采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。放大器采用三级级联拓扑,第一级采用源极电感匹配,在确保良好的输入回波损耗的同时优化放大器噪...采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。放大器采用三级级联拓扑,第一级采用源极电感匹配,在确保良好的输入回波损耗的同时优化放大器噪声系数;第三级采用电阻电容串联负反馈匹配,在尽量降低噪声系数的前提下,保证良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率。在片测试表明,在10 V漏级电压、-2 V栅极电压偏置下,放大器静态电流为60 m A,8~12 GHz内增益为22.5 d B,增益平坦度为±1.2 d B,输入输出回波损耗均优于-11 d B,噪声系数小于1.55 d B,1 d B增益压缩点输出功率大于11.9 d Bm,其芯片尺寸为2.2 mm×1.1 mm。装配测试表明,噪声系数典型值小于1.6 d B,可承受33 d Bm连续波输入功率。该X波段Ga N低噪声放大器与高功率放大器工艺兼容,可以实现多功能集成,具有广阔的工程应用前景。展开更多
提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT...提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。展开更多
结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,...结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数。限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率。利用微波仿真软件,设计制作了兰格（Lange）电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路。最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27~28 d B,噪声系数小于1.3 d B,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击。展开更多
文摘采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。放大器采用三级级联拓扑,第一级采用源极电感匹配,在确保良好的输入回波损耗的同时优化放大器噪声系数;第三级采用电阻电容串联负反馈匹配,在尽量降低噪声系数的前提下,保证良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率。在片测试表明,在10 V漏级电压、-2 V栅极电压偏置下,放大器静态电流为60 m A,8~12 GHz内增益为22.5 d B,增益平坦度为±1.2 d B,输入输出回波损耗均优于-11 d B,噪声系数小于1.55 d B,1 d B增益压缩点输出功率大于11.9 d Bm,其芯片尺寸为2.2 mm×1.1 mm。装配测试表明,噪声系数典型值小于1.6 d B,可承受33 d Bm连续波输入功率。该X波段Ga N低噪声放大器与高功率放大器工艺兼容,可以实现多功能集成,具有广阔的工程应用前景。
文摘提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。
文摘结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数。限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率。利用微波仿真软件,设计制作了兰格（Lange）电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路。最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27~28 d B,噪声系数小于1.3 d B,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击。
