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滇东地质高背景区土壤镉的伴矿景天修复及其对后茬水稻的影响
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作者 吴拓铮 詹娟 +7 位作者 周嘉文 周通 李柱 胡鹏杰 黄化刚 李廷轩 张锡洲 骆永明 《土壤学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1349-1359,共11页
云南是我国典型的重金属元素地球化学高背景区,超积累植物能否有效修复镉(Cd)地质高背景土壤,从而实现农产品安全生产,尚鲜见报道。以云南石林、富源和罗平等三地的典型Cd地质高背景农田土壤为对象,开展温室盆栽试验,探究Cd、锌(Zn)超... 云南是我国典型的重金属元素地球化学高背景区,超积累植物能否有效修复镉(Cd)地质高背景土壤,从而实现农产品安全生产,尚鲜见报道。以云南石林、富源和罗平等三地的典型Cd地质高背景农田土壤为对象,开展温室盆栽试验,探究Cd、锌(Zn)超积累植物伴矿景天对土壤Cd的吸取修复效果,及对后茬水稻生长和Cd吸收的作用。结果表明,种植三季伴矿景天使三地土壤全量Cd分别下降24.8%、30.9%和58.8%;伴矿景天在富源玄武岩风化物母质发育的土壤上长势最好,与富源土壤肥力相对最高有关;伴矿景天在罗平石灰岩风化物发育的土壤上重金属吸取修复效果最佳,与罗平土壤呈中性、酸化作用更为明显有关,这些差异由土壤母质、养分与重金属有效性等综合影响所致。经伴矿景天吸取修复三季后,全生育期淹水种稻,其糙米和秸秆Cd浓度均大幅降低,可实现糙米Cd安全生产。未经植物吸取修复,旱作处理下水稻糙米Cd存在超标风险。植物吸取修复后种植水稻,再结合水分管理措施,可进一步降低稻米中Cd浓度,实现稻米安全生产,为Cd地质高背景区土壤的农作物安全生产提供理论依据和技术支撑。 展开更多
关键词 土壤镉 地质高背景 植物吸取修复 水稻 水分管理
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替代燃料的工艺安全管理
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作者 詹娟 《中国水泥》 CAS 2024年第S01期93-95,共3页
为积极响应国家双碳战略,推动循环经济,提升企业绿色发展、可持续发展的能力,替代燃料在越来越多的水泥企业得到了应用。因替代燃料本身属于可燃或易燃的废料,火灾爆炸风险极高。为了将风险降到可控制的范围,避免事故的发生,本文就水泥... 为积极响应国家双碳战略,推动循环经济,提升企业绿色发展、可持续发展的能力,替代燃料在越来越多的水泥企业得到了应用。因替代燃料本身属于可燃或易燃的废料,火灾爆炸风险极高。为了将风险降到可控制的范围,避免事故的发生,本文就水泥企业替代燃料使用的工艺安全管理措施进行阐述,旨在分享交流管理经验。 展开更多
关键词 替代燃料 工艺安全管理
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土壤重金属地质高背景成因、风险与管控研究进展 被引量:3
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作者 胡鹏杰 詹娟 +4 位作者 刘娟 李欣阳 杜彦锫 吴龙华 骆永明 《土壤学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1363-1377,共15页
土壤重金属地质高背景是近年来学术界研究的热点之一,涉及地质学、地球化学、土壤学、环境科学等学科。采用文献计量方法分析了土壤重金属地质高背景领域的研究进展与近期热点,介绍了全球和中国土壤重金属地质高背景分布特征、成因与类... 土壤重金属地质高背景是近年来学术界研究的热点之一,涉及地质学、地球化学、土壤学、环境科学等学科。采用文献计量方法分析了土壤重金属地质高背景领域的研究进展与近期热点,介绍了全球和中国土壤重金属地质高背景分布特征、成因与类型,梳理了高背景区土壤重金属的环境风险及管控措施,以期为土壤重金属地质高背景成因机制与风险管控提供理论与技术参考。建议关注高背景区土壤重金属背景值调查、富集特征与形成机制、潜在活化与迁移,开展地质高背景区土壤风险评估、环境基准研究与管控技术研发。 展开更多
关键词 地质高背景 土壤 重金属 成因机制 风险管控 文献计量
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硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究 被引量:4
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作者 詹娟 刘光廷 孔德平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期48-50,47,共4页
本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度... 本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。 展开更多
关键词 功率晶体管 直接键合 SDB 硅/硅
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硅片键合界面的应力研究 被引量:6
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作者 詹娟 刘光廷 《传感技术学报》 CAS CSCD 1994年第3期26-29,共4页
本文主要研究硅片直接键合界面结构与应力大小.当抛光硅片直接键合时,界面出现极薄的过渡区,并存在微小的晶向差,但不引起多余应力.当热生长了二氧化硅层的硅片相键合时,界面存在二氧化硅层,并引起张应力,其大小与硅二氧化硅系统应力大... 本文主要研究硅片直接键合界面结构与应力大小.当抛光硅片直接键合时,界面出现极薄的过渡区,并存在微小的晶向差,但不引起多余应力.当热生长了二氧化硅层的硅片相键合时,界面存在二氧化硅层,并引起张应力,其大小与硅二氧化硅系统应力大小相当. 展开更多
关键词 硅片键合 界面 应力
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COPD患者缺氧对TNF-α系统的激活及与营养不良的相关性 被引量:14
6
作者 詹娟 孙圣华 《医学临床研究》 CAS 2003年第12期881-884,共4页
目的研究慢性阻塞性肺疾病 (COPD)患者缺氧对TNF α系统的激活及与营养不良的关系 ,探讨COPD营养不良的发生机制。方法研究对象为 2 7例COPD稳定期患者及 2 9名正常人 ,COPD患者分为Ⅰ组 (营养不良组 ) 1 2例 ,Ⅱ组 (非营养不良... 目的研究慢性阻塞性肺疾病 (COPD)患者缺氧对TNF α系统的激活及与营养不良的关系 ,探讨COPD营养不良的发生机制。方法研究对象为 2 7例COPD稳定期患者及 2 9名正常人 ,COPD患者分为Ⅰ组 (营养不良组 ) 1 2例 ,Ⅱ组 (非营养不良组 ) 1 5例 ,测定其血清可溶性肿瘤坏死因子受体 5 5 (sTNF R5 5 )浓度、体重指数 (BMI)、理想体重百分比 (NW % )、体脂百分比 (fat% )、上臂中部臂围 (MAC)、血清白蛋白(ALB)、总淋巴细胞计数 (LYM) ,对COPD稳定期患者加测动脉血气分析。血清sTNF R5 5浓度通过酶联免疫吸附实验 (ELISA)法检测 ,并分析COPD患者血清sTNF R5 5浓度与动脉血氧分压 (PO2 )、营养参数之间的相关性。结果①COPD稳定期患者BMI、NW %、fat%、MAC、ALB、LYM均显著低于正常对照组 (P <0 .0 1 ) ,血清sTNF R5 5浓度显著高于正常对照组 (P <0 .0 5 ) ;②Ⅰ组年龄、血清sTNF R5 5浓度均显著高于对照组 (P <0 .0 5 ) ,BMI、NW %、fat%、MAC、ALB、LYM均显著低于对照组 (P <0 .0 1 ) ,Ⅰ组BMI、NW %、fat %、MAC、ALB、LYM也显著低于Ⅱ组 (P <0 .0 1 ) ;③Ⅰ组血清sTNF R5 5浓度与PO2 、BMI、NW %、fat%、ALB呈显著负相关 (P <0 .0 5 ) ;④COPD患者血清sTNF R5 5浓度与年龄呈正相关 。 展开更多
关键词 肺疾病 阻塞性 肿瘤坏死因子 低氧 营养障碍
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2019冠状病毒病大流行期间医学生心理健康、职业自豪感与一线工作意愿 被引量:1
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作者 詹娟 孙圣华 +2 位作者 谢丽华 文益江 傅建国 《中南大学学报(医学版)》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期649-656,共8页
目的:了解2019冠状病毒病大流行期间医学生的心理健康、职业自豪感与一线工作意愿,为进行心理干预提供参考。方法:采用抑郁-焦虑-压力量表和自行设计的关于职业自豪感、一线工作意愿和家人支持程度的调查问卷,通过问卷星平台对福建、湖... 目的:了解2019冠状病毒病大流行期间医学生的心理健康、职业自豪感与一线工作意愿,为进行心理干预提供参考。方法:采用抑郁-焦虑-压力量表和自行设计的关于职业自豪感、一线工作意愿和家人支持程度的调查问卷,通过问卷星平台对福建、湖南4所医学院校的医学生进行调查,比较不同特征的医学生的心理健康状况、职业自豪感和一线工作意愿,并分析职业自豪感与一线工作意愿的影响因素。结果:回收有效问卷266份。疫情期间不同院校、专业、阶段医学生发生抑郁的比例和职业自豪感差异有统计学意义(分别P<0.05,P<0.001),不同心理健康状况的医学生职业自豪感差异有统计学意义(P<0.01),婚姻、压力、家人支持程度是医学生职业自豪感的影响因素(P<0.05),后两者也是医学生一线工作意愿的影响因素(P<0.05)。结论:疫情期间大专院校、护理专业医学生心理健康状况较好,职业自豪感较高,已婚、压力异常、家人支持程度低的医学生职业自豪感较低,压力异常、家人支持程度低的医学生一线工作意愿下降。 展开更多
关键词 2019冠状病毒病 医学生 心理健康 职业自豪感 一线工作意愿
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直接键合硅片的亲水处理 被引量:4
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作者 詹娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期54-56,共3页
硅片直接键合技术的关键是硅片表面的亲水处理。本文研究了亲水处理的微观过程,处理溶液的选择条件及处理的方法。指出只要具有氧化剂的硅片清洗液都可以做亲水处理液。
关键词 直接键合 亲水处理 微观过程
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新型温湿敏集成传感器研制 被引量:1
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作者 詹娟 陈国平 《传感技术学报》 CAS CSCD 1992年第3期13-16,共4页
本文介绍了一种新的湿敏薄膜材料Ta_2O_5和一种新的硅衬底材料SOI/SDB的制备技术及它们的特性,给出了包含P-N结温敏元件的FET湿度的传感器结构及其特点.
关键词 传感器 温敏
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半导体放电管维持电流的研究 被引量:2
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作者 詹娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期30-31,共2页
对提高半导体放电管的维持电流(IH)进行了研究,实验结果表明:应用一般晶闸管维持电流公式进行调整,不易得到大的维持电流,必须在放电管结构上进行改进。
关键词 半导体放电管 维持电流 放电管 双向晶闸管
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白内障术后并发眼内炎的原因分析与护理干预 被引量:6
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作者 詹娟 《吉林医学》 CAS 2010年第30期5422-5422,共1页
目的:探讨白内障人工晶体植入术后并发眼内炎的原因,并提出相应的护理对策。方法:对6例接受白内障超乳加人工晶体植入术的患者术后眼内炎发生率和原因进行回顾性分析,针对引起患者眼内炎的不同原因采取相应的护理措施。结果:白内障超乳... 目的:探讨白内障人工晶体植入术后并发眼内炎的原因,并提出相应的护理对策。方法:对6例接受白内障超乳加人工晶体植入术的患者术后眼内炎发生率和原因进行回顾性分析,针对引起患者眼内炎的不同原因采取相应的护理措施。结果:白内障超乳加人工晶体植入术后并发眼内炎的原因包括供应室的管理,病区的管理,手术室的管理,手术患者的围手术管理,高危人群的管理等,任何一个环节出现问题后果都很严重。结论:有效的护理干预措施能减少眼内炎的发生,从而提高手术疗效。 展开更多
关键词 白内障手术 眼内炎 护理干预
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临床护理路径在玻璃体切割患者中的应用 被引量:3
12
作者 詹娟 《护理实践与研究》 2010年第16期25-27,共3页
关键词 玻璃体切割术 临床护理路径 应用 患者 手术操作 显微技术 设备条件 术后反应
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硅片键合界面对功率管饱和压降的影响 被引量:3
13
作者 詹娟 《半导体杂志》 1996年第4期8-10,共3页
本文讨论了键合工艺及键合界面的存在对功率晶体管饱和压降的影响,指出严格的控制各种沾污,适当的选择衬底材料可降低界面势垒。实验证明,用键合材料制作的功率管比深结扩散材料制作的功率管饱和压降略有下降。
关键词 硅片键合 界面 功率晶体管 饱和压降
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硅片直接键合界面的存在对器件性能的影响
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作者 詹娟 孙国樑 刘光廷 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第6期43-46,共4页
利用电子透射显微镜(TEM)和俄歇分析仪(AES)观察硅片直接键合界面结构,在界面存在一个小于2nm厚的非晶区-硅氧化物。此界面具有良好的吸杂效应,在同一退火温度下,退火时间愈长,吸杂现象愈明显。因此键合界面的存在改善了晶体管的性能。
关键词 硅直接键合 界面 半导体器件 性能
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硅片键合界面的吸杂效应
15
作者 詹娟 孙国梁 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第5期45-48,共4页
本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究,根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实,提出了键合界面的吸杂试验,分析了其吸杂效应的机理,给出了吸杂方程。理论计算和实验结果得到了较好的吻合。
关键词 硅片键合 吸杂处理 SOI
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短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究
16
作者 詹娟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期323-325,共3页
利用硅栅自对准全离子注入工艺制备了SOI/SDBCMOS器件,讨论了该器件的短沟道效应、“Kink”效应以及SOI硅膜厚度对NMOS、PMOS管参数的影响。
关键词 SOI 硅片直接键合 CMOS 硅器件 集成电路
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SOI/SDBCOMS环形振荡器的研究
17
作者 詹娟 《电子器件》 CAS 1997年第4期46-49,共4页
本文主要研究了硅片直接键合技术制备SOI材料,并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了1μm沟道CMOS环形振荡器。由于SOI。SDB中的硅膜保持着本体硅的性质,故所得陪管的特性比较好,(迁移率:NMOS为680cm... 本文主要研究了硅片直接键合技术制备SOI材料,并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了1μm沟道CMOS环形振荡器。由于SOI。SDB中的硅膜保持着本体硅的性质,故所得陪管的特性比较好,(迁移率:NMOS为680cm2/V·s,PMOS为370cm2/V·s,跨导:NMOS为38mS,PMOS为25mS)。但发现MOS管具有“Kink”效应,随着硅膜厚度的减小,“Kink”效应有所抑制。实验所得CMOS19级环形振荡器的单级延时为0.79ns,由此可见。 展开更多
关键词 SDB CMOS 环形 振荡器 VLSI
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半导体放电管的短路点设计
18
作者 詹娟 《电子器件》 CAS 1997年第2期45-48,共4页
本文主要讨论了电话系统抗电涌防护装置中半导体放电管的阴极短路点设计方法。
关键词 阴极短路点 设计 半导体放电管
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肺鳞状细胞癌中Notch1~4和DLL4的表达及与微血管密度的相关性 被引量:14
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作者 曹慧秋 文继舫 +3 位作者 胡玉林 周建华 邓征浩 詹娟 《临床与实验病理学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期842-847,共6页
目的探讨Notch1~4及DLL4在肺鳞状细胞癌肿瘤细胞和间质中表达的临床病理意义及与微血管密度的相关性。方法免疫组化SP法检测64例肺鳞癌和癌旁非肿瘤肺组织中Notch1~4及DLL4的表达,免疫组化SP法检测CD31计数肺鳞癌的微血管密度。结果 ... 目的探讨Notch1~4及DLL4在肺鳞状细胞癌肿瘤细胞和间质中表达的临床病理意义及与微血管密度的相关性。方法免疫组化SP法检测64例肺鳞癌和癌旁非肿瘤肺组织中Notch1~4及DLL4的表达,免疫组化SP法检测CD31计数肺鳞癌的微血管密度。结果 (1)肺鳞癌肿瘤细胞内Notch1~4及DLL4的表达明显高于癌旁支气管黏膜上皮(P<0.05),其中Notch1、3和DLL4的表达与肿瘤的大小呈正相关(r=0.334、0.421、0.475,P<0.05),Notch1与Notch2的表达与肿瘤淋巴结转移呈正相关(r=0.356、0.417,P<0.05);(2)肺鳞癌间质及癌旁肺间质中Notch1~3的表达无明显差异(P>0.05),而Notch4与DLL4在肺鳞癌间质中的表达明显高于癌旁肺间质(P<0.05),且与肿瘤大小(r=0.300、0.440,P<0.05)及临床分期(r=0.365、0.336,P<0.05)呈正相关;(3)肿瘤细胞中DLL4及间质内DLL4、Notch4的表达与肺鳞癌的微血管密度呈负相关(r=-0.285、-0.323、-0.258,P<0.05)。结论肺鳞癌肿瘤细胞和间质中Notch与DLL4的表达可能促进肿瘤发展,并对肿瘤血管的生成具有重要的调控作用。 展开更多
关键词 肺肿瘤 NOTCH DLIA 微血管密度
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半导体放电管
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作者 詹娟 《半导体情报》 1998年第2期38-40,共3页
介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件——半导体放电管,简述了它的特点、工作原理、结构及应用。
关键词 半导体 放电管 过压保护器件
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