β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究

采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV(直接)和0.373eV(间接)。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。

入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。

温度对Al_(0.5)Ga_(0.5)As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.

论绿色思想与绿色奥运

绿色思想的基本着眼点是人与自然的关系和谐发展,它的生命活力在于拓展范围和挖掘深度的广泛性、多样性和适应性。北京提出兴办绿色奥运的行动规划从另外一个角度拓展和挖掘了绿色思想,同时也为奥林匹克运动的发展和奥运精神的宏扬添加了新的理念。

试论高校教师的道德责任及师德体系

教师是人类灵魂的工程师,承担着重大的社会责任。教师道德责任是教师责任的重要组成部分,其内容包括承传人类文明、敬畏生命、推进人类科技进步等。在师德体系建设中应重视道德责任的构建。教师的道德责任构建要从加强道德责任教育入手,提高责任主体自主选择的能力,加强对教师道德责任的控制,确实将他律的消极的道德责任转化为自律的积极的道德责任。

纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金的电子结构和相特性研究

采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金的电子结构和相特性进行研究。结果显示,纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO的能隙由价带顶O2p态和导带底Mg3s态共同决定。随着Mg组分的增大,Be_(1-x)Mg_xO合金的能隙逐渐变小,合金离子性在增强。Be—O和Mg—O的平均键长差距大致使Be_(1-x)Mg_xO合金内部产生明显的晶格振动效应,而无序相Be_(1-x)Mg_xO合金的形成能比有序相要低,容易使纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金内部产生无序结构,因此制备纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金时要适当提高实验温度。

对加强新时期高等师范院校师德建设的探讨

本文阐述了新时期加强高等师范院校师德建设的重要性，论证了师德继承与综合发展的关系。并在目标设置、宣传教育、师德建设原则、组织与管理、具体方法、信息反馈、经验总结七个方面提出了建议。

慢性乙型肝炎合并脂肪肝对替比夫定疗效的影响

目的了解慢性乙型肝炎合并脂肪肝病人对替比夫定抗乙型肝炎病毒疗效的影响。方法回顾分析128冽使用替比夫定抗乙型肝炎病毒治疗慢性乙型肝炎病人的肝组织病理检查，分为慢性乙型肝炎合并脂肪肝组43例，男性32例，女性11例，年龄（36±s16）岁；单纯慢性乙肝组85例，男性62例，女性23例，年龄（37±11）岁。结果替比夫定抗病毒治疗1年丙氨酸转移酶（ALT）复常率2组分别为60％和84％（X^2=5．892，P〈0．01），乙肝病毒脱氧核糖核酸（HBVDNA）转阴率分别为70％和86％（X^2=5．135，P〈0．01）。盱穿病理结果存在肝细胞脂肪变性的慢性乙型肝炎病人对于替比夫定抗乙型肝炎病毒的ALT复常率和HBVDNA转阴率下降。结论肝细胞脂肪变性是影响替比夫定抗病毒疗效的重要因素之一。

MgAl_2O_4/Ce∶YAG透明陶瓷的制备及光学性能

采用金属醇盐法制备MgAl2O4前躯体,通过高温煅烧2～4h得到纯相MgAl2O4粉体,再将其与YAG∶Ce荧光粉均匀混合,利用热压烧结并结合热等静压处理得到MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷。利用XRD,SEM,EDS和荧光光谱仪对样品进行物相和光学性能分析。实验表明样品由MgAl2O4和YAG两相组成,YAG晶粒均匀地分散在MgAl2O4基质中。样品在340和475nm有两个激发峰。发射光谱在533nm处有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射,其荧光寿命为59.74ns。结果表明,MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷是一种可用于白光LED的新型荧光材料。

光散射PC荧光树脂的制备及光学性能

以聚碳酸酯（PC）粉体、有机硅光扩散剂和YAG∶Ce荧光粉为原料,通过熔融共混法和高温压模法及减薄抛光工艺制备出不同有机硅光扩散剂质量分数的PC/YAG∶Ce光散射荧光树脂样品,通过SEM、XRD、透射光谱和PL的性能分析,表明：荧光树脂样品在500~800nm光谱范围有较高的透光率,样品的主相都为Y3Al5O12,在342和448nm有两个激发波峰,发射光谱在532nm有一宽峰,属于Ce3＋的5d→4f特征跃迁发射,对应的荧光寿命在61.5ns左右。把荧光树脂样品应用到白光LED器件的封装获得的光效为81.12lm/W@100mA,说明PC/YAG∶Ce荧光树脂片适用于作白光LED封装的新型荧光材料。

量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响

采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响。分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系。量子阱个数太少时,电流溢出现象较明显;而当量子阱个数太多时,极化现象明显,且会造成材料浪费。因此应根据工作电流选择合适的量子阱个数。

PC/YAG∶Ce荧光树脂的制备及光谱分析

采用熔融共混法和高温压模法制备出PC/YAG∶Ce荧光树脂片,样品经减薄和抛光处理后,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)、透射光谱等测试手段进行分析。厚度为0.87 mm的样品在500~800 nm范围内的透过率约为65%。样品主相为Y3Al5O12,在342 nm和448 nm有两个激发峰。样品的发射光谱在532 nm有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射。荧光树脂片中荧光粉含量越高,样品发射强度越大,是一种适合用于白光LED封装的新型荧光材料。

氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响

采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌.研究表明,GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响.合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜.研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式,促使GaN三维生长所导致的.

白光LED用新型MgAl_2O_4/Ce∶YAG透明陶瓷的发光性能

采用金属醇盐法制备MgAl2O4前驱体,通过高温煅烧2～4 h得到纯相MgAl2O4粉体,再将其与YAG∶Ce荧光粉均匀混合,利用热压烧结并结合热等静压处理得到MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷。利用X射线衍射、紫外-可见分光光度计等测试手段对样品进行表征。样品由MgAl2O4和YAG两相组成,在340 nm和475 nm有两个激发峰。发射光谱在533 nm有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射。该透明陶瓷封装蓝光芯片所得白光LED器件在35 mA驱动下的发光效率为133.47 lm.W-1,其寿命及色温稳定性优于采用传统方式封装的白光LED。实验结果表明MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷是一种可用于白光LED的新型荧光材料。

首都体育学院学生人文素质状况调查及对策

通过抽样问卷、座谈会和个人访谈等方法对首都体育学院1998～2001级学生的人文素质现状进行了调查,对调查结果反映的问题进行分析,提出了提高学生人文素质的对策建议。

双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.

新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高(英文)

分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层。此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析。研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区)。同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解。

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。

Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响

采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5In0 .5P/Ga0 .5In0 .5P多量子阱的发光强度。相对于未故意掺杂的样品 ,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了 13倍 ,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了 2 8倍。外延片的X射线双晶衍射测试表明 。

一个实用的生产用Ⅲ-V族化合物半导体材料Turbo-DiscMOCVD生长模型(英文)

在MOCVD质量控制生长模式下 ,通过分析Ⅲ -V族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程 ,建立了一个实用的生长模型。此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的。针对Turbo -Disc反应体系 ,分析了Turbo -Disc的传热以及质量传送模式后 ,建立了Turbo -Disc的生长模型。在此模型中建立了输入反应室的参数 (IPs)和边界层的生长参数的关系。在对组分匹配的GaInP/GaAs三组分生长体系进行分析时 ,发现此模型是非常有效的 ,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合。应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层。