Sr_(3)ZnNb_(2)O(9):0.3Eu^(3+),xNa^(+)荧光粉的合成和发光性能研究

本文通过高温固相反应成功制备了Sr_(3)ZnNb_(2)O(9)∶0.3Eu^(3+),xNa^(+)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)系列荧光粉。X射线衍射分析和精修结果表明,Eu^(3+)和Na^(+)成功掺杂到Sr_(3)ZnNb_(2)O(9)基质中,并部分取代了Zn^(2+)。采用扫描电子显微镜测试了样品的微观形貌和元素分布。光谱特性和热稳定性研究表明,Na^(+)的最佳掺杂浓度为x=0.2,Na^(+)的引入提高了Sr_(3)ZnNb_(2)O(9)∶0.3Eu^(3+)荧光粉的热稳定性,活化能为0.163 eV。计算出Sr_(3)ZnNb_(2)O(9)∶0.3Eu^(3+),0.2Na^(+)样品的CIE色坐标为(0.618,0.376),相关色温和色纯度分别为1855 K和98.46%。

高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜

β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝石衬底上成功制备了β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)纳米薄膜。利用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。由于高温下蓝宝石衬底中的Al原子向Ga_(2)O_(3)层扩散,β-Ga_(2)O_(3)薄膜将转变为Al、Ga原子比例不同的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜。实验结果显示:当退火温度从1 010℃增加到1 250℃时,薄膜中Al的平均含量从0.033增加到0.371;当退火温度从950℃增加到1 250℃时,薄膜的厚度从186 nm增加到297 nm,粗糙度从2.31 nm增加到15.10 nm;当退火温度从950℃增加到1 190℃时,薄膜的带隙从4.79 eV增加至5.96 eV。结果表明高温扩散工艺能够有效调节β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜的光学带隙,为β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)基新型光电子器件提供了实验基础。