有源相控阵接收系统的噪声测试

讨论有源相控阵中接收系统的噪声测试问题。在推广了IRE噪声系数定义的基础上 ,采用Y参数法可测得在特定条件下各通道接收组件、子阵组件或整个接收阵的有效输入噪声温度。讨论中可设定各通道接收组件的有效输入噪声温度和增益均不相同 ,并考虑了功率合成网络的损耗。

微波集成电路技术—回顾与展望

半个多世纪来 ,微波电路技术经历了从分立电路、两维微波集成电路、三维微波集成电路等阶段。在回顾这一发展历程后 ,介绍多层微波集成电路和三维微波集成电路。阐述其产生背景、关键技术及发展方向。文中将涉及微加工技术以及从直流至射频的多芯片全集成新概念。瞻望二十一世纪前景。

关于微波固态电路的微型化技术

本文概述微波固态电路微型化技术的国际现状和发展趋势,评述单片微波集成电路技术,介绍有关微型化组件“计算机辅助工程”的概念,并赡望国内微型化前景。

介质谐振器稳频晶体管振荡器

介质谐振器(DR)系指采用高介电常数、低损耗的微波陶瓷材料所制成的谐振器。其介电常数高达30至90,其微波波段的无载品质因数则可达10,000以上;而且这种谐振器温度稳定性好,温度系数还可在一定范围内加以控制。由于DR体积小,可在较宽的微波波段与微波集成电路(MIC)相结合,并构成多种结构紧凑性能优良的无源与有源微波器件。除将要讨论的振荡器外还有滤波器、双工器、鉴频器、倍频器等等。其中介质谐振器稳频振荡器(DRO)是一种应用广泛并综合了颇多电路技术的器件。

光控介质谐振器稳频FET振荡器研究

本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。

微机电系统的微波应用

介绍微机电系统 (MEMS)这一新兴技术及其在微波和毫米波领域的应用。给出几种典型部件示例。

介质谐振器稳频晶体管振蓄器

本文利用开波导法对屏蔽情况下不对称放置的环形介质谐振器进行了区域划分,并将Itoh和Rudokas模型加以推广,用这种模型来分析环形介质谐振器中的电磁场,采用两种数学处理方法来求解其谐振频率,并编制了有关程序。将计算结果与已发表文献上有关数据比较,误差分别小于3.3%和1.2%,随后对传输型介质谐振器稳频振荡器电路作了分析。从导出的有关公式可知,振荡器频率,稳定度,效率等与振荡器,介质谐振器的参数及介质谐振器与微带线的耦合系数有关。最后实验试制了-2.64GHz的传输型振荡器,其输出率功可达20mW。在-30℃～+50℃温度变化范围内,其频率稳定度为1.8ppm/℃。电压推频系数为1.95MHz/V。

介质谐振器稳频晶体管振荡器 第四讲 振荡器电路设计

介质谐振器稳频晶体管振荡器(TDRO)结构简,体积小,成本低。它可用砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)或双极型晶体管来实现。GaAsFET振荡器的最高振荡频率大于双极型管振荡器。已报导的振荡频率前者可高达60GHz,而后者则极难超过10GHz。噪声性能方面则双极型管振荡器较好,其近载频调频噪声一般比GaAsFET振荡器低6～10dB。本讲将要引用的实例均采用GaAsFET器件,但有关分析与设计方法则对两种晶体管振荡器均适用。原则上介质谐振器稳频MIC振荡器可采用两种类型的电路来实现: (1)DR作为一无源稳频元件以适当方式耦合于晶体管自由振荡器。称为“dielectrically stabilized oscillator”。常见的这类DRO是带阻滤波器加载型。

介质谐振器稳频晶体管振荡器

第二讲介质谐振器与微带的耦合介质谐振器如同其他微波谐振器,在由其谐振模式所确定的谐振频率附近具有尖锐的谐振特性,因而可用一个由集总元件组成的等效谐振电路来表示。当DR与外电路耦合时,其等效电路的三个基本参量是:无载谐振频率f_0,无载品质因素Qu以及与外电路的耦合系数K。这里所要讨论的与DR耦合的外电路是一端或两端加载的微带线。先考虑耦合区的情况,其结构如第一讲图1.1所示。

第五讲 关于DRO的若干技术

§5.1 再谈DRO的温度稳定度前面已叙述过采用温度性能良好且温度系数可控的介质谐振器稳频法可实现结构紧凑、性能优良的TDRO。归结第四讲所讨论的各种DRO可知,它们均是由一无源电路(包含装于微带线的DR)和一产生振荡的有源器件(晶体管)所构成。因此要实现温度稳定度高的DRO,并不是简单地选用温度系数为零的介质谐振器,而是在满足振荡条件时,使主要由DR决定的无源电路温度系数补偿有源器件的温度系数。第四讲在讨论各种无源与有源稳频DRO时均导出表明这种温度补偿关系的振荡器温度系数公式。

Microwave Integrated Circuit Design Handbook

作者:Reinmut K.Hoffmann(1984 IEEE微波奖获得者) 出版:Artech House公司(美国)1987年本书给出适于微波工程师和研究人员应用的有关MIC方面的基础技术、电性能和设计。侧重于电性能分析和设计,强调应用。对于每一种设计技术和应用均作出较清楚的叙述和完整的处理。本书尽量给出电路的物理描述,避免过于冗长的数学公式,内容包含对下列议题的详细评述与研讨: