基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计

本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).基于CMOS SOI工艺良好的晶体管开关特性,结合开关电容阵列及开关电感方案,提高宽带调谐电容、电感Q值,扩展VCO工作频段,降低相位噪声.同时,输出匹配网络也采用开关电容切换方式,实现了5G毫米波双频段良好阻抗匹配及稳定功率输出.流片测试结果表明该VCO可以完整覆盖5G毫米波双频段24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz,低频段输出功率-4.8~0 dBm,高频段输出功率-6.4~-2.3 dBm.在24.482 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-105.1 dBc/Hz;在43.308 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-95.3 dBc/Hz.VCO核心直流功耗15.3~18.5 mW,电路核心面积为0.198 mm^(2).低频段(高频段)的FoM(Figure of Merit)及FoMT优值分别达到-181.3 dBc/Hz(-175.4 dBc/Hz)、-194.3 dBc/Hz(-188.3 dBc/Hz).

硅基太赫兹发射机集成电路研究进展

近年来,太赫兹频段作为下一代6G通信技术的备选频段受到了广泛关注,太赫兹也成为研究热点。太赫兹集成电路(芯片)是推动各种太赫兹应用系统快速发展的关键。随着硅基工艺的特征频率/最大振荡频率(f_(T)/f_(max))不断提高,采用低成本硅基工艺,在太赫兹频段实现全集成的硅基太赫兹发射机成为可能。本文简要综述了基于硅基工艺的太赫兹发射机芯片技术的重要研究进展,包括150 GHz直接上变频发射机芯片、220 GHz滑动中频超外差发射机芯片,以及D波段直接调制发射机芯片。实验测试验证了太赫兹频段在高速通信应用中的优势,硅基太赫兹收发集成电路有望成为6G系统中突破高速数据速率需求的关键技术。

基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器

本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。

Ka波段连续波9 W GaN功率放大器

本文研制了一款采用0.15μm碳化硅基氮化镓功率MMIC工艺的Ka波段连续波功率放大器芯片。功率放大器采用了3级共源级联结构。输出级采用了16个晶体管进行功率合成,有效地分散了热分布,输出匹配网络采用低损耗拓扑架构,保证了输出功率与附加效率。级间匹配采用了最大增益匹配,同时兼顾了小信号增益平坦度。在28 GHz~30 GHz内,小信号增益为25 dB,28 V偏置电压下连续波输出功率大于39 dBm,功率增益为17 dB,附加效率大于25%,热阻为1.41℃/W。输出功率为35 dBm时,IMD 3小于-25 dBc,芯片面积为3.0 mm×3.1 mm。

低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制

采用0．18um GaAs PHEMT工艺，设计和研制了毫米波压控振荡器．该压控振荡器采用反射式结构，并针对了我国本地多点分配业务（LMDS）频段进行了优化设计，芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现，芯片的尺寸为1．2mm×0．8mm．实测性能指标为：在28．46GHz，该压控振荡器的输出功率为7．3dBm，偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc／Hz，调谐范围为27．5～30．4GHz．

800MHzCMOS低噪声放大器的设计

本文采用0. 25μmCMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器。放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感。放大器的增益为16. 4dB、噪声系数小于1. 3dB、工作电压2. 5V时,功耗为35mW。测试结果达到了设计指标,一致性良好。

聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)生产工艺与设备研究概述

介绍了悬浮聚合法、溶液聚合法、本体聚合法生产聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的工艺及设备,针对本体聚合法列举了釜管串联、环管-直管串联、釜-反应挤出3种组合形式的生产装置及工艺。对于不同的聚合方式的优缺点进行了综述及对比。

毫米波单片混频器的研制

采用0．18μm GaAs PHEMT工艺，设计和研制了34-40GHz毫米波单片混频器。该混频器选择了单平衡结构．采用180°电桥结构改善LO—RF的隔离度，并修改了该结构以方便布版。在39GHz频点上，该混频器的插入损耗小于7．2dB、LO—RF隔离度大于32dB。

间硝基苯磺酸钠的制备工艺研究

探讨了间硝基苯磺酸钠的制备工艺,研究了磺化剂的确定、磺化浓度和温度的选择、磺化的配比等.此工艺简单可行,磺化剂原料易得.原料消耗定额较低,产品收率较高,质量较好.

大力发展厦门市公共自行车系统

充分认识城市自行车交通的重要性 每年9月22日为世界无车日．世界各国将倡导城市无车活动。2012年是中国第五次配合世界无车目打造中国城市无车日活动．主题为：绿色交通，城市未来。

NK-101分子筛的合成及表征

本文使用对二甲胺吡啶为模板剂,在水热条件下合成了一种新型热稳定的微孔磷铝分子筛NK-101,并对其进行了XRD、扫描电镜(SEM)、正己烷吸附、红外吸收光谱(IR)、27Al和31p的固体魔角旋转核磁共振(MAS-NMR)的表征.证明它具有微孔结构,其孔径大于0.43nm.晶粒为大米状多边形,尺寸在几个到十几个微米,命名为NK-101.

厦门西海域岸线和滩涂存在的问题和整治开发对策研究

厦门西海域是厦门主要港区集中地,是厦门社会经济的生命线,是厦门构建海湾型城市的重要窗口,但由于历史积累下来的原因,西海域面临着环境恶化的严峻挑战,主要问题是岸线缺乏规划,功能布局不明,建设混乱;水产养殖无序发展造成滩涂大量淤积,影响航道,水质恶化.本文就西海域岸线和滩涂存在的问题进行分析,并提出相应的整治开发对策.

面板波浪力神经网络预测模型比较及优化研究

针对面板波浪力预测问题,利用Matlab软件开展了神经网络预测模型的比较和优化。首先,选取GA-BP、SSA-BP、PSO-RBF和WOA-RBF四种神经网络模型分别进行波浪力预测,通过平均绝对误差和均方根误差等评价指标,分析得到WOA-RBF神经网络预测模型表现较优。其次,针对WOA-RBF模型在应用中存在的问题,提出一种优化的IWOA-RBF神经网络,并进行该神经网络的效果研究,表明IWOA-RBF模型预测误差小,精度更准。最后,分析IWOA-RBF神经网络的主要影响因素,给出应用建议。研究成果将对面板波浪力预测技术有所提升,可为船舶和海岸工程设计、施工及防护等工作提供参考。

Ag/TiO_2复合纳米催化剂的制备和表征及其光催化活性

采用光还原沉积贵金属法 ,制备了Ag/TiO2 复合纳米催化剂 .通过调节溶液的pH值控制TiO2 表面负载银的形貌 ,利用AAS ,XRD ,TEM和XPS等手段对样品进行了表征 .以苯胺氧化为模型反应 ,考察了Ag/TiO2 复合纳米催化剂样品的光催化活性以及银沉积量和沉积形貌对催化剂活性的影响 .结果表明 ,通过调控光还原沉积条件 ,可在平均粒径为 2 4nm左右的TiO2 颗粒上获得 3nm左右均匀分散的银粒子 ;在TiO2 上沉积适量的具有较高分散度的金属Ag ,能有效提高TiO2

含铜MFI分子筛的H_2-TPR和O_2-TPD研究

采用H2 TPR和O2 TPD手段考察了不同金属离子交换的ZSM 5分子筛催化剂上的氢还原性能和氧脱附性能 .发现Cu ZSM 5催化剂的储氧能力及氧脱附性能优于Co ZSM 5和Fe ZSM 5催化剂 ;储氧能力强、低温下氧脱附性能好的催化剂 ,对NO分解反应的催化活性就高 .铜离子是反应的活性中心 .添加Ag和Ce可使Cu ZSM 5催化剂上氧的脱附温度大大降低 .Cu ZSM 5 /堇青石整体式催化剂上Cu的存在形式与单纯的Cu ZSM 5有差异 ,整体式催化剂上的一价铜数量少 。

5G及其演进中的毫米波技术

第五代移动通信(5G)低频段(Sub-6GHz)已开始商用,5G毫米波技术也逐渐成熟,预计将于2022年开始商用。第六代移动通信(6G)的研究也已启动,而且关于6G的愿景以及核心技术的论文也开始增多。本文主要讨论毫米波技术在5G及未来6G中的应用及核心作用。

基片集成波导和微带转换器的理论与实验研究

基片集成波导 (SIW)技术中非常重要的问题之一是该类波导与其它形式传输线的过渡问题 .最近已有文章探讨了SIW与微带线过渡的一种锥形结构 ,在本文中对此类结构进行了全面的拓展 ,分析了直接过渡、凸型过渡和凹型过渡几种情况 ,并实验验证了C波段的微带 SIW转换器 .实验结果表明 ,在 4 .1～ 5 .5GHz的频段内 ,驻波比小于 1.2 ,插损优于 0 .5dB .

基片集成波导定向耦合器的仿真与实验研究

基片集成波导 (SIW )是一种新型的高Q值、低损耗集成导波结构 ,易于设计和加工 ,可以广泛应用于微波毫米波集成电路中。由于与传统矩形波导的相似性 ,很多设计概念可以借用 ,比如波导功分器、滤波器、天线等。在本文中 ,我们用这种导波结构实现了两种定向耦合器 ,其结构紧凑 ,实验结果与仿真结果吻合。

用乙二醇为介质制备纳米氧化镁

用乙二醇为溶剂,Mg(NO3)2·6H2O为前驱物盐,NaOH和Na2CO3水溶液为沉淀剂,制备纳米MgO粉体,对样品进行了XRD、TEM、SEM表征.结果发现,煅烧前的沉淀物分别为纳米Mg(OH)2和Mg5(CO3)4(OH)2·4H2O,此沉淀物在430℃和530℃煅烧1.5 h,均得到晶粒较细、比表面积较大的纳米MgO粉体,其中最小晶粒尺寸和最大比表面积值分别为5.2 nm和259.8 m2·g-1.由Mg(OH)2分解得到的是重质MgO,由Mg5(CO3)4(OH)2·4H2O分解得到的是轻质MgO,且制得的MgO均保持了与相应沉淀物相似的形貌.