结构函数在大功率LED热阻测试中的应用

利用从瞬态热响应曲线中解析出的包含热阻、热容的结构函数,对大功率发光二极管(LED)传热路径上的热结构特性进行了分析。结果表明,用该方法不仅能得到器件结到环境的总热阻,更为重要的是还可从结构函数曲线图上直观地对器件各结构层的热阻进行分析,且测量重复性好,从而为评价器件的封装质量、散热性能提供直接、可靠的依据。

三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的喇曼散射谱

采用室温下微区Raman散射方法 ,观测到了GaInP2 的LO双模行为和禁戒的TO模 ,由于晶格有序导致晶体对称性从Td 降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中 ,除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2 以外 ,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明 ,随着晶格有序度的增加 ,b/a值减小。这是因为 :一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的 ,另一方面 ,还可能有LO1模和LO2 模分裂的贡献。在实验上 ,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。

(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P光致发光谱的温度依赖关系

研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17～ 2 30K范围内 ,谱线半宽从 2 4meV变到 4 0～ 6 0meV ,强度减小了大约两个数量级。对PL谱积分强度随温度变化的拟合表明 ,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于 90K ,激活能为 4～ 5meV ,温度大于 90K ,激活能为 2 5～ 55meV。认为低温区行为由带边起伏引起的载流子热离化伴随的无辐射跃迁所控制 ,而高温区取决于子晶格的有序度。

Exciton-Phonon Coupling of NN_3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP

Under heavy nitrogen doping,due to the “concentration quenching” effect,the full spectrum of the NN 3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers.This investigation offers a direct proof for that all the phonon replicas are the phonon sidebands governed by the Huang Rhys’ multiphonon optical transition theory.

GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %～ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在高组分 ( x≥ 1.3%)下 ,NNi 对之间相互作用形成的与 N有关的杂质带导致了 Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低 .同时 ,在 x=0 .12 %的 Ga Nx P1 - x中 ,得到了清晰的 NN3 零声子线及其声子伴线 ,从而直接证实了 NN3具有与孤立 N中心完全相似的声子伴线 .

三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的时间分辨发光谱

在室温和低温液氮下 ,研究了有序和无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨发光谱。对实验结果的拟合表明 ,有序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光呈双指数规律衰退。其中快过程对应着有序区域上载流子的复合 ,慢过程则对应着有序区域和无序区域的空间分离中心上载流子的复合。无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光在室温下呈单指数规律衰退。同时从低温下的时间分辨发光谱还可以看出有序样品的发光峰随着延迟时间的变长而蓝移 ,说明低温下在有序 Ga0 .52In0 .4

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了 Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～ 3.1% )混晶的喇曼散射谱 .在一级喇曼散射谱中观测到了 Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒 TO(Γ )模以及 N的局域模 (495 cm- 3) .在 N组分较高的一组样品 (x=1.3%～ 3.1% )中 ,还观察到了位于 Ga P的 L O(Γ)模和 TO(Γ)模之间的由 N导致的 L O(N)模的喇曼频移 (387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强 .在二级喇曼散射谱中 ,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰 2 L O(Γ )外 ,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰 2 L O(L )、2 TO(X)以及 L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强 .另外在组分 x=0 .6 %和 x=0 .81%的样品中 ,还得到了诸如来自不同 NNi 对或 N原子簇团的局域模和由 N导致的新的散射峰 .

GaPN混晶的瞬态发光特性

通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变。在较低组分下,样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成,从NN1 到NN4 的衰减时间分别在 90~30ns变化。当组分提高到x^1. 3%以上时,样品的发光呈现出一个宽带,并按单指数规律衰减,辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级,且随着N组分的增加,寿命相对减小;但在最高组分(x^3. 1% )时,其寿命仍与NN4 束缚激子的寿命相当 ( ~30ns),说明GaP1-xNx混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命。且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长,导致了其时间分辨谱向低能端的移动。同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中,直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象。

传统白光LED与远程荧光粉白光LED的发光性能比较

研究了传统白光LED与蓝光激发的球冠形远程荧光粉白光LED在不同电流、不同热沉温度下的发光性能,并对其机理差异展开了探讨。实验结果表明:随热沉温度和驱动电流的上升,传统白光LED的量子效率和电光转换效率急剧下降,并导致其Y/B比(Yellow/Blue Ratio)下降,相关色温上升。而在远程荧光粉白光LED中,其量子效率、光转换效率和相关色温在相同实验条件下变化幅度都较小。由光强空间分布和Y/B比空间分布可知,远程荧光粉白光LED的光强分布呈类似蝠翼分布,且Y/B比空间均匀性远大于传统白光LED。

远程荧光体白光发光二极管的发光性能

研究了高色温和低色温两种球冠状远程荧光粉白光LED在不同电流、不同热沉温度下的发光性能差异.结果表明:在大电流下,LED有源层内由于量子限制斯塔克效应使其峰值波长向短波方向移动,偏离了高色温荧光粉的最佳激发波长,更加接近低色温荧光粉的最佳激发波长.高色温LED的相关色温随电流增加呈上升趋势,低色温LED的相关色温随电流增加呈下降趋势,与它们的量子效率变化引起的色坐标漂移有很大关系.两种LED量子效率和发光效能随热沉温度的升高均呈略微增大的趋势;其中,高色温LED的量子效率和发光效能随电流的增大而减小,而低色温LED的量子效率和发光效能则随电流的增大而升高;高色温LED发光性质较低色温LED好,但色特性的稳定程度不如低色温LED.

电刷镀纳米结构镀层的发展及其机理研究走向

对电刷镀纳米结构镀层,包括纳米晶镀层、纳米颗粒复合镀层、纳米纤维复合镀层和纳米多层镀层的制备、性能及其应用进行了综述。提出了电刷镀纳米结构镀层相关机理的研究重点是:从电刷镀溶液高的金属离子含量、高的过电位和摩擦作用等对镀层形核与生长的影响研究电刷镀纳米晶的形成机理;从纳米第二相在镀液中的分散状态与负电特性及其对复合镀液特性的影响等研究复合电沉积机理;并用材料物理的方法开展强化机理的定量研究和用热力学的方法分析复合镀层的高温强化机理。

强EP元及其方程的解

通过构造可逆元素及构造特定方程在给定集合中的有解性,判定一个既是群可逆元又是Moore Penrose可逆元成为强EP元的充要条件.

发光二极管主波长的优化计算方法

从发光二极管主波长的定义出发,比较分析了计算发光二极管主波长的3种方法,并提出了一种优化的计算方法。先将色品图划分为10个区域,再结合线性插值运算,可以减少运算次数、提高寻找速度,简化了求主波长的计算过程,同时使主波长计算结果的精确度优于0.1 nm。

负偏压法测试大电压LED器件热阻

热阻是衡量LED器件散热性能的重要热学参数。采用外接负偏压恒压源方法,分别使用T3Ster/Teraled热光参数测试仪和NC2991热阻仪对正向电压超过仪器量程的同一型号功率型LED的热阻进行测试,并对两种测试结果的误差进行比较分析讨论。该方法拓展了热阻仪测量范围,使正向电压大于5V的LED器件/模块的热阻测试成为可能。

GaP_(1-x)N_x混晶中新束缚态的研究

利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列CaP_(1-x)N_x混晶的光学性质。GaP_(1_x)N_x混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带降降低的趋势。测量结果显示,在组分x≥0.24％的样品的发光谱中NN_1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,对其激活能的拟合及对时间衰退发光谱的分析表明,新的束缚态一方面仍保留有N束缚激子的性质,另一方面又表现出有别于NN对束缚激子的发光机制。说明新的束缚态有可能由新的N原子组成(如NNN原子)或与NN对束缚激子存在着某种相互作用。

LCD显示器三维色域测量和不同色空间应用对比

显示器的色域决定了显示器能够显示的颜色范围,且色域覆盖率也是显示器测试的一个重要参数。由于颜色三属性中包含亮度,所以对显示器进行色彩和色域测试时应该考虑亮度因素Y,这就需要在三维的色空间下进行分析。文中分析了LCD显示器背光源亮度对色域覆盖率和色饱和度的影响,以及色饱和度对色域覆盖率的影响。用MATLAB绘制出在不同的色空间中,运用不同计算公式所得到的三维色域分布,并就明度对色域面积和彩度的影响进行了分析和比较,CIEDE2000公式具有最好的效果,CIEL*a*b*公式第二,CIEL*u*v*效果最差。

基于二分法的RGB-LEDs配色研究

研究如何快速、精确地匹配三基色RGB的比例得到任意颜色的光具有重要意义.提出一种结构简单易于实现的RGB-LEDs配色模型,通过振幅调制电流来改变三基色LED辐射功率,从而调节各基色在混合色中的亮度比例,使得RGB-LEDs能够匹配到任意颜色.同时给出使用该模型进行配色的精确度评价指标.在此模型基础上提出一种基于二分法的RGB配色算法,使得混合颜色的色品坐标能够快速、精确地匹配到指定范围.仿真实验证明了算法的正确性和有效性.该算法收敛速度快,配色精确度高,具有很高的实用价值.

外部电压源法测试大电压LED器件/模块热阻

热阻是衡量LED器件/模块散热性能的重要参数。针对大电压LED器件/模块,实验采用T3Ster/Teraled热光参数测试仪,利用外部电压源供电方法,实现了对超过仪器量程的大电压LED器件的热阻测试。该方法拓展了热阻测试仪的常规测量范围,使正向电压大于15V的LED器件/模块的热阻测试成为可能。

基于积分球的蓝光LED荧光粉测试系统

为尽可能反映荧光粉在实际工作条件下的发光性质,准确测量荧光粉的发光性能,提出了一种基于积分球的荧光粉发光性能测试系统。该系统采用蓝光LED作为激发光源,配置有TEC控温系统对光源有效实施控温,可提供持续稳定的激发荧光粉发光。采用出光筒控制光源方向和积分球收集光线,能有效防止能量损失,提高测试的精确性。通过实验得到了不同强度蓝光激发下的荧光粉光谱功率分布以及发光效能、量子效率、光转换效率等参数的变化规律。随着驱动电流的增大,由于蓝光芯片内量子限制斯塔克效应,从而导致蓝光峰值波长出现小幅度的蓝移。三种效率在小电流下基本呈线性下降趋势,且在大电流下趋于平缓。实验结果表明,该系统及方法可以有效地评价实际LED芯片工作状态下的荧光粉发光性能。