氟化镧铈抛光粉的焙烧制备及抛光性能研究

采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子发射光谱仪(AES)等测试技术对氟化镧铈抛光粉产物进行理化性能表征,通过无机晶体结构数据库计算产物的空间结构,用接触角测量仪、表面缺陷检测仪测定了抛光粉体的润湿性能及抛光性能。结果表明,产物均为类球状——400,500,600,700,750℃焙烧温度下得到二氧化铈(CeO_(2))和氟化镧(LaF_(3))的混合产物(CeO_(2)+LaF3);800,850,900,950,1000,1050℃焙烧温度下,产物为二氧化铈(CeO_(2))和氟氧化镧(LaOF)的混合抛光产物(CeO_(2)+LaOF),通过计算获得不同晶型的抛光产物的XRD图及其空间结构。用接触角测量仪获得500,850,1000℃焙烧温度下的产物的润湿性能,用表面缺陷检测仪对500,850,1000℃焙烧温度下的产物对玻璃表面进行抛光,发现温度为850℃的抛光效果最好。

C_2近邻环境对金属碳化物电子结构的影响(英文)

对一系列金属碳化物簇进行了DV－Xa分子轨道计算，探讨了C2配位环境对电子结构的影响.计算结果表明，在La6C15+2簇中，La的5d和C的2p带分开，键基本上是离子性.当La原子被Ni取代形成La4Ni4C16+2簇之后，Ni的3d和C的2p带几乎完全重叠，表明了强的Ni－C共价作用．此外．在Sc5Ni4C18+2簇中，除Ni－C和C－C共价作用外，还存在着强的金属-金属键．

结构调制对Bi_2Sr_2CuO_6电子结构的影响

在铋基超导体中,Bi-O,Sr-O和CuO_2层的结构畸变导致了原子偏离理想位置,形成更有利的成键环境。这种原子几何位置的改变在计算其电性质时必须予以考虑。但至今对其进行的电子结构计算都是基于Bi-O层具有理想NaCl型结构。考虑畸变在内的详细电子结构计算有助于了解调制的起因以及这些材料复杂的物理化学特征。因此本文对Bi_2Sr_2CuO_6进行了紧束缚带计算,探讨了结构调制对电子态和化学键性质的影响。

添加Cu_2S对 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体系超导性的影响(英文)

本文对Cu2S添加的Bi－Pb－Sr－Ca－Cu－O体系进行了低温电阻、X射线衍射和XPS研究．实验结果表明，加入少量的Cu2S能够降低高Tc相的形成温度，改善超导性能，加入Cu2S引起了Cu2P3／2谱的主峰向低结合能方向移动，并减少其卫星峰的面积．这表明Cu2S的加入减少了Cu2＋的量，即导致空穴载流子浓度的减小．

Cu_3O_(12)^(17-)模型簇的电子态

在铜氧基超导体中,超导电性与接近充满的Cu3d-O2p价带空穴浓度有关.若干研究表明,添加空穴进入CuO_2面σ(P_(x,y))轨道,但另外一些工作认为,空穴态存在于Cu-O面π(p_(x,y))或π(p_z)轨道,还有其它一些作者建议,空穴集居于BaO面上σ(p_z)轨道.通过理论计算来区分未占O2p态的特征具有重要意义.因此,本文对模型簇Cu_3O_(12)^(17-)进行了Fenske-Hall MO计算,探讨了添加空穴态的对称性和添加对Cu-O键强度的影响.

PbCuP_2O_7的制备和晶体结构(英文)

新化合物PbCuP2O7的单晶通过高温固相反应制备得到，使用X一射线四园衍射仪测定了它的单晶结构.PbCuP2O7属单斜晶系，空间群为P21／n，晶胞参数：α＝5．381（1），b＝8．2O5（2），C＝12．57O（3）A，β＝90．49（3）°，Z＝4．使用1311个I＞2σ（I）反射修正101个变量参数，最终收敛到R＝0．O54．其晶体结构是由共顶点的CuO5四方锥和P2O7集团沿α轴形成较大的孔道所组成，Pb原子位于由两个四方锥和三个PO4四面体的棱所夹的五角形孔道中．

Bi_2Sr_2CuO_6的电子结构和铜氧对间电荷涨落

自发现含铋铜氧化物的高温超导性以来,采用各种复杂程度方法对电子结构的计算已经在文献中报道.它们集中讨论了能带结构,态密度和Fermi面的性质,但很少报道铜氧对间的电荷涨落。而价态变动对超导电性起着至关重要的作用,因此本文对Bi_2Sr_2CuO_6进行了紧束缚带计算,探讨了电子缺陷和氧呼吸式振动对铜和氧电荷分布的影响。

金属氧化物超导体晶体结构和电子结构计算的进展

自Bednorz和Muller在1986年底发现含铜氧化物的超导性以来,在世界范围内掀起了一个空前规模的关于高T_c超导体的研究热潮.大量的实验以及理论研究成果发表在专业期刊和报刊上.有关超导体晶体结构和电子能带方面的研究,是探讨氧化物中高T_c起因的第一步,因此受到人们的普遍关注.本文将着重介绍金属氧化物高T_c超导体晶体结构和电子结构计算研究的一些主要成果。1

盐卤硼酸盐化学 ⅩⅢ.2MgO·2B_2O_3·MgCl_2·14H_2O结晶动力学研究

对MgO-B_2O_3-MgCl_2-H_2O浓盐溶液结晶析出氯柱硼镁石(2MgO·2B_2O_3·MgCl_2·14H_2O)的动力学过程进行了研究。利用单纯形优化法配合Runge-Kutta微分方程组数值解法对实验数据进行处理,给出了结晶动力学方程。并对硼在溶液中的存在形式进行了讨论,提出了结晶反应机理,同时考察了温度和氯化镁浓度对结晶速率的影响。

金属有机配合物-硫脲硫酸锌晶体的生长探索

采用水溶液法生长了多块厘米级金属有机配合物ZTS晶体,其中最大尺寸者达1.5cm×3.2cm×3.0cm。所得晶体无色透明,外形较完整,由10个单形、共22个晶面组成,在大气中能够长期稳定存在。该晶体在水中溶解度和溶解度温度系数都较小,在水溶液中生长其晶体以降温和蒸发相结合的方法为宜。采用X射线单晶衍射法验证了所生长的晶体。测定了该晶体的红外光谱,发现该晶体在红外光区400-4000 cm^-1范围内有较多强吸收带。

DKDP晶体生长亚稳区的影响因素

从热力学和动力学角度研究与分析了磷酸二氘钾[K(D1-xHx)2PO4,DKDP]晶体生长体系稳定性的主要影响因素,包括氘含量、溶液纯度、饱和温度、晶转(或搅拌)速度、过热温度与时间、生长均匀性、晶体受力情况、籽晶尺寸等。提出采用高纯原料、超细过滤(孔径为0.15μm)、高出饱和点10℃过热20h,以及优质点状籽晶均匀生长等措施,可拓宽DKDP晶体生长亚稳区,从而提高晶体生长起始温度达50℃以上,在溶液过饱和度较大的条件下可实现DKDP晶体全方位快速生长。

ZTS晶体生长及其非线性光学性质研究

利用水溶液缓慢降温法生长了ZTS晶体,最大尺寸达28×16×14mm3;通过X射线粉末衍射实验,得到了晶体的晶胞参数和空间群;通过粉末倍频实验测定了晶体的非线性光学性质,并与KDP晶体的粉末倍频强度对比,结果表明ZTS晶体是一种优良的、能够实现相位匹配的非线性光学晶体;用紫外-可见光谱仪测量了晶体的透过光谱,在350-1400nm波长范围内透过率超过80%。

单掺Rb^+和Cs^+的KTP晶体生长及其电导率(英文)

采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为0.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长。通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350～1100nm范围内的光透过性质未受影响。

生长方式对DKDP晶体质量的影响研究

本文进行了片状籽晶c向生长、点状籽晶全方位生长和锥头籽晶c向生长等不同方式的DKDP晶体生长研究。通过对不同生长方式分析、对比,认为锥头籽晶c向生长为最佳生长方式,以此方式在体积为10L的育晶器中顺利地生长出了c向尺寸达145mm的DKDP晶体。通过{100}晶面和{101}晶面面网密度和生长基元在不同晶面上成键的键能估算,结合晶体生长的Bravais法则和PBC理论对DKDP晶体生长习性进行了理论解释,同时对全方位生长晶体质量问题的成因进行了讨论。

Ga^(3+):KTP晶体c向电导率的研究

采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上。文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨。

催化裂化装置膨胀节失效原因分析与改造方案

针对大连石化公司催化裂化装置膨胀节的失效,利用能量色散X射线分析(EDX)、扫描电镜等手段对失效膨胀节进行检测分析,得出膨胀节失效的主要原因是膨胀节的工作温度正处于其敏化温度,在各种残余应力和硫酸、连多硫酸等特定腐蚀介质共同作用下发生的应力腐蚀开裂导致的失效;根据膨胀节的使用条件,提出采用填料函结构来补偿冷热变形的解决方案。

DKDP晶体生长溶液中多磷酸根浓度变化规律研究

本文采用离子色谱法对不同合成和晶体生长阶段的DKDP溶液中多磷酸根离子含量进行了详细测定,进而总结出合成和晶体生长过程中多磷酸根离子的浓度变化规律,并从化学热力学和动力学的角度进行了分析,提出了有效降低生长溶液中多磷酸根离子浓度的措施,为生长高质量DKDP晶体创造了条件。

Al^(3+):KTP晶体生长及其相关性质研究

采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3+:KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3+的含量,并计算出Al3+在相应生长体系中的分配系数。采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺质浓度的增加,晶胞参数逐渐减小,而倍频效应呈现略微增强的趋势。

具有非对称中心结构的硼酸盐Bi_2ZnB_2O_7的合成、晶体结构和光学性质(英文)

具有非对称中心结构的硼酸盐Bi2ZnB2O7由固相反应法在低于700℃下制备得到。X射线单晶结构分析表明,该化合物以正交空间群Pba2结晶,晶体学参数为:a=1.0819(2)nm,b=1.1023(2)nm,c=0.4890(1)nm,Z=4。其晶体结构中包含分别由[BO3]3-和[BO4]5-组成的[B2O5]4-和[B2O7]8-基团,它们被[ZnO4]四面体通过共用O原子的方式连接成二维2∞[ZnB2O7]6-层,这些层由Bi3 +离子进一步结合形成三维网。红外光谱证实了[BO3]3-和[BO4]5-基团的存在,粉末倍频效应测试表明,其强度为KDP(KH2PO4)的4倍,UV漫反射光谱表明该物质吸收边约为360 nm。