目前生产 Si Cw(碳化硅晶须 )的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类 .气相反应法应用最为普遍的是气相沉积法 ( CVD法 ) ;固体材料法生产 Si Cw主要有 VLS机理和 VS机理 .生产出的 Si Cw主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增...目前生产 Si Cw(碳化硅晶须 )的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类 .气相反应法应用最为普遍的是气相沉积法 ( CVD法 ) ;固体材料法生产 Si Cw主要有 VLS机理和 VS机理 .生产出的 Si Cw主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧 .使用 Si Cw增强、增韧的材料 ,可广泛用于航空航天。展开更多
文摘目前生产 Si Cw(碳化硅晶须 )的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类 .气相反应法应用最为普遍的是气相沉积法 ( CVD法 ) ;固体材料法生产 Si Cw主要有 VLS机理和 VS机理 .生产出的 Si Cw主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧 .使用 Si Cw增强、增韧的材料 ,可广泛用于航空航天。