透明导电氧化物(TCO)材料市场风险和技术挑战分析

尽管TCO材料已经被认知且应用了很长时间,但人们一直持续改进其性能。综述了TCO材料在不同应用领域中(如平板显示元件、光伏、智能窗、气体探测器等)存在的市场风险及其面临的技术挑战。

SnxSi1-xO2缓冲层对F-SnO2薄膜光电性能的改善

利用化学气相沉积,在玻璃衬底上生长了SnO2掺氟(FTO)薄膜。X射线衍射测试(XRD)显示所得的FTO薄膜具有四方相结构。通过掺氟可以提高SnO2的电学性质,但掺氟同时也会影响SnO2薄膜的晶体质量,进而导致光学性质的损失。在这项研究工作中,在生长FTO薄膜时我们引入了SnxSi1-xO2缓冲层,并研究其对FTO薄膜光电性质的影响,发现通过引入SnxSi1-xO2缓冲层,可以较大程度降低FTO薄膜表面粗糙度,并同时保持较好的电学性质。