一种基于ADS优化的微带带通滤波器设计及实现

介绍微带带通滤波器ADS全局优化设计方法及其设计流程,重点阐述ADS设计流程中的参数优化、器件仿真、矩量法分析等相关内容。微带带通滤波器实物的性能测试表明:通带传输衰减小于2.5dB,端口反射系数小于-15dB,阻带衰减接近40dB,其物理尺寸约8×2.5×1.5cm,基于ADS优化的微带带通滤波器设计优于传统设计。

中子位移损伤监测技术研究

利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测试手段基础上选择位移损伤监测器和分析监测结果奠定了基础。

基于三极管的CFBR-Ⅱ堆辐射损伤常数测定

为获取CFBR-II堆与其他装置建立辐射损伤等效系数的实验依据,在CFBR-II堆稳态工况下开展典型三极管的辐射损伤常数测定工作。结果表明,硅三极管的辐射损伤常数在4×10-16～6×10-16 cm2之间;对于直流增益与中子注量的线性关系的适用范围,集电极注入电流可以拓展到300 mA。

中子辐射损伤等效性研究的半导体器件选择方法

半导体器件的中子辐射效应是开展辐射损伤等效性研究的一个重要实验途径,为获得精密的辐射损伤等效系数,需要对半导体器件进行选择。在半导体器件基本选用原则的基础上,从微观机理到宏观工程应用方面阐述了器件类型的确定依据,通过实验摸索出器件性能选择条件,从器件的质量、批次、参数一致性等方面提出了改进措施,形成了比较全面的半导体器件选择方法,具有应用价值。采用该方法挑选出3DG121C双极晶体管应用于某快中子临界装置与CFBR-II堆之间的辐射损伤等效性研究,获得了等效系数为1.19,满足现阶段抗辐射加固及中子辐射效应评价需求。提出了下一步等效性研究的器件选择方向。

造血干细胞移植治疗16例多发性骨髓瘤疗效分析

目的:评价造血干细胞移植(SCT)治疗多发性骨髓瘤(MM)患者的疗效。方法:回顾性分析我院SCT治疗16例D-S分期Ⅲ期MM患者。自体造血干细胞移植(ASCT)13例。2例原发耐药、2例ASCT后复发和1例高危患者接受HLA匹配同胞供者异基因造血干细胞移植(allo-SCT);其中4例应用清髓性预处理。采用NCI/SWOG(2004年前)和EBMT标准分析治疗反应。结果:共完成ASCT20例次,无移植相关死亡(TRM)。ASCT后均有效,9例获得完全缓解(CR),4例部分缓解(PR)。10例移植前CR/PR者,中位随访35(6～126)个月,3例复发/进展,中位总生存(OS)尚未达到[已超过35(6～119)个月],中位无进展生存(PFS)27(1～50)个月。3例ASCT前处于疾病稳定状态(SD)者分别于移植后11、7和5个月后复发/进展。Allo-SCT组1例预处理后早期TRM,余3例CR,1例PR。1例患者移植后4个月死于急性移植物抗宿主病(GVHD)合并严重肺感染;余3例生存分别已达39、41和14个月,其中仅后者仍持续PFS。结论:ASCT治疗MM耐受性好,能明显延长PFS和OS;原发难治患者ASCT仍有效,但PFS持续时间短暂。沙利度胺联合治疗用于移植前/后可能提高疗效。allo-SCT有效提高高危及复发/难治患者的治疗反应率。

基于平均位移kerma因子方法的位移损伤计算

根据硅位移kerma函数表,针对传统的基于平均能量的kerma因子取值方法在位移损伤计算中的不足,提出了不同能量中子分群方式下硅位移kerma因子取值的新方法——平均位移kerma因子法。使用该方法计算了几种典型辐射源的位移损伤。结果表明:不同分群方式下,采用平均能量法获得的损伤结果相差17%左右,采用平均位移法得到的损伤结果相差4%左右;采用平均位移法时,群内中子分布模式对损伤结果没有显著影响。

双极晶体管中子辐照后的高温退火特性

利用硅双极晶体管在线监测中子注量,其直流增益和损伤常数是作为探测器指标的重要参数。高温退火可使受到中子辐照的双极晶体管性能部分恢复,进而可以重复使用。开展高温退火特性研究,分析双极晶体管直流增益的恢复程度以及损伤常数的重复性。在快中子脉冲堆上对贴片型3DG121C双极晶体管进行三轮中子辐照,每轮辐照累计注量2.64×10^(13)cm^(-2)。经过第一轮中子辐照后,双极晶体管直流增益下降至辐照前的40%,经过180℃连续24 h的高温退火后,直流增益恢复至辐照前的67%;经过第二轮辐照后,直流增益下降至第二轮辐照前的50%,在相同条件下退火后,直流增益恢复至第二轮辐照前的73%;经过第三轮辐照后,直流增益下降至第三轮辐照前的58%,在相同条件下退火后,其直流增益恢复至第三轮辐照前的87%。三轮实验结果表明:双极晶体管直流增益倒数随辐照中子注量变化的线性关系基本一致,具体表现为其损伤常数具有很好的重复性。利用该高温退火特性,将双极晶体管作为中子注量探测器应用于快中子脉冲堆中子注量在线监测,监测结果与活化箔结果基本吻合。

快中子临界装置大厅辐射屏蔽门研制及性能验证

为提升快中子临界装置的实验能力,在实验大厅旁边扩建了附属建筑物,在实体连接位置形成了一个样品传输通道。为了保证工作人员的辐射安全,需要对通道进行屏蔽。采用蒙特卡罗方法进行屏蔽门的物理设计,确定了含硼石蜡为中子屏蔽材料,不锈钢为光子屏蔽材料。为保证硼在石蜡层上的均匀分布,防止石蜡内部形成空洞,采用了分层分次工艺进行屏蔽门浇铸。为保证屏蔽门对通道的有效覆盖,采用了分步工艺进行安装。辐射剂量监测结果表明,人员日常工作区域的辐射有效剂量为0.125mSv/a,小于建设项目管理目标值2mSv/a,远小于《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》规定的放射性工作人员年剂量限值20mSv/a,屏蔽门的研制满足设计和使用要求。

中子辐射损伤等效性研究进展

为建立不同辐射源损伤评价的统一标准,制定武器抗中子辐射性能考核及验收的依据,国内外确定了中子辐射损伤等效标准源,开展了大量的等效性研究工作。本文从位移损伤函数、辐射源能谱以及二者的结合关系方面梳理了理论研究进展。从基本实验方法、效应参数及场量参数的控制趋势方面总结了实验研究进展。探讨了降低实验不确定度的方法,展望了辐射损伤等效性研究工作的方向。

快中子临界装置辐射损伤等效性实验测量

CFBR-Ⅱ堆是中子辐照实验指定模拟辐射源,某快中子临界装置在辐射效应研究中的作用越来越重要,为了准确评价利用上述平台开展的辐射效应研究结果,需要确定二者的辐射损伤等效系数。利用双极晶体管直流增益倒数与中子注量的线性关系,开展辐射损伤等效性研究。分析了辐射损伤等效系数的影响因素,从实验原理和工程实现的角度建立了效应参数和场量参数的控制方法,采用损伤常数平均的方式进行数据处理,首次获得了快中子临界装置与CFBR-Ⅱ堆的辐射损伤等效系数为1.19,不确定度为3.53%,满足了应用需求。

涉核建筑物密封包容性工艺实践

为提升临界装置的实验能力,在临界装置实验大厅旁边扩建了附属建筑物,要求建设项目不显著降低大厅原有的密封包容性。针对大型非标设备安装难题,在常规施工工艺基础上进行了施工顺序调整。采取了新旧建筑结合面植筋、基础预埋钢板、墙(6 m)、梁、板整体浇筑等新技术完成了附属建筑物包容性施工。采用了SF6示踪气体法对临界装置实验大厅及其附属建筑物组成的整体包壳的包容性进行检测。检测结果表明,在24 h内SF6示踪气体的累计泄漏率为1.73%,建筑物的整体包壳满足包容性要求。对于重要涉核场所及有密封性要求的工艺场所,密封包容性工艺方法可以借鉴。

阶梯阻抗变换器的遗传算法优化设计

介绍了阶梯阻抗变换器的基本原理及其数学模型,重点讨论了阶梯阻抗变换器两种设计方法间的优劣,用电子设计自动化(EDA)软件对设计结果进行了仿真,仿真结果表明:就最大反射系数模值的指标来说,遗传算法设计结果普遍优于Chebyshev综合设计结果。

复杂岩体中锆石的成因判识及其对锆石U-Pb年龄的影响:以辽河坳陷太古宇基底中的锆石为例

复杂岩体经历了长期地质演化,内部所含锆石成因十分复杂。综合前人研究成果,根据锆石外部形态、CL发光强度、内部结构以及微量元素特征,本文将锆石成因类型归纳为岩浆作用、变质作用以及热液作用3大类9小类。在锆石U-Pb定年的过程中,单颗粒锆石或锆石上不同位置的成因判识是获取高质量U-Pb年龄数据的前提。以渤海湾辽河坳陷基底复杂岩体为例,对岩体内具有核—边结构的复杂成因锆石进行了系统的研究,分别获取不同成因锆石的U-Pb年龄,进而探讨锆石成因对获取高质量U-Pb年龄的重要意义。阴极发光图像显示,锆石的核部多见岩浆成因环带结构,也可见斑杂状、海绵状及扇形分带等变质成因结构,边部呈现变质重结晶成因的扇形和冷杉叶结构。锆石核部Th/U比值(0.39~1.32)和分散的稀土元素特征,表明核部存在岩浆结晶锆石、变质锆石以及变质残余锆石,边部主要是变质重结晶作用或流体蚀变形成的增生边。基于锆石的成因类型划分,从3个样品锆石核部和边部分别获得了代表原岩形成时间的岩浆年龄和变质作用时间的变质年龄。辽河坳陷基底复杂岩体锆石U-Pb年龄结果表明,基底存在两期新太古代晚期岩浆事件,分别为2586~2583 Ma、2565~2538 Ma,变质事件主要发生在2508~2501 Ma。辽河坳陷基底岩浆事件和变质事件的获得,对于揭示华北克拉通覆盖区前寒武纪基底的形成演化具有重要意义。

SiC基中子探测器对热中子的响应

以SiC二极管和中子转换材料6 LiF为基础,研制了SiC基中子探测器,并用241 Am源与临界装置分别研究了SiC基中子探测器的α粒子响应、热中子响应。结果表明:SiC基中子探测器能够满足241 Am源α粒子的计数测量,但由于SiC二极管灵敏区薄,故不能用于5.48MeV的α粒子能谱测量;SiC基中子探测器对热中子响应良好,不同功率下,脉冲幅度谱中可清晰看到由6 Li(n,α)3 H的反应产物α粒子、3 H粒子形成的双峰;脉冲幅度甄别法可将γ射线及电子学噪声甄别掉;在直接测量与符合测量中,SiC基中子探测器的计数率均与临界装置功率成线性关系,且直接测量的线性度比符合测量的线性度好,最好可达0.999 97。研究表明:降低肖特基接触金属的厚度、增加其外延层厚度、提高其外延层品质,可将SiC二极管用于带电粒子能谱测量。

基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器

针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10～600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。

基于4H-SiC的高能量分辨率α粒子探测器

为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率和能量线性度。所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200V时,其漏电流仅14.92nA/cm2。采用具有5种主要能量α粒子的226 Ra源研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率,获得4H-SiC探测系统对4.8~7.7 MeV能量范围内α粒子的能量分辨率为0.61%~0.90%,与国际上报道的高分辨4H-SiC探测系统能量分辨率一致。同时,实验结果表明：4H-SiC探测系统对该能量范围内α粒子的能量线性度十分优异,线性相关系数为0.999 99。

能量色散X射线荧光分析基本参数法研究

本文介绍了EDXRF中基本参数法原理和计算方法,基于此方法用C语言设计编写了基本参数法的计算程序。通过配制的合金样用该法测定其成分含量,结果表明所测合金样的成分含量与其化学分析结果基本上一致,精确度较高,相对标准偏差不超过1.3%。

沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究

采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。

成人急性淋巴细胞白血病自体移植与异基因移植

目的 分析成人急性淋巴细胞白血病（ALL）自体移植与异基因移植的疗效，并探讨相关临床预后因素。方法 对1986年11月-2004年6月移植治疗的96例成人ALL患者随访至2005年2月28日，按治疗方式分为自体移植组（56例）和异基因移植组（40例），其中自体移植组进一步分为移植物体外净化和移植后维持治疗组（处理组，26例）和未处理组（30例）；对各组患者的临床特征及治疗转归进行回顾性研究，应用Kaplan-Meier法进行生存分析，COX回归模型进行多因素预后分析。结果 自体移植组总体与异基因移植组比较，两组1、3、5年预期无白血病生存率（LFS）差异无显著性；自体移植处理组、自体移植未处理组与异基因移植组3组比较，3、5年LFS差异具有显著性（P〈0．05），分别为：[（73．0±8．7）％、（69．2±9．0）％]，[（42．2±10．1）％、（35．1±10．0）％]和[（50．9±8．2）％、（50．9±8．2）％]。结论 自体移植组（总体）与异基因移植组长期LFS相近；自体移植组给予移植物体外净化和移植后维持治疗可显著降低复发率，改善患者长生存。

基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究

以中国第Ⅱ号快中子脉冲反应堆（CFBR-Ⅱ）为试验平台,采用高功率稳定和多注量点拟合的试验方法测定了典型硅整流二极管的中子辐照实验损伤常数,验证了硅整流二极管的中子辐射损伤规律。试验结果表明：以正向压降为观测效应参数的硅整流二极管对于CFBR-Ⅱ堆泄漏中子能谱的试验损伤常数在3～4×10^-15 V·cm^2范围,硅整流二极管正向压降随中子注量的变化近似遵从指数增长规律。