利用磁控溅射与液氮冷凝相结合产生金属及其化合物团簇

利用磁控溅射与液氮冷凝相结合的团簇产生设备成功地制备了多种金属及金属化合物（如Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔａ，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＴａＮ）等团簇。团簇尺寸大小为２－３０ｎｍ，其微结构为晶体结构。

^(12)C重离子背散射方法及其对YBa_2Cu_3O_7超导膜界面元素扩散行为的研究

将利用^(12)C作为轰击粒子的重离子背散射技术与利用α粒予作为轰击粒子的常规背散射技术相比较,讨论了质量分辨率、深度分辨率及分析灵敏度等方面重离子背散射所表现出来的优点,并且利用^(12)C重离子背散射方法分析了YBa_2Cu_3O_7/SrTiO_3界面处元素之间的扩散行为。

荷电粒子活化分析与沟道技术相结合测定砷化镓中硼的晶格位置分布

利用荷电粒子活化分析和沟道技术相结合,通过测定从〈100〉、〈110〉及随机方向入射的氘束由^(10)B(d,n)^(11)C而产生的^(11)C的放射性活度A_(〈100〉)、A_(〈100〉)及A_T,经过理论计算,便可以得出硼在砷化镓中的晶格位置的分布。实验结果表明,在LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)砷化镓中,大部分(>95％)硼原子占据砷化镓中的取代位置,这与其它方法得出的结论是一致的。

高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０１５／ｃｍ２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０１５／ｃｍ２）的１６Ｏ，使氧在约１．５—２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００—８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当退火温度高于７００℃时，因注入形成的样品晶格损伤得到基本恢复。

横向磁场作用下真空电弧阴极过程数学模型的研究

通过联立沙哈方程、质量守恒方程、动量守恒方程、能量守恒方程、空间电荷方程、电流连续性方程及电子发射公式，建立了横向磁场作用下直流真空电弧阴极过程的定量数学模型，模型中不仅考虑了多价离子的作用，而且计及了阴极表面外加横向磁场对等离子体的影响。通过对电弧电流为８０Ａ的钛阴极真空电弧的数值求解，得到了大量等离子体参数随磁场变化的规律。计算结果与实验测量值相吻合。

纳米金属颗粒－绝缘体膜制备的研究

本文介绍了一台利用磁控溅射产生金属团簇，同时蒸发绝缘介质得到金属颗粒－绝缘体包埋团簇的设备，并利用该设备成功地制备出了Ｃｕ：ＣａＦ２和Ｔｉ：ＣａＦ２等金属颗粒膜。该设备适应性广，可产生几乎所有固体金属和半导体团簇。从而可以得到众多组合的功能膜。包埋在绝缘体中的团簇大小在１０ｎｍ－７０ｎｍ之间，为多晶结构；

团簇大小对Fe－Ag和Co－Ag包埋团簇形貌及结构的影响

利用蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，在有方华膜的电镜载网上制备了Ｆｅ－Ａｇ及Ｃｏ－Ａｇ系列纳米磁性包埋团簇，通过控制蒸发电流等沉积条件，获得了不同团簇大小的样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，当样品中Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较小时（分别为１０ｎｍ和２０ｎｍ），样品形貌表现为Ｆｅ（Ｃｏ）团簇弥散地分布在Ａｇ膜基质中，形成了Ａｇ膜对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的分隔与包埋；其结构分别为Ｆｅ、Ａｇ多晶和Ｃｏ、Ａｇ多晶共存的形态。而当Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较大时（分别为９０ｎｍ和５０ｎｍ），样品中Ａｇ原子也相对聚集，Ａｇ膜没有形成对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的完全包裹，在形貌上Ｆｅ－Ａｇ样品呈现为“串状”，Ｃｏ－Ａｇ样品呈现为“花瓣状”；

镶嵌在CaF_2介质中纳米Cu团簇微观结构的研究

利用磁控溅射产生金属Ｃｕ团簇，同时蒸发ＣａＦ_２介质，将Ｃｕ团簇包埋在ＣａＦ_２介质中。团簇大小可通过改变溅射气压控制。用ＴＥＭ研究了嵌埋团簇的结构。分析结果表明：Ｃｕ团簇呈三角状多晶结构，团簇大小为１０～７０Ｍｍｍ，基质ＣａＦ_２晶体也为多晶结构。Ｃｕ团簇的晶格常数在包埋状态下发生了膨胀，膨胀率大约在１６％左右。

碳团簇C_n^+(n=1─5)注入NaCl晶体的模型

600keV的荷能碳团族离子C+n（n=1─5）注入到NaCl单晶，当入射粒子的速度v大于玻尔速度v0（=c/137）时，能量转移主要是由入射粒子与靶原子的核外电子碰撞造成的。假定团簇中各原子的能量歧离大于它们的结合能时，团簇状态已经结束，各原子成为独立的粒子。利用Trim程序对碳团簇在NaCl单晶中的射程进行了模拟，得到团簇区域的长度为278－321nm，总射程为686nm。

嵌埋团簇Cu:CaF_2膜光学性质的研究

研究了Cu：CaF2复合膜的红外光吸收与金属团簇结构之间的关系，结果表明Cu金属的表面等离子体共振吸收频率明显依赖Cu团族的大小。随着团簇尺寸的减小，共振吸收峰发生红移；吸收峰变宽。并且在吸收峰位附近表现出较大的第三级非线性系数，其光电反应速度小于150fs。

磁控电弧离子镀阴极斑点特性的高速摄影研究

利用高速摄影技术，对磁控电弧离子镀中阴极斑点大小、寿命及运动轨迹进行了观测，获得了阴极斑点电流密度、运动速度随磁场、电弧电流及背景气体压力改变而变化的关系曲线。

真空电弧沉积的TiN薄膜表面分析

对真空电弧沉积的ＴｉＮ薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及库度分布进行了测试与分析。结果表明，薄膜中Ｔｉ、Ｎ两种元素原子比接近１：１，其它杂质元素含量极少，薄膜为ＴｉＮ单相结构，（１１１）晶面择优取向；薄膜表面形貌光滑致密，颗粒含量少；薄膜厚度分布较均匀。

双束共蒸发制备Fe－Cu包埋团簇

基于气体聚集（ＧＡ）形成团簇的过程，利用双束蒸发共沉积方法，在室温下成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包埋团簇样品。对样品的ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，平均直径为２０ｎｍ左右的Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ原子为壳的良好的芯－壳式包埋结构。

符合法弹性前冲测量重掺锑硅中氧含量

本文以能量为２７ＭｅＶ的（１２）Ｃ做为入射粒子束，采用符合法弹性前冲（ＣＥＲＤＡ）定量测量了重掺锑硅中氧含量，证实重掺锑硅中氧含量较普通直拉硅要低约４０％，且随着锑含量增加，氧含量下降．对ＣＥＲＤＡ法测量原理及影响测量精度的因素进行了分析与讨论．

注入条件对SIMOX材料的影响

利用ＲＢＳ和ＴＥＭ技术分析研究了不同注入剂量、注入方式（单重注入，多重注入）对ＳＩＭＯＸ材料各层结构的影响，特别着重研究了Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区受注入条件的影响．结果表明，在注入剂量相同的情况下，多重注入不仅能改善顶层单晶、ＳｉＯ＿２绝缘层的质量，而且能显著减小Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区宽度。

北京大学6MV串列静电加速器的运行及其应用

北京大学6MV串列静电加速器上建成4条束流输运线,加速~1H,^(12)C,^(16)O,^(19)F,^(35)Cl,^(79)Br等离子,并开展物理实验研究。首次利用D(^(12)C,p)^(13)C核反应建立起高灵敏度的氘分析法;利用共振核反应~1H(^(19)F,αγ)^(16)O分析材料中氢的深度分布;用重离子背散射分析超导材料YBa_2Cu_3O_(7-x);用35MeV^(35)Cl和45 MeV^(79)Br的弹性前冲分析不同材料中的轻元素及测定低能重离子的阻止本领等。

用符合弹性前冲法测量硅中的氧含量及其分布

采用２７ＭｅＶ的１２Ｃ５＋作为入射粒子，采用符合弹性前冲方法测量了５．６μｍ的硅样品中氧的含量及其深度分布．实验结果表明，采用１２Ｃ与１６Ｏ符合弹性前冲方法分析硅样品中的氧，其最小探测限可达２０×１０－６（原子比），深度分辨率为～４５０ｎｍ．该方法对于厚样品，尤其比常规弹性前冲优越。

Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。

LATTICE LOCATION DETERMINATION OF TRACE AMOUNT CARBON IN GALLIUM ARSENIDE BY THEORETICAL CALCULATION OF CPAA WITH CHANNELING

Combining the charged particle activation analysis (CPAA) and the (?)hanneling technique, partial concentrations of carbon on different crystal lattice locations of GaAs were calculated. The results show that at lower total concentration (≈0.3 ppm), carbon atoms occupy principally the octahedral and displaced octahedral interstitial positions, but at higher total concentration (≈2 ppm), the substitutional carbon plays a principal role.

ELASTIC RECOIL DETECTION ANALYSIS OF LIGHT ELEMENTS IN THIN FILMS USING 35 MeV^(35) Cl^(6+) BEAM

In this paper, an elastic recoil detection analysis method is described using 35 MeV 35Cl as incident ions. This method can determine and profile simultaneously H, D, He, C and O or in the other case, H, C, N and O. The depth resolution for the elements heavier than He is better than 20 nm. It has been applied to study the Co/Si and TiN thin films, and the depth profiles of He implanted in monocrystal silicon.