_0→~7F_1)和电偶极跃迁(~5D_0→~7F_2),而且随着氧压的增加,594 nm处的发光峰强度变化不大,但613 nm处的发光峰强度明显增强。

基于ARM的油井示功图测试系统的设计与实现

介绍了一种基于ARM的抽油机井示功图测试系统硬件及软件的设计与实现。该系统由传感器、手持机和数据中心组成,采用了ARM微处理器、SD卡存储及USB通讯等技术,具有功耗低、存储容量大、可靠性高、操作简单及携带方便等优点,目前已经在油井工况监控中得到应用。