一种新型两维霍尔角度传感器研究

本文研制了一种无触点的十字型两维集成垂直霍尔器件 ,它对平行于芯片表面的磁场敏感 .当与被测转角 α的物件轴向相固连的径向永久磁铁转动时 ,平行于芯片表面的磁场分量 Bx、By大小将发生相对变化 ,以致集成的两对霍尔板输出电量也产生相应地变化 .这时传感器件给出了相对于被测量角度 α的两种信号电压 ( sinα和 cosα) ,通过 arctgn( Vx/ Vy)可求得转角 α,从而达到测量角度的目的 .测量结果表明利用该角度传感器件与 PC机组成的测量系统其测量角度的精度可达±

一种新型磁敏集成角度传感器及其测量系统

研制了一种无触点的十字形两维集成垂直霍尔器件 ,它对平行于芯片表面的磁场敏感。当与被测转角θ的物件轴向相连的径向永久磁铁转动时 ,传感器给出了相对于被测角度的两种信号电压 ,通过接口电路和PC机组成的非接触式测量系统把信号转换为转角θ。测试结果表明该角度传感器及其测量系统的测量精度在 0°～ 36 0°范围内可达±

一种新的通用味觉定量测试系统的设计

根据可兴奋性人工膜对不同味道敏感的原理，本文选用十六烷基三甲基溴化铵＋乙醇／含苦味酸的二氯甲烷／蔗糖水溶液为研究体系，在油水界面上建立可兴奋性人工膜。利用基于模糊处理的多信息溶合方法，提出了一种通用的计算机味觉定量测试系统。以测量醋酸浓度为例，得到了其测试误差小于10％的结果。同时，本文讨论了该测试系统的软硬件组成和多信息溶合的特点。

国际固态传感技术的发展

第七届固态敏感器和执行器国际会议(The 7th International Conference On Solid-State Sensors and Actuators)于1993年6月7日至10日在日本横浜举行.

多孔硅微机械技术的薄膜量热传感器结构研究

多孔硅的形成和刻蚀技术是一项新型的表面微机械加工技术，我们以多孔硅为牺牲层，利用多孔硅的选择性生长机理，以及利用在高阻衬底上横向形成速率大于纵向形成速率的特点，得到了距衬底很深的微桥、微梁、微沟道等微结构，并设计研制了一种绝热式量热传感器。

单片电可控离散域滤波器电路

本文介绍了数字和电阻编程有源滤波器电路的设计方法,并给出了N沟硅栅E/D MOS工艺参数和一些基本测试结果。

线性霍尔IC的温漂和失调电压补偿设计

例举了实现电路的输出电压温度漂移补偿和失调电压补偿的一些措施,介绍了作者在电路结构设计、工艺参数选择和版图设计等方面的一些考虑。实验结果表明,通过补偿设计,实际电路的温度漂移为≤0.2％℃,失调电压漂移为 100～200mV,符合使用要求。

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段.

硅-MOS型三维磁场敏感器结构研究

本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10^(-2)T^(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10^(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。

一种新型微机械热导压力敏感器及其数值模拟

本文研究了一种新型微机械ＣＭＯＳ热导压力敏感器。其压力测量范围是０．００１－１００Ｔｏｒｒ。整个量程范围内，多晶硅热敏电阻相对变化（即灵敏度）优於３０％。为使敏感器结构性能优化，我们首次开发了一软件包对器件热电性能进行数值模拟。三维模拟问题被简化为两个２－Ｄ模拟，并将由稳态能量平衡得到的方程组离散化用非线性Ｇａｕｓｓ－Ｓｅｉｄｅｌ算法迭代求解。器件灵敏度的模拟结果和实验值相吻合。文中还对温度分布进行了计算，对材料的热电常数和器件几何尺寸的影响做了分析。

悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4～ 7d B(1～ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。

高速基2FFT处理器的结构设计与FPGA实现

本文研究了采用AISC来实现高速实时基2FFT处理器的设计方案。在实现中采用了单基2定点内核,设计了防溢出控制结构,在不增加系统延时的基础上,提高了运算精度。设计了对称乒乓RAM结构,在保证蝶形运算核的占用率的条件下,提高了该FFT处理器的连续运算能力。将RAM集成在FFT处理器内部,提高了使用的灵活性。本文所设计的FFT具有可配置特性,可根据需要计算2的幂次方的FFT。256点的FFT运算只需1072个时钟周期,在VertexII-xc2v1000上综合实现,频率可达112.007MHz,完成整个256点的FFT运算仅需9.57μs。

RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究

目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响。MEMS开关的梁结构 完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除。实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿 法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法。

微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究

文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层。测试结果表明,研制的微机电开关在0.5～5GHz的范围内插入损耗为2dB,隔离度达30～50dB。

基于CORDIC的一种高速实时定点FFT的FPGA实现

本文论述了一种利用CORDIC算法在FPGA上实现高速实时定点FFT的设计方案。利用CORDIC算法来实现复数乘法,与使用乘法器相比降低了系统的资源占用率,提高了系统速度[1]。设计基于基4时序抽取FFT算法,采用双端口内置RAM和流水线串行工作方式。本设计针对256点、24位长数据进行运算,在XilnxSpartan2E系列的xc2s300e器件下载验证通过,完成一次运算约为12μs,可运用于高速DSP、数字签名算法等对速度要求高的领域。

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW)

基于遗传蚁群算法的片上网络映射研究

基于2DMesh结构的片上网络在设计之初就要考虑模块映射问题,以满足通信功耗的约束。提出一种基于遗传蚁群映射算法的方法解决片上网络设计中通信功耗最小化问题。该算法针对标准蚁群算法易于出现早熟停滞等缺陷,引入轮盘赌选择机制及染色体杂交等手段,使映射功耗函数快速收敛,达到良好的全局寻优效果。

UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计

提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。

用于MEMS的叠层光刻胶牺牲层技术(英文)

研究了用于制备悬空结构的叠层光刻胶牺牲层工艺.讨论了工艺中常遇到的烘胶汽泡、龟裂、起皱、刻蚀电镀种子层时产生的絮状物和悬空结构释放时的粘附等问题,并提出了相应的解决办法.借助于分层刻蚀法和逐步替换法,用叠层光刻胶作牺牲层并利用湿法释放技术,制备得到了长1400μm、厚6μm、宽40μm、悬空高为10μm的完好的悬臂梁结构.

微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究

讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性。