利用新型全固源分子束外延技术 ,对 1 .5 5 μm波段的 In As P/ In Ga As P应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明 ,较低的生长温度或较大的 / 束流比有利于提高应变多量子阱材料的结构质量 ,而生长温度对材料的光学特性有较...利用新型全固源分子束外延技术 ,对 1 .5 5 μm波段的 In As P/ In Ga As P应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明 ,较低的生长温度或较大的 / 束流比有利于提高应变多量子阱材料的结构质量 ,而生长温度对材料的光学特性有较大的影响。在此基础上生长了分别限制多量子阱激光器结构 ,制作的氧化物条形宽接触激光器实现了室温脉冲工作 ,激射波长为 1 5 63 nm,阈值电流密度为 1 .4k A/ cm2 。这是国际上首次基于全固源分子束外延的 1 .5 5 μm波段 In As P/ In Ga As展开更多
研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键...研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .展开更多
本文通过分析碱金属原子在原子气室中的自旋弛豫作用,得出了原子磁力仪灵敏度上限受气室尺寸影响的理论模型。计算了不同气室尺寸下,工作物质为87Rb、工作温度为383.15 K时缓冲气体Ar的最优压强,此压强值随气室尺寸减小而快速增大。在...本文通过分析碱金属原子在原子气室中的自旋弛豫作用,得出了原子磁力仪灵敏度上限受气室尺寸影响的理论模型。计算了不同气室尺寸下,工作物质为87Rb、工作温度为383.15 K时缓冲气体Ar的最优压强,此压强值随气室尺寸减小而快速增大。在此基础上,计算了不同气室尺寸下磁力仪灵敏度上限。结果表明,磁力仪灵敏度上限随原子气室尺寸减小而快速恶化,当气室直径由1 cm减小到0.1 cm时,磁力仪灵敏度上限由0.4 p T Hz-1/2恶化为15 p T Hz-1/2。展开更多
文摘利用新型全固源分子束外延技术 ,对 1 .5 5 μm波段的 In As P/ In Ga As P应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明 ,较低的生长温度或较大的 / 束流比有利于提高应变多量子阱材料的结构质量 ,而生长温度对材料的光学特性有较大的影响。在此基础上生长了分别限制多量子阱激光器结构 ,制作的氧化物条形宽接触激光器实现了室温脉冲工作 ,激射波长为 1 5 63 nm,阈值电流密度为 1 .4k A/ cm2 。这是国际上首次基于全固源分子束外延的 1 .5 5 μm波段 In As P/ In Ga As
文摘研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .
文摘本文通过分析碱金属原子在原子气室中的自旋弛豫作用,得出了原子磁力仪灵敏度上限受气室尺寸影响的理论模型。计算了不同气室尺寸下,工作物质为87Rb、工作温度为383.15 K时缓冲气体Ar的最优压强,此压强值随气室尺寸减小而快速增大。在此基础上,计算了不同气室尺寸下磁力仪灵敏度上限。结果表明,磁力仪灵敏度上限随原子气室尺寸减小而快速恶化,当气室直径由1 cm减小到0.1 cm时,磁力仪灵敏度上限由0.4 p T Hz-1/2恶化为15 p T Hz-1/2。
