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ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景 被引量:4
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作者 阮刚 陈智涛 +2 位作者 肖夏 朱兆旻 段晓明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期349-354,共6页
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。
关键词 ULSI 纳米多孔二氧化硅 干燥凝胶 低介电常数介质 特大规模集成电路互连
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集成电路芯片上光互连研究的新进展 被引量:2
2
作者 阮刚 肖夏 +3 位作者 R.Streiter 陈智涛 T.Otto T.Gessner 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期387-397,共11页
讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势 .介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的... 讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势 .介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的研究新进展 .最后展望了集成电路芯片上光互连的应用前景 . 展开更多
关键词 集成电路 光互连 光发射器件 光接收器件 光传输器件
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ULSI互连系统热特性的模拟 被引量:4
3
作者 阮刚 肖夏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1081-1086,共6页
应用基于有限元算法的软件 ANSYS对 0 .15 μm工艺条件下的一个 U L SI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析 .模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属 (Cu或 Al)互连线及不同电介质 (Si O2 或低介电常数材料... 应用基于有限元算法的软件 ANSYS对 0 .15 μm工艺条件下的一个 U L SI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析 .模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属 (Cu或 Al)互连线及不同电介质 (Si O2 或低介电常数材料 xerogel)填充条件下的热分布情况 ,计算了这些条件下此互连结构的温度分布 .并将结果与 Stanford大学模拟的另一种五层金属布线结构的热特性结果进行了比较 .讨论了低介电常数材料的采用对于互连结构散热情况的影响 .此外 ,还简要地介绍了 展开更多
关键词 ULSI 热特性模拟 互连系统
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VLSI电路中互连线的延迟及串扰的数值模拟 被引量:10
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作者 阮刚 肖夏 +3 位作者 宋任儒 Reinhard Streiter Thomas Otto Thomas Gessner 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期142-144,共3页
用数值计算方法详细地模拟了VLSI电路中金属互连线的延迟及串扰 .模拟结果表明 :互连线宽W同互连线节距P之比W/P =0 5~ 0 6是获得最小时间延迟并满足串扰限制的最佳尺寸 ,模拟还给出了用铜代替铝金属线及用low k电介质 (εlow k=0 5... 用数值计算方法详细地模拟了VLSI电路中金属互连线的延迟及串扰 .模拟结果表明 :互连线宽W同互连线节距P之比W/P =0 5~ 0 6是获得最小时间延迟并满足串扰限制的最佳尺寸 ,模拟还给出了用铜代替铝金属线及用low k电介质 (εlow k=0 5εSiO2 )代替SiO2 后 。 展开更多
关键词 集成电路 延迟 串扰 VLSI 互连线 数值模拟
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低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景 被引量:21
5
作者 阮刚 肖夏 朱兆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期84-87,95,共5页
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数 (low k)介质的需求 ,介绍了几种有实用价值的low k介质的研究和发展现况 ,最后评述了low
关键词 极大规模集成电路 低介电常数材料 无机介质
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VLSI电路中互连线特性研究及其数值模拟 被引量:2
6
作者 阮刚 肖夏 +3 位作者 ReinhardStreiter 宋任儒 ThomasOtto ThomasGessner 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期1-4,7,共5页
用数值计算方法详细模拟了室温及低温(77K)下VLSI电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟,得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明,互连线宽W同互连线节距P之比为0.5~0.6是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用... 用数值计算方法详细模拟了室温及低温(77K)下VLSI电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟,得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明,互连线宽W同互连线节距P之比为0.5~0.6是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用铜代替铝金属线及用低介电常数电介质(εlow-k=0.5εSiO2)代替SiO2后。 展开更多
关键词 集成电路 互连线 数值模拟 VLSI
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ANSYS在VLSI互连模拟中的应用 被引量:2
7
作者 阮刚 梁庆龙 +3 位作者 ReinhardStreiter 宋任儒 ThomasOtto ThomasGessner 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期53-56,共4页
介绍了ANSYS程序在VLSI互连几何最佳化设计中的初步应用。应用表明:ANSYS的模拟精度高,图形显示功能强。应用ANSYS自动寻优功能使RC延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观。
关键词 集成电路 互连模拟 ANSYS模拟程序 VLSI
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集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验 被引量:2
8
作者 阮刚 庞海舟 冒慧敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期26-29,共4页
本文对知名的集成电路工艺模拟软件SSUPREM4进行了较仔细的校验,用SSUPREM4模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在10%以内,与集成电路器件模拟软件SPISCES联用校验了SS... 本文对知名的集成电路工艺模拟软件SSUPREM4进行了较仔细的校验,用SSUPREM4模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在10%以内,与集成电路器件模拟软件SPISCES联用校验了SSUPREM4的全工序模拟结果,校验结果有较大参考价值. 展开更多
关键词 集成电路 工艺模拟 软件校验 SSUPREM4
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锅炉过热蒸汽温度控制新策略动态仿真研究 被引量:8
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作者 阮刚 罗自学 周怀春 《华中电力》 2004年第5期1-4,共4页
提出了一种锅炉过热蒸汽温度控制新策略,即通过检测烟气温度及其变化趋势来提前调节减温水量,从而有效地控制过热蒸汽超温。以1台300MWW型火焰锅炉的过热系统为研究对象,采用机理建模的方法,建立了锅炉过热系统较为细化的集总参数动态... 提出了一种锅炉过热蒸汽温度控制新策略,即通过检测烟气温度及其变化趋势来提前调节减温水量,从而有效地控制过热蒸汽超温。以1台300MWW型火焰锅炉的过热系统为研究对象,采用机理建模的方法,建立了锅炉过热系统较为细化的集总参数动态数学模型,模拟了蒸汽压力、减温水量及烟气温度变化时锅炉过热系统多个基本参数的变化过程,对仿真结果进行了分析,并验证了这种锅炉过热蒸汽温度控制新策略的有效性。 展开更多
关键词 过热蒸汽温度控制 动态仿真 建模 锅炉
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硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 被引量:1
10
作者 阮刚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期67-73,54,共8页
本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.
关键词 硅锗应变层 双极型晶体管 异质结
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注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟
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作者 阮刚 徐晨曦 俞强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期514-518,共5页
我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.
关键词 SIMOX 氧注入 注入分布 工艺模拟
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Pr^(3+)离子能级理论结果的参数拟合分析 被引量:5
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作者 阮刚 段昌奎 《重庆邮电学院学报(自然科学版)》 2005年第1期81-84,共4页
稀土离子在激光材料和光通讯材料及器件中有着广泛的应用。这些应用对电子结构的计算和作用机制的分析提出了要求。通过对Pr3+离子的从头计算的理论能级和实验能级进行参数拟合和综合分析发现:可以结合相对论Coupled-Cluster理论和多体... 稀土离子在激光材料和光通讯材料及器件中有着广泛的应用。这些应用对电子结构的计算和作用机制的分析提出了要求。通过对Pr3+离子的从头计算的理论能级和实验能级进行参数拟合和综合分析发现:可以结合相对论Coupled-Cluster理论和多体微扰理论,对不同参数的计算,主要考虑对此参数有重要贡献的机制,来实现稀土离子电子结构的有效计算。 展开更多
关键词 稀土离子 相对论Coupled—Cluster 参数拟合 多体微扰理论
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一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法 被引量:2
13
作者 朱兆旻 肖夏 +2 位作者 阮刚 宋任儒 刘勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期208-213,共6页
论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合 ,对模拟电荷用 DFP法进行最优设置的提取双介质 UL SI互连电容参数的基本算法 ,并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较 ,相对偏差小于 10 % 。
关键词 格林函数法 模拟电荷法 双介质互连电容 ULSI 集成电路
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1994-2004年国内外铅球运动发展情况的对比研究 被引量:4
14
作者 阮刚 覃强 韦金亮 《辽宁体育科技》 2005年第5期38-38,43,共2页
通过对1994 ̄2004年我国与世界男女铅球最好成绩进行检索比较,分析探讨铅球运动的发展趋势,使我们对近年来我国与世界铅球水平的差距,有一个较为明确、量化的认识。
关键词 铅球 成绩 现状 趋势
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单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型 被引量:2
15
作者 张斌 阮刚 薛乐川 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期349-352,共4页
基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元.本文介绍一种简单的MOBILE电路结构,给出了适合于PSPICE模拟的模型,并根据模拟结果分析了共振隧穿二极管电容的充放电过程... 基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元.本文介绍一种简单的MOBILE电路结构,给出了适合于PSPICE模拟的模型,并根据模拟结果分析了共振隧穿二极管电容的充放电过程,同时讨论了MOBILE电路工作的内部物理过程. 展开更多
关键词 模型 MOBILE电路 PSPICE 单片集成电路 模拟
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Influence of Interconnection Configuration on Thermal Dissipation of ULSI Interconnect Systems 被引量:2
16
作者 肖夏 姚素英 阮刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期516-523,共8页
The effects of adjacent metal layers and space between metal lines on the temperature rise of multilevel ULSI interconnect lines are investigated by modeling a three-layer interconnect. The heat dissipation of various... The effects of adjacent metal layers and space between metal lines on the temperature rise of multilevel ULSI interconnect lines are investigated by modeling a three-layer interconnect. The heat dissipation of various metallization technologies concerning the metal and low-k dielectric employment is simulated in detail. The Joule heat generated in the interconnect is transferred mainly through the metal lines in each metal layer and through the path with the smallest thermal resistance in each Ield layer. The temperature rises of Al metallization are approximately pAl/pCu times higher than those of Cu metallization under the same conditions. In addition, a thermal problem in 0.13μm globe interconnects is studied for the worst case, in which there are no metal lines in the lower interconnect layers. Several types of dummy metal heat sinks are investigated and compared with regard to thermal efficiency,influence on parasitic capacitance,and optimal application by combined thermal and electrical simula- tion. 展开更多
关键词 ULSI interconnect heat dissipation geometrical configuration
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新型可控多功能底阀抽油泵研制与应用 被引量:6
17
作者 李庆海 李志广 +3 位作者 阮刚 赵云生 李川 王怀玉 《石油矿场机械》 2010年第7期80-83,共4页
设计了一种新型可控多功能底阀抽油泵,具有正反循环洗井、防砂和泄油功能,在冲砂、热洗井、注气等特殊作业时不用起下管柱,通过下放上提抽油杆就可以打开正循环环空通道,完成作业后再次下放上提抽油杆柱,就可以关闭循环环空通道,进行正... 设计了一种新型可控多功能底阀抽油泵,具有正反循环洗井、防砂和泄油功能,在冲砂、热洗井、注气等特殊作业时不用起下管柱,通过下放上提抽油杆就可以打开正循环环空通道,完成作业后再次下放上提抽油杆柱,就可以关闭循环环空通道,进行正常采油生产。由于具有泄油功能,可避免上提管柱时油液外溢污染井口和因为油稠等原因造成撞击泄油器不泄油的现象。在大港油田多口油井投入使用,取得了很好的效果。 展开更多
关键词 可控多功能底阀 抽油泵 正循环 环空通道
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洗井防污染丢手分采管柱设计与应用 被引量:4
18
作者 李川 李志广 +2 位作者 阮刚 张子佳 陈敏义 《石油矿场机械》 2011年第1期72-74,共3页
设计了一种新型丢手分层采油工艺管柱,由Y445型丢手自验封封隔器+Y441型自验封封隔器+压差常通阀组成,可实现在洗井过程中保护油层不受污染。使用该管柱进行检泵作业可不动卡层管柱,只需将抽油泵管柱提出,能够保证作业的可靠性,还可避... 设计了一种新型丢手分层采油工艺管柱,由Y445型丢手自验封封隔器+Y441型自验封封隔器+压差常通阀组成,可实现在洗井过程中保护油层不受污染。使用该管柱进行检泵作业可不动卡层管柱,只需将抽油泵管柱提出,能够保证作业的可靠性,还可避免沉积物在管柱底部的堆积。 展开更多
关键词 采油 封隔器 工艺管柱 油层保护
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用于SPICE模拟高频互连效应的RLC电路模型 被引量:1
19
作者 宋任儒 阮刚 +5 位作者 梁擎擎 朱兆旻 肖夏 ReinhardStreiter ThomasOtto ThomasGessner 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期302-308,共7页
提出了一个用于 SPICE模拟高频互连效应的 RLC互连电路模型 ,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响 ,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型 ,对频率达 1 0 0 0 MHz时芯片内长互连线的延迟、串扰、过... 提出了一个用于 SPICE模拟高频互连效应的 RLC互连电路模型 ,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响 ,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型 ,对频率达 1 0 0 0 MHz时芯片内长互连线的延迟、串扰、过冲等互连寄生效应进行了分析 。 展开更多
关键词 SPICE模拟 互连效应 PLC电路模型 集成电路
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深亚微米VLSI电路中互连线的几何优化设计 被引量:3
20
作者 宋任儒 阮刚 +3 位作者 肖夏 Reinhard Streiter Thomas Otto Thomas Gessner 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期84-93,共10页
基于三维 L aplace方程的 Silvaco Interconnect3D模拟程序数值解 ,对互连寄生电容进行了计算 ,其结果用于 0 .2 5μm CMOS技术互连延迟及串扰的 SPICE模拟中。模拟结果表明 ,基于W/ P=0 .3~ 0 .4的布线准则可以获得最优的互连延迟与串... 基于三维 L aplace方程的 Silvaco Interconnect3D模拟程序数值解 ,对互连寄生电容进行了计算 ,其结果用于 0 .2 5μm CMOS技术互连延迟及串扰的 SPICE模拟中。模拟结果表明 ,基于W/ P=0 .3~ 0 .4的布线准则可以获得最优的互连延迟与串扰 (Crosstalk)特性 ,通过优化互连线及驱动管的几何尺寸可以显著地减小互连线的延迟及串扰噪声。 展开更多
关键词 集成电路 VLSI 互连线 优化设计
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