高功率端面泵浦腔内倍频瓦级绿光激光器

为实现大功率稳定的 5 32nm绿色激光输出 ,通过采用 4镜Z型腔结构 ,激光二极管双端面泵浦Nd∶YVO4 晶体 ,LBO晶体Ⅰ类角度匹配、腔内倍频的方法 ,在双端总的抽运光功率约为 2 6W时 ,成功地获得了4.2W稳定的基模绿光输出 ,光 光转换效率达到 17.6 %。更重要的是所使用的全部仪器均国产化 ,表明有能力将瓦级全固态绿光激光器进行商品化。

LD端面泵浦全固态绿光激光器耦合系统研究

目的 为了研究泵浦光与基模光的模式匹配问题。方法 利用矩阵光学方法,推导了高斯光束经耦合系统聚焦后束腰宽度和像距的计算公式。结果 计算出了焦点位置与晶体端面的距离。结论 以此计算结果为依据,实现了8 0W的532nm绿光激光输出。

光子晶体的微腔特性

为了设计一种高品质因子的光子晶体微腔和研究单缺陷光子晶体微腔谐振模波长随晶格常数的变化规律,使用时域有限差分法(differencetime domainmethod)和基于Baker算法的Pad啨近似方法计算了半导体材料上空气孔阵列光子晶体微腔的谐振模波长和品质因子.得到的新型光子晶体微腔的品质因子达246510,单缺陷光子晶体微腔模波长随晶格常数a和孔半径r的近似为线性变化关系:当孔半径r为一常数时,表现为晶格常数改变1nm,谐振波长变化约3nm,为实际制作光子晶体微腔激光器提供了理论指导.

LD端面泵浦折叠腔Nd:YVO4/LBO激光器

对端面泵浦Nd∶YVO4 构成的四镜Z型折叠腔结构进行了理论研究 ,合理调整谐振腔的参量关系 ,使谐振腔能够适应不同泵浦功率下激光晶体热焦距的变化 ,同时所设计的折叠腔还具有腔参量调整灵活等特点 以LBO晶体为倍频晶体 ,采用Ⅰ类角度调节位相匹配技术 ,在双端泵浦光功率为 2 6W时 ,成功地获得了 4W稳定的连续绿光输出 Nd∶YVO4 /LBO绿光激光器输出为 4W时的稳定性为 1.3% ,其光 光转换效率达到 13%

半导体激光端泵腔内倍频Nd:YVO_4/LBO连续波8W绿光激光器(英文)

利用两个半导体激光二极管 ,双端泵浦Nd∶YVO4 晶体 ,LBO采用I类非临界相位匹配、腔内倍频 在 2 8.9W的泵浦功率下 ,获得了 8W连续波 0 .5 32 μm绿光输出 ,其光—光转换效率为 2 7.7%

高功率端面泵浦Nd∶YVO_4/LBO绿光激光器的研究

为了减少单端高功率泵浦造成的增益介质吸收不均匀性,采用双端泵浦折叠腔结构.折叠腔的模参数调整灵活以及腔内有效空间大,腔内倍频可以降低阈值,提高了全固态激光器对于泵浦光的利用率.对端面泵浦钒酸钇与三硼酸锂构成的四镜Z型腔结构进行了理论研究,分析了Z型折叠腔产生像散的各种因素,合理地优化了腔的各个参数关系,并且在实践中采用三硼酸锂晶体Ⅰ类角度调节相位匹配,在抽运光功率为25W时,成功地获得了3 3W的稳定绿光输出,光-光转换效率达到了14 3%.

利用光子晶体提高InP基LED出光效率

应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.

非线性光学晶体LBO位相匹配高功率绿光激光器

目的 对非线性光学晶体LBO的倍频属性以及影响倍频效率的各种因素进行理论分析与实验研究。方法 光与物质相互作用的耦合波方程和非线性光学晶体倍频时满足的相位匹配条件。结果 在激光二极管双端泵浦Nd∶YVO4腔内倍频绿光激光器的实验中,对于两种不同匹配方式倍频的LBO晶体的倍频特性进行了研究。采用I 类角度位相匹配晶体倍频时,抽运光功率约为26W时,获得了最大输出为4.2W的稳定基模绿光,光 光转换效率达到18%;采用I 类非临界位相匹配晶体倍频时,抽运光功率约为28.9W时,获得了8W稳定的基模绿光输出,光 光转换效率达到31%。结论 通过对于LBO晶体倍频特性的理论分析与实验研究,使Nd∶YVO4/LBO激光器获得了较高的输出功率和具有较高的转换效率。

光子晶体垂直腔面发射激光器特性研究

本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展,重点评述了光子晶体垂直腔面发射激光器的优良特性及应用前景。我们认为光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速调谐特性,可在二维光信息处理的GaAs基近红外波段激光器、面阵集成等方面具有很大的应用潜力。

光子晶体器件研究进展

本文简述了光子晶体的基本概念和性质,重点阐述了用光子晶体制作的各类有源和无源器件.这些器件包括:微腔、激光器、发光二极管、波导、光纤和滤波器等,解释了器件的工作原理.

光子晶体垂直腔面发射850nm波长激光器研究

文章报道了国内首次研制成功的光子晶体垂直腔面发射850nm波长激光器,实现了连续电注入激射.发现器件能否激射直接依赖于光子晶体结构参数,而激光器的阈值、输出功率、输出模式等与光子晶体的晶格常数、占空比、腔的大小等因素有关.

GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器

成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现器件能否激射依赖于光子晶体参数，而激光器的阈值、出射功率、出射模式与光子晶体的晶格常数、占空比、缺陷大小等因素有关．