氮掺杂富勒烯的红外和紫外可见光谱

本文报道了氮掺杂富勒烯的红外和紫外可见光谱。发现氮原子替位掺杂可激活Ｃ６０分子的部分红外沉寂模式，紫外可见光谱证实，氮掺杂后。

氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究

本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接近，但仍要高于本征膜的电导率，说明仍有少量的氢留在薄膜中．

C-N化合物合成研究

用能量 50 - 1 1 0 ke V的 N离子在低于 80°C温度下注入 CVD法合成的金刚石薄膜后 ,分别用 X射线光电子谱、红外谱和拉曼谱检测注入后的薄膜中是否形成了 C- N化合物 .结果表明注入后的薄膜中存在有 3种化学键态的 C- N化合物 ,且低能离子注入更有利于 C- N化合物的形成 .由于在注入区内形成了大量的 C- N单键 ,这有利于β- C3N4 的合成 .对 C-

氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯．质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有Ｃ５９Ｎ、Ｃ５９Ｎ２、Ｃ５９Ｎ４、Ｃ５９Ｎ６以及Ｃ７０Ｎ２等分子团簇，对蒸发制备的薄膜进行３小时２００℃退火测得其室温电导率为１．０×１０－６（Ｓ／ｃｍ），激活能为０．６９ｅＶ（常温），０．５６ｅＶ（高温）．

离子注入制备量子光电材料的研究

对由量子限域效应引起的硅纳米晶粒的强烈光致发光现象、离子注入技术制备量子光电材料及其在光电子器件应用领域的优势和前景作了评述和探讨．

钇硅化物的合成及相变研究

利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160℃时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240℃则对应着YSi-YSi2的相转变点。

加州理工学院物理学人才培养模式特点及启示

加州理工学院以其独特的人才培养模式,造就了一批杰出的科技人才,尤其在物理学领域取得了突出的科学成就。文章通过分析加州理工学院物理学人才培养模式的特点,从人才培养理念、教师队伍建设、专业课程设置以及研究型学习等方面,对我国高校物理学人才培养的改进提出几点建议:培养学生重视科学研究,师资力量的选拔和培训,交叉学科的设置以及培养学生动手能力和团队合作的精神。

溶胶-凝胶法制备K-N共掺ZnO薄膜的结构及光学特性

采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上生长了K与N共掺的ZnO薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜样品的结构和光学特性进行了研究。结果表明,溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构。随着K掺杂浓度的增大,薄膜的结晶性变好,组成薄膜的颗粒变大,并表现出c轴择优生长特性,同时掺杂导致的氧空位缺陷也在增加,使得绿光发射增强,薄膜的光学带隙先增后减。

光谱分析气体状态对近空间升华沉积CdTe多晶薄膜的影响

在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜, 沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质. 文章首先分析了近空间沉积的物理机制, 测量了近空间沉积装置内的温度分布, 使用氩氧混合气体为工作气体, 其中重点讨论了该气体状态(包括气氛和气压)与薄膜的初期成核的关系, 即择优取向程度和光能隙与气氛和气压的关系. 结果表明, (1)不同气氛下沉积的CdTe薄膜均为立方相结构. 随氧浓度的增加, σ增加, 氧浓度为6%时, σ最大, 之后随氧浓度增加, σ降低, 在12%达到最小, 然后随氧浓度的增加而增加, 在氧浓度为9%时沉积的结晶更完整. CdTe薄膜的光能隙为1.50～1.51 eV; (2)在氩氧气氛下氧浓度为9%, 不同气压下制备的样品, 均有立方相CdTe, 此外, 还有CdS和SnO2:F衍射峰. CdTe晶粒随气压增加有减小趋势, 随气压的增加, 透过率呈下降趋势, 相应的CdTe吸收边向短波方向移动; (3)在氩氧气氛下氧浓度为9%, 采用衬底温度550 ℃, 源温度620 ℃, 沉积时间4 min时制备的CdTe多晶薄膜获得了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的集成电池.

纳米粉预处理的CVD金刚石薄膜成核与生长研究

研究了纳米金刚石粉预处理的光滑硅衬底上CVD金刚石薄膜的成核与生长．通过与研磨处理样品相比较，纳米金刚石的预处理极大地提高了成核密度（可达109／cm2）、成核速度与成膜质量，并能方便地进行成核密度的控制，是一种经济实用、简单有效的预处理方法．

电润湿的研究进展

介绍了电润湿的研究背景以及基本理论和基于电润湿的单层结构彩色显示和三层结构彩色显示的基本原理。将电润湿显示的能耗、性能表现、色彩等与其他显示技术进行了比较,可以看到电润湿显示具有低能耗,相应时间快,色彩丰富等特点。它被认为是未来可能被广泛应用的显示技术之一。介绍了电润湿在其他方面的应用和所面对的困难与前景。

纳米金刚石颗粒涂层的场电子发射

金刚石具有优异的电子、机械和化学性能，特别是表面的负电子亲和势（ＮＥＡ）特征使其成为真空微电子器件的理想冷阴极材料，可望在平面显示器等领域得到广泛的应用．近十年来对天然金刚石、ＣＶＤ金刚石膜和类金刚石碳（ＤＬＣ）膜以及它们在Ｓｉ和Ｍｏ等基材上的涂层［...

多孔β-SiC薄膜的蓝光发射

通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了 β SiC薄膜 ,用HF酸 (40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对 β SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理 ,形成了多孔 β SiC(PSC)薄膜 .利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光 (PL)特性 ,用原子力显微镜 (AFM)和扫描电子显微镜 (SEM )观察了样品腐蚀前后的表面形貌 .结果表明 :多孔 β SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性 ;通过改变腐蚀时间 ,可以改变蓝光发射的强度 ,也可以观察到蓝光 红光同时发射的现象 ;降低HF酸的浓度 ,蓝光发射峰明显变弱 ,并对多孔 β SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论 .

Xe^23＋离子辐照Al 2O 3的光谱特性

本工作研究460 keV、3 MeV和308 MeV Xe^23＋辐照Al2O3单晶样品的光致发光特性。从经过460 keV Xe^23＋辐照后样品的光致发光测试结果可看到,波长为380、413和450 nm的发光峰明显增强,在390和564 nm处出现了新的发光峰。从3 MeV的Xe^23＋辐照后样品谱的变化可看到,在较低剂量条件下,516 nm（2.4 eV）和564 nm（2.2 eV）处的发光峰随辐照剂量增加而增强,且当剂量增到1×10^16cm^-2时,564 nm处的发光峰消失,只有516 nm（2.4 eV）处的发光峰较强。从308 MeV Xe23＋辐照后样品的光致发光谱中可看到,357 nm（3.47 eV）和516 nm（2.4 eV）处的发光峰随着剂量增加明显增强。辐照后样品的FTIR谱显示：波数在460-510 cm^-1和630 cm^-1附近的吸收是Al2O3振动模式,经离子辐照后,吸收带展宽;1 000-1 300 cm^-1间为Al—O—Al桥氧键的伸缩振动模式,高能辐照后的吸收带向低波数方向移动。

太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能

在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中,薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜。通过分析近空间沉积的物理机制,测量近空间沉积装置内温度分布,对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe,此外,还有CdS和SnO2:F衍射峰,CdTe晶粒随气压增加有减小趋势;随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成电池。

不锈钢衬底两面同时液相电沉积类金刚石薄膜及其沉积机理研究

为了利用液相电沉积技术实现在金属衬底表面全方位电沉积类金刚石(DLC)薄膜,采用不同尺度的不锈钢片作为衬底,在表面电沉积了DLC薄膜,利用X射线光电子能谱、Raman光谱和扫描电子显微镜分别对衬底两面薄膜的化学成分、微观结构和表面形貌进行了分析。结果显示:对于尺度大于石墨阳极的不锈钢衬底,仅在衬底正对着阳极的一面实现了DLC薄膜的沉积;而对于尺度小于阳极的不锈钢衬底,在衬底两面都有DLC薄膜沉积,且两面薄膜结构相似,形貌相近。利用准静态电场理论对实验结果进行了解释,提出在金属衬底表面实现液相电沉积DLC薄膜的前提条件是存在垂直于衬底表面的电场分量,为进一步实现在复杂形状的导电性衬底表面沉积DLC薄膜提供了理论依据。

RTV胶在空间高压阵二次放电防护技术中的应用研究

室温硫化硅橡胶(RTV胶)可以有效防止空间高压太阳阵产生二次放电事件。本文以地面模拟实验为基础,研究RTV胶在空间高压阵抗二次放电方面的防护作用。实验表明RTV胶明显提高了高压阵二次放电阈值电压；经高能电子辐照后,RTV胶防护样品串间发生耦合放电。通过对经高能电子辐照前后样品RTV胶的红外分析对比,讨论了空间高能电子辐照环境对RTV胶防护二次放电性能的影响。

铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光

利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN∶Tb薄膜。XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4.8 nm;紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75%,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3.07 eV;测量了薄膜的室温光致发光谱,获得了Tb3+在可见光区(位于497.0,552.4,594.2以及627.8 nm)的本征发光。

纳米TiO_2颗粒的水解制备及其光催化性能研究

将钛酸四丁酯分别加入HCl、CH3COOH、NH3·H2O和NaOH溶液中直接水解,然后在500℃下空气中煅烧得到不同结构的TiO2纳米颗粒.用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HR-TEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱对其结构进行了表征,用紫外可见分光光度计(UV)研究了不同结构的纳米TiO2颗粒对罗丹明B染料的催化降解行为.结果表明,直接水解得到的TiO2为锐钛矿相,其形貌随水解溶液的不同而不同.CH3COOH溶液中水解得到的纳米TiO2颗粒具有良好的光催化效果,这主要是由其优良的表面微观结构所致.

两步氧化法制备ZnO薄膜及其光催化特性研究

本文采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积Zn膜,然后在氧气中通过两步热氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外透过光谱等表征技术,研究了氧化温度对ZnO薄膜结晶质量和光学性能的影响。研究结果表明,两步氧化法在400℃下氧化1 h后的样品中除含有ZnO成份外,还有少量金属Zn存在;525℃下氧化1 h可以制备出疏松多孔的ZnO薄膜,其在紫外光和可见光范围内的透过率可达85%。通过太阳光和紫外光(254 nm)催化降解苯酚实验,发现两步氧化法制备的ZnO薄膜具有良好的光催化特性:太阳光照10 h后苯酚降解率达到56%,紫外灯下苯酚降解率高达86%。此外,ZnO薄膜的光催化重复利用实验表明,经过H2O2溶液清洗干燥处理后,ZnO薄膜可以基本恢复其光催化能力,此特性为ZnO薄膜的重复利用提供了很好的实验依据。