基于TRIZ理论的造纸黑液解聚物催化提质中催化剂的设计与应用

该文介绍造纸黑液解聚物催化加氢脱氧制烃类液体燃料的研究现状及目前所面临的主要问题,通过列举实例详细阐述TRIZ理论如何直接与造纸黑液解聚物加氢脱氧制烃类液体燃料实验相结合,开发新型催化剂,突破现有瓶颈。针对催化效率低的问题,采用TRIZ理论中的复合材料原理、预先作用原理、压力原理对其进行解决。研究Hβ、Mo/Hβ、NiMo/Hβ3种催化剂用于造纸黑液解聚物加氢脱氧制烃类液体燃料。测试结果证实,NiMo/Hβ催化剂表现出最优异的催化活性。基于分析过程进一步拓宽对TRIZ理论的认识,为其更好地指导科学研究发挥作用。

无碳污染微通道板电子透射膜

提出利用静电贴膜技术制备无碳污染MCP电子透射膜工艺方案 ,探讨了贴膜与辉光气体放电的关系 ,制备了 4nm厚MCP电子透射膜 .实验测得该电子透射膜的成分只有铝和氧元素 ,MCP带膜前、后的体电阻和暗电流没有变化 ,MCP带膜后电子增益略有增加 .

蓝光聚合物单层薄膜发光器件的退化机理

聚合物电致发光器件以其独有的优点在显示方面显现了光明的前景 .聚合物电致发光器件的稳定性是器件实用化过程中所面临的一个重要的技术难题 .合成了单层薄膜电致发光器件 ITO/ P1 0 / A1.研究了聚合物材料本身的退化 ,聚合物与金属电极之间界面的结构变化和电极对聚合物器件性能的影响 .发现空气中的氧和热效应是引起聚合物膜不稳定的主要原因 ,ITO膜释放的氧破坏聚合物的发光层 ,器件工作时聚合物

透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究

研究了光照强度和残余气体对阴极稳定性的影响 ,比较阴极在管壳内和激活室内的阴极稳定性 ,用俄歇谱仪分析激活的 Ga As光电阴极表面和灵敏度衰减到 0时的 Ga As光电阴极表面 .结果表明 。

蓝光聚合物共混材料的发光特性

研究了不同组成 PVK和 P6 共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性 .用不同比例 PVK∶ P6 共混材料为发光层和 Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件 ,测量器件的电致发光谱、电流 -电压特性和亮度 -电压特性 .结果表明 ,共混材料的光致发光强度比 PVK和 P6 都有明显的增强 ,且随 PVK浓度的增加而增强 ;器件电致发光强度随 PVK浓度的增加而增强 ;不同 PVK掺杂浓度对电致发光器件的开启特性没有明显影响 ,发光亮度随 PVK掺杂浓度的增加而增大 .

微通道板离子阻挡膜对三代像管分辨率的影响

分析传统的微通道板离子阻挡膜对三代像管分辨率的影响，指出离子阻挡膜衰减碰撞通道壁的一次电子数及其工艺引起的通道内壁碳污染是导致带膜三代像管分辨率下降的主要原因，提出降低离子阻挡膜对三代像管分辨率影响的主要技术途径。

透射式GaAS阴极粘结工艺的X射线双晶衍射研究

本文分析了透射式ＧａＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响．用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶摇摆曲线．结果表明，透射式ＧａＡｓ阴极热压粘结工艺带来明显的附加应力，外延层衍射半峰宽的展宽是由于热膨胀系数的差异导致阴极层非均匀应力引起的．

可溶性聚合物薄膜发光器件的电致发光

采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的MEH PPV聚合物 ,用MEH PPV作为发光材料制备了单层结构ITO/MEH PPV/Al和双层结构ITO/MEH PPV/Alq3/Al电致发光器件 ,测量了器件的电致发光谱、I V特性和B V特性 .利用能级理论分析了器件的发光特性随器件结构的不同所具有的规律 .实验表明 ,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在MEH PPV层 ,当加入Alq3电子传输层 /空穴阻挡层后 。

GaAs/GaAlAs阴极粘结工艺的X射线双晶衍射测量

分析了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺没有带来明显的附加应力，外延层衍射角度的展宽是由于ＧａＡｓ阴极组件窗玻璃的非晶态性所致。

微通道板离子阻挡膜

微通道板离子阻挡膜在第三代微光像增强器中起着重要作用，本文在分析离子阻挡膜形成原理的基础上，给出了实验方案。最后，测量和分析了带膜微通过板的性能。

自持铝薄膜的工艺和特性研究

铝薄膜在像管中起重要作用。为了提高像管的性能 ,需要对自持铝薄膜的特性加以研究。利用静电贴膜技术制备了自持铝薄膜 ,测量了 5 0nm厚自持铝薄膜入射面的背散射系数和二次发射系数以及出射面的一次电子透射系数和二次发射系数。对于高能一次入射电子 ,自持铝薄膜的背散射系数很小 ,透射系数很大 ,二次发射系数较小。自持铝薄膜在本质上不影响像管的MTF 。

微通道板电子透射膜运转的有效性

介绍微通道板电子透射膜在三代微光像增强器中的作用，推导电子透射膜死电压的理论表达式，测量电子透射膜的电子透过特性，并进行初步分析和讨论。

透射式GaAs(Cs,O)光电阴极发射电子横向能量的研究

制备了透射式 Ga As阴极组件 ,测量了 Ga As阴极激活过程中阴极光电灵敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化 ,用扫描电镜观察 Ga As(Cs,O)阴极表面形貌 ,结果表明 :Ga As(Cs,O)阴极发射电子横向能量取决于 Ga As晶格温度、阴极表面形貌和电子在能带弯曲区的多次散射 ,与 (Cs,O)激活层无关 .

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极的分辨力是第３ 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式阴极的调制传递函数（ Ｆｍ ，ｔ） ，计算了２ μｍ 厚 Ｇａ Ａｓ 阴极层的 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射阴极的理论分辨力特性曲线，并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率，分辨力的损失并不限制系统的性能。

微通道板防离子反馈膜运转的有效性

介绍做通道板Al2O3防离子反馈膜的离子透过特性试验方法及结果。给出描述离子气馈膜运转有效性的理论表达式。

微通道板防离子反馈膜性能的研究

介绍了微通道板（ＭＣＰ）防离子反馈膜在三代微光象增强器中的作用，测量了防离子反馈膜的电子透过特性和离子透过特性，比较了用带膜ＭＣＰ做成的二代薄片管和不带膜的ＭＣＰ做成的二代薄片管的脉冲幅度分布、寿命和阴极灵敏度衰减。实验发现，非晶态Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜能有效地透过电子，阻止反馈离子，降低闪烁噪声，延缓阴极灵敏度衰减，延长象管工作寿命。

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极发射电子的平均横向能量

用扫描电镜观测了 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极的表面形貌，计算了阴极表面形貌对阴极发射电子的平均横向能量的贡献，测量了阴极激活过程中阴极发射电子的平均横向能量随激活时间的变化。结果表明， Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 阴极表层的 Ｃｓ／ Ｏ 激活层对电子的散射是导致阴极发射电子的平均横向能量值增高的根本原因。最后提出减少阴极发射电子的平均横向能量的技术途径。

微通道板防离子反馈膜调制传递函数的研究

研究电子与薄膜的相互作用，给出电子通过薄膜后的角度分布表达式。利用弹性散射电子在薄膜中的空间几率分布密度表达式计算微通道板防离子反馈膜的调制传递函数。

带膜微通道板的探测效率

本文介绍了微通道板离子阻挡膜在成像器件中的作用,测量了带膜微通道板的探测效率。实验发现,带膜微通道板的探测效率不是膜厚的单调函数。最后,从理论上对带膜微通道板的探测效率进行了半定量分析。

微通道板非晶态Al_2O_3电子透射膜

文中介绍了ＭＣＰ非晶态Ａｌ２Ｏ３电子透射膜在成像器件中的作用，阐述了膜层的选择、形成条件与方法，给出了膜层形成及其与辉光气体放电的关系，测量了膜层及带膜ＭＣＰ的某些特性，并进行了初步分析和讨论．