量子阱激光器中的热场分布对光输出特性的影响

计算和分析了具有应变层结构的量子阱激光器的温度场分布，首次给出了具有马鞍状温度分布的三维图形，以及温度分布对诸特性的影响，并将理论研究结果与我们设计研制的以及文献报导的实际器件的测试结果进行了对比．结果表明，理论计算结果与实验测量结果相符合．

V型槽衬底内条形大光腔可见光半导体激光器

采用一种新的液相外延工艺，研制出了具有大光胶结构的Ｖ型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。其光谱波长为７７９～７８４ｕｍ，室温连续工作阈值电流为６０ｍＡ，具有２倍阈值的基模工作时，线性输出光功率可达１８ｍＷ，４ｍＷ下工作寿命已超过３０００小时。

具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ，阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时，单面连续输出光功率高达２００ ｍ Ｗ，且基本保持在单模工作状态。工作在９７０ ｍ Ａ 时，单面连续输出光功率为０．５ Ｗ。

大功率半导体激光器加速寿命测试方法

大功率半导体激光器在高可靠性光学系统的应用中,寿命值预测十分关键。采用808nm波长的无Al大功率半导体单管激光器进行了40、80℃的恒定温度的加速老化试验。应用Arrhenius和对数正态分布的理论对试验结果进行分析,计算出激光器长期退化的激活能为0.52eV,推导得到激光器室温下工作的平均寿命为15000h。并对试验后的器件进行失效分析,找出失效原因。

电镀Au-Sn合金的研究

Au-Sn(质量分数为20%)共晶焊料有着优良的导热和导电特性,已被广泛应用在光电子和微电子的器件封装工业中。对微氰和无氰电镀Au-Sn合金的两种电镀方法进行了研究,概述了镀液组分和电镀工艺条件,用扫描电镜的方法测试不同电流密度下Au-Sn合金组分,用测厚仪测试镀层厚度,计算出镀速,最终确定电镀Au-Sn(质量分数为20%)合金的电镀条件,并对微氰和无氰电镀液优缺点进行了对比分析。

大功率半导体激光器阵列稳态温度分布分析

通过对大功率激光器阵列热现象的分析 ,采用有限元分析法建立了大功率激光器稳态工作时的空间温度分布模型 ,给出了具体的温度分布曲线 ,由此模型得出大功率激光器阵列沿谐振腔方向有一定的温度差 .该模型给出的载体、芯片的温度分布 ,可以指导阵列载体、散热器的设计 ,优化它们的尺寸 .样品的实验数据与模型的理论预测结果吻和得很好 .

808nm半导体激光器的腔面反射率设计

通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。

用光导波方法确定扭曲向列相液晶盒指向矢剖面

利用光导波方法,对不同电压下由棱镜、折射率匹配液及扭曲向列相液晶盒构成的全漏导模进行了实验研究,得到了不同外角所对应的全漏导模的反射光强度实验数据,并由斯涅尔折射定律转化为反射率随内角变化的数据,由此得到实验曲线。通过与多层光学理论给出的理论曲线进行比较,发现两者之间有一个很好的吻合,确定了扭曲向列相液晶盒在不同电压下的指向矢剖面。

941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列

计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%

京津冀地区生态安全评价及障碍因子诊断

京津冀地区生态环境保护一体化是推动京津冀协同发展的重要保障。基于DPSIR模型和障碍度模型对北京市、天津市和河北省进行了生态安全评价和障碍因子诊断。结果显示:(1)2008-2017年,京津冀地区的生态安全水平整体呈现向好的趋势;(2)北京市影响生态安全的主要障碍因子为国内生产总值增长率、SO_(2)排放量和每万人拥有公共交通工具数,需合理规划公共交通、控制SO_(2)排放、促使资源环境承载力与经济发展相匹配;(3)天津市的主要问题是城市人口扩增所带来的失业增加和有效灌溉面积减少,生态赤字加大;(4)影响河北省生态安全的障碍因子主要在产业结构和污染排放方面。

现代光电子的发展现状、特征和趋势

系统地介绍了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势.详细地介绍了几种半导体激光器、Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势.

塑封隧道结脉冲半导体激光器的研制

报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。采用塑封结构,在脉冲宽度小于500ns,重复频率小于8kHz工作条件下,其输出光功率斜率效率达到1.7W/A,是标准单芯片的1.7倍。采用塑封结构,克服了金属封装玻璃光窗在受冲击时易碎的弱点,其抗冲击达到20kg以上,且封装成本低廉。

IRP中基于广义聚合度的主题数据库划分技术

提出了广义聚合度的概念,利用广义聚合度分析技术进行主题数据库划分克服了聚合性分析过程中出现的双向性问题,使实体之间的联系更加清晰,从而更有利于主题数据库的划分。基于广义聚合度的主题数据库的划分方法为信息资源规划中主题数据库的划分打下了稳定的基础。

808nm大功率连续半导体激光器研究

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500μm,6个发光单元),通过腔面反射率设计确定了最佳反射率,采用CS载体标准封装。在输入电流8A、水冷19℃条件下测试,输出功率达到8.4W,阈值电流为1.8A,斜率效率为1.26W/A,功率转换效率为59.4%,波长为805.7nm,光谱半宽为1.8nm;输入电流12A时,输出功率达到13W,斜率效率为1.22W/A,功率转换效率为58.9%,波长为807.9nm,光谱半宽为2.0nm。

光发射模块研究与进展

介绍了光发射模块的工作原理、制作工艺和发展现状;详细分析了光发射模块在电路设计、封装及总体设计上的关键技术,给出了当前光发射模块的研究发展方向。

半导体激光器在磁场和电场中的光电特性的实验研究

本文研究了电场和磁场对半导体激光器光电特性的影响.研究结果表明,在磁场较强的情况下,对器件的输出光功率、微分量子效率、光发散角特性有影响,而电场对器件的工作特性无影响。

小发散角量子阱激光器研究

使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发散角,得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型,获得了垂直发散角的理论值,垂直方向远场发散角减小为28.6°;使用传输矩阵方法模拟了模式扩展波导结构量子阱激光器的近场光斑及远场分布,垂直方向远场发散角减小为16°。实验测试了极窄和模式扩展波导结构量子阱激光器的垂直发散角,理论结果与实验测试获得的发散角基本一致,实现了降低发散角的要求,获得了小发散角量子阱激光器。

基于QPSO的自适应均衡算法

自适应均衡技术能有效地克服光纤信道的色散和光纤非线性等效应引起的符号间干扰。但传统的自适应均衡算法存在收敛速度慢、稳定性差、均衡效果不理想等缺点,从而使自适应均衡器在高速光纤通信系统中的应用受到限制。提出了一种基于QPSO的自适应均衡算法。仿真实验表明,QPSO具有收敛速度快、计算精度高等优点,将其作为自适应均衡器的控制算法可收到很好的均衡效果,优于传统的控制算法。

连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器

利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。

大功率半导体激光器阵列

综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构、封装技术、散热致冷技术以及发展现状;给出了当前大功率半导体激光器的研究发展方向。