铯掺杂提升反梯度结构二维(CMA)_(2)MA_(8)Pb_(9)I_(28)钙钛矿薄膜及太阳电池的性能

相对于3D钙钛矿材料,二维(2D)有机-无机杂化钙钛矿材料具有更好的稳定性.然而由于载流子输运性差,2D钙钛矿太阳电池效率较低.为了提高2D钙钛矿太阳电池的效率,制备了铯掺杂的具有反梯度结构的二维(CMA)_(2)MA_(8)Pb_(9)I_(28)薄膜.研究结果发现:CsI掺杂能够改善(CMA)_(2)MA_(8)Pb_(9)I_(28)薄膜的形貌、增加晶粒尺寸、降低缺陷态密度,并且提高了(CMA)2MA8Pb9I28钙钛矿薄膜的热稳定性.最后,CsI掺杂浓度为10%时制备(CMA)_(2)MA_(8)Pb_(9)I_(28)钙钛矿太阳电池效率最高,达到了14.67%,相对于未掺杂的电池效率(10.06%)提高了45.8%.

机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进

采用辅助超声方法较好地解决了埋栅硅太阳电池化学镀铜经常发生槽内空洞和镀不满的现象 ,使电池串联电阻由 0 .5Ω降为 0 .1Ω .在化学镀银过程中 ,采用聚四氟乙烯材料作容器 ,避免了银沉积容器内壁 .镀液中加入络合剂 -氨水 ,可较好地控制反应 。

染色腐蚀法制备多晶硅的绒面

为了降低光的反射 ,应用染色腐蚀法制备多晶硅的绒面 .对多晶硅的绒面进行了反射率和 SEM形貌测量 .在适当的腐蚀液中制备的 3× 3 cm2的多晶硅 ,其表面反射率在 3 0 0～ 1 0 0 0 nm波长范围为5 .7% .

椭偏光谱法研究不同硅烷浓度制备微晶硅薄膜的微结构和生长机制

本文采用VHF-PECVD技术制备了两个不同硅烷浓度(SC)系列的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了微晶硅薄膜的微结构和表面粗糙度随沉积时间的变化。实验结果表明:随着薄膜厚度的增加,两个系列硅薄膜的晶化度增加,当薄膜增加到一定厚度时内部开始出现微空洞,这是由于随着薄膜厚度的增加,薄膜晶化度增加,晶粒增大,大晶粒边界之间更容易形成空洞。硅薄膜的表面粗糙层厚度ds与薄膜厚度d满足指数关系:ds^dβ,β为生长指数,与薄膜生长机制有关,当硅烷浓度SC为4%时,β=0.33,对应有限扩散生长模式。硅烷浓度SC为5%时,β=0.52,对应为零扩散随机生长模式。硅烷浓度降低,生长指数β减小,这是由于随着硅烷浓度的降低,氢原子浓度增加,薄膜表面氢覆盖扩大,从而有利于反应前驱物的扩散,因此薄膜表面更为光滑,生长指数β减小。

双棱镜的锐角及折射率测量实验探析

该文分析了双棱镜各面反射分光计望远镜筒小十字丝成像的光路,结合课堂教学实践,讨论了自准直法测量双棱镜锐角和折射率,学生在实验操作中出现的问题和原因。

化学腐蚀法制备多晶硅的绒面

为了降低光在多晶硅表面的反射,采用化学腐蚀法在其表面制备了绒面。根据反射光谱的测试结果,研究了不同多晶硅绒面的形貌特征及光学特性。在适当的腐蚀液中制备了3×3cm2、5×5cm2和10×10cm2多晶硅绒面。10×10cm2多晶硅绒面,在300～1100nm波长范围内的加权反射率的最好结果为5 2%,表面织构均匀,这一结果可以和具有双层减反射膜的多晶硅表面的反射率相比拟。

功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响

在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.

射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化,使微晶硅薄膜沉积速率达到了3/s左右。

电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究

利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3nm/min的条件下制得透过率T>81%,电阻率ρ=1.9×10-3Ω·cm的ITO透明导电膜。另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化。

本征纳米硅薄膜的微结构表征

采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman光谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶化率拐点温度越低。平均晶粒尺寸、晶化率随衬底温度的升高具有相似的变化规律,谱中出现的拐点温度一致,暗示它们之间存在紧密的联系。从薄膜生长角度对该实验结果作了合理解释。

优秀男子业余拳击运动员颈椎损伤流行病学调查及X线特征分析

目的:研究优秀男子业余拳击运动员颈椎损伤情况,分析其常见症状、体征的分布特征及X线特征。方法:以国家拳击队、河南省拳击队61名优秀男子业余拳击运动员为研究对象,由运动创伤专业医师对其进行颈部损伤的症状调查和体征检查;并为其中30名有头部受重击受伤史且伴有颈痛症状者拍摄颈椎X线正侧位、双斜位片进行观察和测量。对所获数据进行统计分析。结果:共计61例样本中,有头部受重击史49人,占80.3%。列前4位的症状依次是颈痛(68.9%)、颈性头晕(62.3%)、颈性头痛(49.2%)和颈部活动受限(39.3%)。C2棘突旁压痛、C2-3小关节压痛、枕下三角压痛等3个阳性体征出现频率最高,皆为38人(62.3%);颈性头痛、颈性头晕、颈痛、颈部活动受限、枕下三角压痛、C2棘突压痛、C2-3小关节压痛等7个症状和体征的发生与头部受重击密切相关。30例X线样本中,棘突偏离中线以C2最多(96.7%),棘突偏歪整体分布自上而下逐渐减少;小关节双边征以C3-4分布频率最高(53.3%);颈曲均值为26.59±1.93°,明显小于正常人群;椎间孔狭窄以C3-4最多(40%)。结论:优秀男子业余拳击运动员颈椎损伤特点是上位颈椎损伤几率较高;X线特征是棘突偏歪自上而下逐渐减少,小关节双影以C3-4出现率最高,颈椎曲度明显小于普通人群,C3-4和C4-5椎间孔狭窄发生率较高;头部受重击是拳击运动员颈椎损伤的主要致病因素之一。

高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)

通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。

RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜

利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量.

快速光退火对ITO薄膜结构和性能的改善

利用电子束蒸发技术在常温下制备ITO透明导电膜,在这种条件下很难得到性能良好的透明导电膜,试图通过研究快速光热退火下退火温度、退火时间对其性能的影响,致力于在低温退火工艺下改善薄膜性能。通过对退火后样品禁带宽度的计算得出随着退火温度或退火时间的增大,禁带宽度逐渐增大;对样品的微结构分析发现随着退火温度的提高或退火时间的延长,样品的微结构致密性提高,各晶向面间距和晶格常数逐渐趋于标准的晶体;但退火温度过高或退火时间过长反而不利于透明导电膜性能的提高,所以选取合适的退火温度和退火时间是光退火下透光性和导电性都得到提升的关键。在200°C的退火温度下,退火12 m in可实现样品的透光率在可见光范围内达到82%,电阻率ρ=2.3×1-0 3Ω.cm。

磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响。研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿(HQD)模型合理解释。少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高。

拳击运动员第二腕掌关节半脱位的康复效果

第二腕掌关节半脱位常导致周围韧带关节囊的损伤和本体感觉的缺失,神经肌肉控制减弱,引起第二腕掌关节不稳,在运动员重复击打沙包和打击对手头面部时易反复错动刺激滑膜引起不同程度的滑膜炎,导致局部疼痛,严重影响运动员的正常训练和比赛。恢复神经肌肉控制、最大限度地恢复关节稳定是运动员重返训练场和赛场的先决条件，故康复治疗方法的研究在当前备战北京奥运会的背景下显得异常重要。作者与国家拳击队教练员、运动员一起研究设计了一套康复治疗方法，现报告如下。

硅薄膜晶化机制的光学分析

采用拉曼光谱和分光光度计等测试手段,对快速光热过程(RTP)和常规炉过程(CFP)退火后的硅薄膜结构性能和光学性能进行了研究。用Avrami-Mehl-Johnson和Monte Carlo晶体生长模型和黑体辐射理论分析得出,RTP法退火温度低、速度快的原因,是RTP中不仅存在“光量子效应”,而且还存在“光热相长效应”。由光学带隙的计算得知,RTP退火法可使带隙约为1.7eV的非晶硅薄膜变为带隙约为1.28eV的微晶硅薄膜,说明RTP退火达到了较好的结晶效果。

掺铝氧化锌薄膜表面织构机制的研究

采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究。研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成。它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键。

衬底H等离子体预处理时间对微晶硅薄膜生长的影响

本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了衬底表面预处理时间对微晶硅薄膜的微结构及其生长的影响。实验结果表明:随衬底预处理时间(0~10min)的延长,薄膜的晶化率从14%提高到44%;薄膜表面的硅团簇尺寸减小,在衬底预处理10min时,薄膜表面的粗糙度较小。在衬底未预处理与预处理10min时,在相同的沉积参数下,沉积两系列不同生长阶段硅薄膜的生长指数接近。原因是H等离子体预处理使衬底表面的原子氢增多,有利于成膜先驱物在衬底表面的迁移,影响薄膜的初期成核,使薄膜易于晶化。

不同沉积气压制备微晶硅薄膜的表面粗糙度标度行为研究

采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明:沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明:在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素(如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大).