SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度引起的栅氧可靠性问题成为制约SiC MOSFET器件规模化应用的关键瓶颈。通过对近年来国内外SiC MOSFET栅氧可靠性研究成果的梳理和分析,阐述了当前栅氧可靠性问题的形成原因,归纳总结了各类常用的栅氧可靠性评估方法,并进行了比较分析,最后重点探讨了极端工况下SiC MOSFET栅氧可靠性及其提升技术的发展现状。

盘龙七片配合腰椎小关节松解治疗风湿痹阻型腰椎管狭窄症

目的：探讨盘龙七片配合腰椎小关节松解术治疗风湿痹阻型腰椎管狭窄症的临床疗效.方法：自2012年2月至2013年2月,对120例风湿痹阻型腰椎管狭窄症患者的临床资料进行回顾性研究.按治疗方法不同将120例腰椎管狭窄症患者分为盘龙七片组和对照组,各60例.盘龙七片组男26例,女34例;年龄46 ～65岁,平均（60.40±3.36）岁;病程2～15年,平均7.6年,采用口服盘龙七片配合腰椎小关节松解治疗.对照组男24例,女36例;年龄48～63岁,平均（61.20±2.47）岁;病程3～14年,平均6.9年,单独腰椎小关节松解治疗.分别于治疗前、治疗后4周、3个月随访时采用JOA评分（15分法）和Oswestry下腰痛功能障碍指数（ODI）对患者的临床疗效进行评价.结果：所有患者获得随访,时间4～7个月,平均5.6个月.术后3个月时,对照组有7例症状复发,盘龙七片组仅1例复发.治疗后4周及3个月时,盘龙七片组ODI、JOA评分明显优于对照组（P＜0.05）.结论：对于风湿痹阻型腰椎管狭窄症患者,采用腰椎小关节松解配合口服盘龙七片法,辅以腰背肌功能锻炼,可缓解腰部及下肢疼痛症状,改善下腰椎功能状态,是保守治疗此类疾病的良好治疗手段.

1200V SiC MOSFET晶体管的高温可靠性研究

高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明:所研制的1 200 V SiC MOSFET器件在经过168 h的HTGB和HTRB可靠性试验后,所有测试器件的击穿电压>1 200 V,阈值电压偏移量<15%,导通电阻偏移量<15%,显示出优良的器件鲁棒性,也初步证明了国产SiC MOSFET器件的设计、工艺及其研制的可行性。

西文连续出版物沿革分析及机读目录著录

文章从西文连续出版物题名变化分析入手联系ＵＳ—ＭＡＲＣ格式连接款目各字段的具体著录，对西文连续出版物历史沿革的机读目录著录进行了探讨。

超高压SiC电力电子器件及其在电网中的应用

碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器件,突破了传统硅基器件在耐压、工作频率以及转换效率等方面的性能极限,从而使电力系统功耗降低30%以上,在"大容量柔性直流输电"、"高效高体积功率密度电力电子变压器"等未来新一代智能电网领域具有非常广泛的应用前景。首先介绍超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中应用的重要性,对近年来国内外超高压碳化硅电力电子器件(>10 kV)的结构设计、研制水平、最新进展以及其面临的挑战进行分析总结,并对超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中的应用及未来的发展前景做出概述与展望。

OA期刊与高校图书馆期刊工作

OA期刊具有可以通过公共互联网自由免费获取的特点,因此必然会对高校图书馆的期刊工作产生越来越大的影响。本文分析了OA期刊对高校图书馆期刊工作的影响,并提出了如何充分利用OA期刊资源提升馆藏资源的质量与服务的相关措施。

微电子工艺课程中TCAD技术应用的教学探讨

本文主要指出了在微电子工艺技术发展日新月异的形势下,在高校微电子工艺课程的教学中引入TCAD技术进行辅助教学的必要性,探讨了在微电子工艺的理论和实验教学中TCAD技术应用的方法和措施,从而提高专业教学质量、提高学生的实际工作能力和专业素质,适应当今社会对人才培养的需求。

高校图书馆西文期刊书目数据合并

分析了高校图书馆合并后对期刊书目数据进行合并的原因、重要性及工作内容,具体研究了西文期刊书目数据的合并方法。

微量硼的测定方法研究进展

综述了测定微量、痕量硼的各种方法,如分光光度法、电感耦合等离子体原子发射光谱法、电感耦合等离子体质谱法等方法的特点,并说明了其测定微量硼的应用领域。并对微量硼的测定技术进行了展望。

研究型门诊构建模式探索

为更好开展国家中医临床研究基地重点病种建设与"中医医疗与临床科研信息共享系统"建设,湖北省中医院构建了研究型门诊。研究型门诊以"真实世界中医临床科研范式"为建设理念,从临床研究、健康管理与特色诊疗3方面探索研究型门诊构建模式。

宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。

氮化镓功率半导体器件技术

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。

宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望。

水合二氧化铈的制备、表征及对硼的吸附研究

水合金属氧化物作为一类无机离子交换剂,对特定的离子具有良好的吸附选择性。采用沉淀法合成了水合二氧化铈以用于分离含硼废水中的微量硼,并对其进行了水热处理研究,对合成的样品进行了XRD,FT-IR,TG-DTG和比表面-孔径分布等一系列表征。结果表明,所合成的水合二氧化铈对硼具有良好的吸附效果,较常用的硼特效树脂对溶液中的微量硼具有更高的吸附容量,其吸附过程符合Langmuir吸附等温模型。

锂离子电池正极材料Li(Mn_xFe_(1-x))PO_4的合成及电化学性能的研究

采用高温固相法合成了组成为Li(MnxFe1-x)PO4(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0)的锂离子电池正极材料。通过对合成样品的XRD、SEM及电化学性能(循环性能,大电流放电性能)的研究表明,少量Mn的掺杂未影响到LiFePO4的晶体结构,但显著改善了它的电化学性能。Li(Mn0.2Fe0.8)PO4与LiFePO4材料相比有更好的电化学性能,在低放电倍率(电流密度为20mA/g)时,放电容量为150mAh/g,当放电倍率提高到2C时,放电容量仍可达113mAh/g,且循环性能良好。

火焰原子吸收和发射光谱法测定盐湖卤水的锂钠钙镁离子

用火焰原子吸收和发射光谱测定了盐湖卤水中锂、钠、钙、镁的含量,考察了酸度对测定结果的影响及各离子相互之间的干扰,并对上述两种方法的优缺点分别进行了探讨。各方法的灵敏度在0.04mL/μg^0.66mL/μg之间;各离子的加标回收率介于99.8%~107.2%,各测定方法的RSD均小于3%。

硼酸锌阻燃剂的性质、制备方法及其阻燃机理

对硼酸锌的性质、制备工艺、阻燃机理等进行了简要的评述,并结合我国青海省资源状况,对阻燃剂硼酸锌的发展提出了建议。

氢氧化镁粉体的表面改性研究

主要研究了氢氧化镁的湿法表面改性的工艺过程,用浊度分析方法对改性效果进行了比较,确定了最佳工艺条件。实验结果表明:最佳改性剂为硬脂酸钠,改性剂用量为6%(质量分数),改性温度为85℃,改性时间为20 m in。同时,最佳条件下改性样品的红外光谱分析表明:最佳改性条件下,硬脂酸钠有效包覆在氢氧化镁粒子表面,使氢氧化镁表面有机化,增强了氢氧化镁粉体与有机体的亲和性,这对于制取添加型的氢氧化镁阻燃剂具有指导意义。

溶剂热改性法制备亚微米级低水硼酸锌

以氧化锌和硼酸为原料通过溶剂热改性法制备了亚微米级低水硼酸锌（2ZnO·3B2O3·3H2O），利用化学分析、XRD、SEM和IR等手段对产物进行了表征。结果表明：溶剂热改性法可以制得团聚少，分散性好，结晶程度高，粒径0．2-0．4μm的亚微米级低水硼酸锌（2ZnO·3B2O3·3H2O）颗粒；TC分析表明，合成样品的开始脱水温度在290℃左右。并对反应机理进行了简单探讨。

酸沉-萃取-结晶法从高镁卤水中提取硼酸的工艺研究

以东台吉乃尔盐湖冬季产出浓缩卤水为原料,进行了酸沉-萃取-结晶法从高镁卤水中提取硼酸的工艺研究。研究表明,此工艺能完全分离提取卤水中的硼。其中,酸化沉淀的关键是根据不同原料确定加酸量;离心萃取阶段选定25%（体积分数）异辛醇＋25%异戊醇＋50%磺化煤油组成萃取体系,p H为1.5~2.0,相比（O/A）为2∶1,离心萃取机转速为2 400 r/min,萃取级数为3,萃取率可达97.3%,三级反萃后萃取率达99%。反萃液热溶粗硼酸冷却结晶制备了99.8%的高纯硼酸。