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Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线 被引量:3
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作者 高海永 庄惠照 +5 位作者 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期931-935,共5页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3 和NH3 反应合成GaN纳米线. 展开更多
关键词 GAN纳米线 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化
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氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜 被引量:1
2
作者 高海永 庄惠照 +3 位作者 薛成山 王书运 董志华 李忠 《微纳电子技术》 CAS 2004年第6期26-29,共4页
利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜。XRD测量结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利... 利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜。XRD测量结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用SEM观测了其表面形貌,PL测量结果发现了位于351nm处的室温光致发光峰。 展开更多
关键词 GAN薄膜 射频磁控溅射 ZnO缓冲层 Ga2O3薄膜 氮化
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竹叶状GaN纳米带的制备
3
作者 高海永 庄惠照 +3 位作者 薛成山 王书运 董志华 何建廷 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1-2,5,共3页
为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XR... 为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370nm处和460nm处的室温光致发光峰。 展开更多
关键词 半导体材料 GAN纳米带 氨化 挥发 ZnO/Ga2O3膜
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合成GaN粗晶体棒的研究 被引量:1
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作者 董志华 薛成山 +6 位作者 庄惠照 王书运 高海永 田德恒 吴玉新 何建廷 刘亦安 《微纳电子技术》 CAS 2005年第3期119-122,共4页
利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形... 利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。 展开更多
关键词 磁控溅射 自组装反应 GaN晶体棒
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退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga_2O_3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响 被引量:1
5
作者 王书运 庄惠照 高海永 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期568-570,591,共4页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变。同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 GAN薄膜 ZnO缓冲层 氨化反应
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Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜 被引量:1
6
作者 庄惠照 高海永 +2 位作者 薛成山 王书运 董志华 《微细加工技术》 2004年第2期37-41,共5页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga_2O_3薄膜,然后ZnO/Ga_2O_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜。XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga_2O_3薄膜,然后ZnO/Ga_2O_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜。XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光峰。 展开更多
关键词 Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层 氨化 自组装 射频磁控溅射
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浅议劳务派遣制度的不足及其完善——以《劳动合同法修正案(草案)》为视角 被引量:2
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作者 高海永 《青海师范大学学报(哲学社会科学版)》 2013年第1期27-31,共5页
劳务派遣制度自实施以来,出现了大量问题,劳务派遣用工泛滥、不规范,劳动者的合法权益得不到有效保障,同工不同酬问题较为突出,派遣协议双方存在用工隐患,严重影响劳动关系的和谐与稳定。因此,应当对劳务派遣作进一步规制。本文针对《... 劳务派遣制度自实施以来,出现了大量问题,劳务派遣用工泛滥、不规范,劳动者的合法权益得不到有效保障,同工不同酬问题较为突出,派遣协议双方存在用工隐患,严重影响劳动关系的和谐与稳定。因此,应当对劳务派遣作进一步规制。本文针对《中华人民共和国劳动合同法修正案(草案)》(以下简称劳动合同法修正案草案)拟定之劳务派遣修改,提出若干学理建议。 展开更多
关键词 劳务派遣 劳动关系 同工同酬 法律规制
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以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜
8
作者 薛成山 董志华 +4 位作者 庄惠照 王书运 高海永 田德恒 吴玉新 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期463-466,共4页
为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底。其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配... 为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底。其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。为了比较中间层的作用,对按照两种方案(使用中间层和不使用中间层)实验样品进行了测试和比较。实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 自组装 中间层 SIC
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氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管
9
作者 庄惠照 高海永 +3 位作者 薛成山 王书运 何建廷 董志华 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期121-123,共3页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构. 展开更多
关键词 GaN纳米管 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氮化
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我国集体合同制度存在的问题及其完善建议 被引量:1
10
作者 高海永 《商丘职业技术学院学报》 2014年第1期21-23,共3页
集体合同制度作为化解劳资冲突、协调劳动关系的有效形式在我国已推行二十余载,取得了一定成效,但也存在着集体合同形式化、实际作用发挥不明显等问题。其背后涉及理念、立法、体制等多方面原因。因此,应当从立法制度、运行机制和救济... 集体合同制度作为化解劳资冲突、协调劳动关系的有效形式在我国已推行二十余载,取得了一定成效,但也存在着集体合同形式化、实际作用发挥不明显等问题。其背后涉及理念、立法、体制等多方面原因。因此,应当从立法制度、运行机制和救济机制等层面对集体合同制度加以完善。 展开更多
关键词 劳动关系 集体合同 法律责任
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ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)
11
作者 庄惠照 高海永 +1 位作者 薛成山 董志华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期73-76,共4页
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微... 通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。 展开更多
关键词 氨化 ZnO/Ga2O3薄膜 挥发 射频磁控溅射
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RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒
12
作者 胡丽君 庄惠照 +3 位作者 高海永 何建廷 薛守斌 薛成山 《微纳电子技术》 CAS 2005年第9期411-414,419,共5页
利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。... 利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。 展开更多
关键词 GaN纳米棒和纳米颗粒 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化
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Si基ZnO缓冲层溅射Ga_2O_3氨化反应生长GaN薄膜
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作者 王书运 庄惠照 高海永 《理化检验(物理分册)》 CAS 2005年第9期456-459,共4页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜。利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜。利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长。 展开更多
关键词 Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层 氨化 射频磁控溅射 扫描电镜 透射电镜
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磁控溅射制作金红石——TiO_2 被引量:2
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作者 郭兴龙 于先进 +2 位作者 薛成山 董志华 高海永 《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期20-21,42,共3页
用磁控溅射方法制备了粒径大小为20nm的金红石———TiO2,用X射线(XRD)和扫描电镜(SEM)观察表面形貌,局部表观致密,颗粒大小均匀。
关键词 磁控溅射 金红石 TIO2 纳米粒子
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Fabrication of GaN films through reactive reconstruction of magnetron sputtered ZnO/Ga_2O_3 被引量:1
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作者 高海永 庄惠照 +5 位作者 薛成山 董志华 何建廷 刘亦安 吴玉新 田德恒 《Journal of Central South University of Technology》 SCIE EI CAS 2005年第1期9-12,共4页
A simple and easily operated technique was developed to fabricate GaN films. GaN films possessing hexagonal wurtzite structure were fabricated on Si(111) substrates with ZnO buffer layers through nitriding Ga2O3 films... A simple and easily operated technique was developed to fabricate GaN films. GaN films possessing hexagonal wurtzite structure were fabricated on Si(111) substrates with ZnO buffer layers through nitriding Ga2O3 films in the tube quartz furnace. ZnO buffer layers and Ga3O3 films were deposited on Si substrates in turn by using radio frequency magnetron sputtering system before the nitriding process. The structure and composition of GaN films were studied by X-ray diffraction, selected area electron diffraction and Fourier transform infrared spectrophotometer. The morphologies of GaN films were studied by scanning electron microscopy. The results show that ZnO buffer layer improves the crystalline quality and the surface morphology of the films relative to the films grown directly on silicon substrates. The measurement result of room-temperature photoluminescence spectrum indicates that the photoluminescence peaks locate at 365 nm and 422 nm. 展开更多
关键词 FABRICATION Ga2O3 film ZnO buffer layer radio frequency magnetron sputtering NITRIDING
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Improved Light Extraction of GaN-based LEDs with Nano-roughened p-GaN Surfaces 被引量:1
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作者 高海永 闫发旺 +3 位作者 樊中朝 李晋闽 曾一平 王国宏 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2008年第9期3448-3451,共4页
p-GaN surfaces axe nano-roughened by plasma etching to improve the optical performance of GaN-based light emitting diodes (LEDs). The nano-roughened GaN present a relaxation of stress. The light extraction of the LE... p-GaN surfaces axe nano-roughened by plasma etching to improve the optical performance of GaN-based light emitting diodes (LEDs). The nano-roughened GaN present a relaxation of stress. The light extraction of the LEDs with nano-roughened surfaces is greatly improved when compared with that of the conventional LEDs without nano-roughening. PL-mapping intensities of the nano-roughened LED epi-wafers for different roughening times present two to ten orders of enhancement. The light output powers are also higher for the nano-roughened LED devices, This improvement is attributed to that nano-roughened surfaces can provide photons multiple chances to escape from the LED surfaces, 展开更多
关键词 the power-law exponents PRECIPITATION durative abrupt precipitation change
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Synthesis and Characterization of ZnO Nanoflowers Grown on AlN Films by Solution Deposition 被引量:1
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作者 高海永 闫发旺 +2 位作者 张扬 李晋闽 曾一平 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2008年第2期640-643,共4页
ZnO nanoflowers are synthesized on AlN films by solution method. The synthesized nanoflowers are composed of nanorods, which are pyramidal and grow from a central point, thus forming structures that are flower-shaped ... ZnO nanoflowers are synthesized on AlN films by solution method. The synthesized nanoflowers are composed of nanorods, which are pyramidal and grow from a central point, thus forming structures that are flower-shaped as a whole. The nanoflowers have two typical morphologies: plate-like and bush-like. The XRD spectrum corresponds to the side planes of the ZnO nanorods made up of the nanoflowers. The micro-Raman spectrum of the ZnO nanoflowers exhibits the E2 (high) mode and the second order multiple-phonon mode. The photoluminescence spectrum of the ZnO nanoflowers exhibits ultraviolet emission centred at 375nm and a broad green emission centred at 526 nm. 展开更多
关键词 PULSARS x-ray spectra relativity and gravitation REDSHIFT
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财政收支划分法律制度比较研究
18
作者 王子立 高海永 《湖南税务高等专科学校学报》 2013年第3期39-42,共4页
通过对美、德、法、日等四个国家财政收支划分法律制度的立法框架和内容特点的总结分析,以期其先进法律制度和成功经验可供我国借鉴:我国各级政府事权和支出责任范围划分明确且法律化;中央税权的主导性与适当赋予地方税权相结合;地方拥... 通过对美、德、法、日等四个国家财政收支划分法律制度的立法框架和内容特点的总结分析,以期其先进法律制度和成功经验可供我国借鉴:我国各级政府事权和支出责任范围划分明确且法律化;中央税权的主导性与适当赋予地方税权相结合;地方拥有适当的财政收支自主性;财政收支划分法律制度要适合国情。 展开更多
关键词 财政收支划分 事权 支出责任 税权
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氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响
19
作者 曹文田 孙振翠 +3 位作者 魏芹芹 薛成山 庄惠照 高海永 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第3期364-368,共5页
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热... 采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 Ga2O3薄膜 GaN晶体膜 氮化温度 氮化时间 半导体
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