ICP-AES法同时测定掺质钒酸钙晶体中的钙、钒、钕、镱、锗

本文采用ICP－AES法同时测定了掺质Ca3（VO4）2晶体中Ca、V、Nd、Yb、Ge的含量．选择了合适的分析谱线和积分时间，试样用硝酸溶解后直接测定。方法简便、准确、快速。合成试样中各被测元素的回收率为98％－104％。相对标准偏差＜4.0％，Nd、Yb、Ge的检出限为0.0002一0.18μg／mL。

等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗

本文阐述了用等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗的方法。试验了三种样品制备方法,结果表明,样品溶解于硝酸加氢氟酸中,除去硅后直接测定铝的方法最好,其检出限是0.0237μg／mL,合成样品的回收率为99.9％—100.2％,相对标准偏差小于3.6％。

端视电感耦合等离子体光谱法测定高纯水中微量铜和铁

本文报道了用高灵敏度的电感耦合等离子体光谱法（ICP－AES）同时测定高纯水中微量铜和铁。光谱仪配有端视等离子体炬和旋流雾室进样装置。方法快速、简便，测定水中铜和铁的检出限分别为0.0007mg／L和0．0005mg／L。本法已用于反应堆用高纯水的分析。

ICP-AES法同时测定硼铁中的主要成分及杂质

本文研究了用ICP－AES法同时测定硼铁中的主要成分B、Fe及杂质元素AI、Mn、Si的方法。采用碱熔融法（Na2O2＋NaOH）分解样品，选Cd作为内标元素。方法简便、快速、准确。合成试样的回收率为97.8％一102．0％，样品测定的相对标准偏差小于1％，用于样品分析，结果满意。

ICP-AES法同时测定纯铁中八种杂质元素

本文研究了用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定纯铁中８种杂质元素：Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ的分析方法。研究了铁基体元素对被测元素光谱线的光谱干扰与物理干扰，采用背景扣除法与基体匹配法进行校正。被测元素的检出限为０．４－３．０μｇ／Ｌ，合成试样的回收率为９１％－１１０％，杂质元素含量为０．０００３％－０．０５％时，测量的相对标准偏差＜９％。方法简便、准确、结果满意。

二维电荷注入阵列检测器等离子体光谱仪的分析性能

报道了一种新型发射光谱仪的分析性能的试验研究，该仪器具有二维电荷注入检测器（ＣＩＤ）和端视电感耦合等离子体炬管。进行了分析线的选择、多元素标准曲线的绘制及载气压力对谱线影响等项实验，结果表明该仪器有良好的分析性能。

ICP-AES法测定Nb:SrTiO_3晶体及功能陶瓷材料中的铌含量

本文报导了用ICP-AES法直接测定掺铌钛酸锶晶体及功能陶瓷材料(Nb:SrTiO_3)中铌含量的分析方法。研究了试样的分解方法、铌分析线的选择、Nn:SrTiO_3基体的干扰及试液的稳定性。所选三条铌分析线的检出限分别为0.0042μg/mL、0.0015μg/mL、0.0013μg/mL。合成试样回收率为98.7％～100.9％。铌含量为0.1％1.0％时,测量的相对标准偏差<1.5％。方法简便、准确,用于样品分析,结果满意。