“‘双碳’+工业互联网”模式发展情况研究及建议

近年来,“‘双碳'+工业互联网”相关政策频出,对该模式发展给予了极大的支持。依托“全面连接、信息共享、上下联动、资源整合”等优势,工业互联网在各行业、多领域中赢得了广阔的发展空间,并已取得良好的节能降碳实践成果。但在发展过程中,产业界也清醒地认识到“’双碳’+工业互联网”模式面临诸多挑战,并采取针对性的解决措施,以助力全社会绿色低碳、安全高效、可持续发展。

常规退火与光退火固相晶化的对比

为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右。

温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响

为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。

多晶硅薄膜制备的量子态模型

本文提出量子态模型。发现在制备多晶硅薄膜过程中沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数、多晶硅薄膜晶粒大小，以及二次晶化过程符合量子态模型。

光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型

本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了分析。

光的传播与相互作用

通过对比光在相同尺寸不同材料上的衍射图样，发现光的衍射图样除了与孔的线度有关外，还与材料等其他因素有关，说明光的传播与物质的相互作用的关系，并预言X射线衍射的新现象。

磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术。先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响。

快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究

为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用 PECVD 设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率。

薄膜结构性能变化中的“温度临界点”

本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在“温度临界点”,然后借助于XRD、Ram an等测试仪器研究分析了S i薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的“温度临界点”。结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在“温度临界点”;在“温度临界点”前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点。进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中“温度临界点”可能不止一个。

硅太阳电池稳步走向薄膜化

考察了硅太阳电池在光伏产业中所处的地位,分析了薄膜硅太阳电池的发展趋势。指出硅太阳电池在未来15a仍将保持优势地位,并继续沿着晶硅电池和薄膜硅电池两个方向发展。在此发展过程中,两个发展方向的主流很可能会汇合到一起,共同促使低成本、高效率、高可靠薄膜晶硅电池的诞生和产业化,从而继续保持硅太阳电池的优势地位。

PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底温度从200℃逐渐升高到400℃、硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向微晶转变,射频功率对薄膜晶化的影响有一最优值。

Raman散射和AFM对多晶硅薄结晶状况的研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在普通玻璃衬底上制备了多晶硅(p-si)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了衬底温度、射频功率和SiH4浓度对薄膜晶化的影响,并对其结果进行分析讨论。研究结果表明,当衬底温度从200℃逐渐提高到400℃、SiH4浓度从5%降到1%,硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向多晶转变,射频功率对薄膜的晶化状况也有很大影响。

a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述

论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。

“善弈者谋势”,电信运营商应对OTT冲击需借力平台化运营

平台化是移动互联网企业发展的阶段性突出特征,平台化运营为电信运营商应对OTT冲击提供了方向。文章对平台化运营进行分析,提出运营商借力平台化运营的具体建议,比如发展理念的革新、发挥优势渐进实施、锻造产品运营实力、基于合作共赢实施平台化、内部"泛平台化"发展等。

关于三网融合的几点思考与认识

随着政策层面的实质性进展,三网融合有望带来巨大的产业规模和市场空间。但囿于实际,预计三网融合难以按设定步骤推进,实现难度较大。三网融合将进一步丰富电信运营商的媒体特质,而传统媒体宜应从战略层面把握三网融合带来的机遇和挑战。

受引力场作用的散射问题的探讨

本文用量子力学的方法处理引力场问题。

引力场量子化数学模型的尝试

量子场论把电磁场,弱、强作用场的自由场及其作用形式,用量子化的数学模型表示了出来。本文试图用类似的数学模型把引力场也表示出来。

中心场理论纲要

本文对引力现象作进一步的分析,并把它与电磁现象作比较,用统一的数学模型把它们描述出来.最后,对引力红移,水星近日点进动,雷达波时间延迟现象,用中心(?)论加以解释.

非晶硅(a-Si:H)薄膜自然衰减和中温光退火的研究

通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶.