LTCC及其在三维微波集成电路中的应用

介绍了用于三维微波集成电路(3D-MIC)的新技术LTCC(低温共烧陶瓷)的物理性能及主要特点;阐述了LTCC的制作工艺;重点讨论了基于LTCC的三维微波集成电路和内埋无源元件技术。

一种基于低温共烧陶瓷的新型多层交叉耦合基片集成波导滤波器

提出了一种4级交叉耦合的拓扑结构,并用其设计了一个多层基片集成波导滤波器.非相邻谐振腔间的交叉耦合使滤波器产生了2个有限传输零点,改善了滤波器的性能.用高频电磁仿真软件HFSS对滤波器进行设计和仿真,并用8层低温共烧陶瓷(LTCC)工艺对其进行加工.测量结果与仿真结果吻合较好,从而证明了所给滤波器结构的有效性.

宽阻带高选择性低通滤波器

提出一种新型的阶梯结构周期性紧凑型微带谐振器单元(CMRC)低通滤波器.该结构通过在周期性CMRC单元结构两端引入阶梯结构,解决了传统的CMRC低通滤波器不能同时实现通带匹配和阻带抑制的弊病.实验结果表明:使用这种新型结构实现的低通滤波器,不仅能够同时实现通带匹配和阻带抑制,且具有结构紧凑、选择性好和宽阻带的优点.

基于高阻硅的毫米波IPD滤波器研究

5G通信迫切需要毫米波集成无源器件（Integrated Passive Device,IPD）,要求该类器件低成本、高性能。基于高阻硅（High Resistivity Silicon,HRS）工艺设计并加工了一款四阶交叉耦合毫米波微带滤波器,基于测试结果和有耗耦合矩阵理论反提取得到四阶滤波器谐振器的真实无载品质因素。进而对高阻硅基的毫米波工艺参数（例如,损耗角正切）进行修正,利用电磁仿真软件进行验证;分析了金属粗糙度对于滤波器损耗的影响。修正后的模型仿真结果和测试结果吻合较好,验证了修正后毫米波段高阻硅基参数的有效性,为芯片级毫米波无源器件的设计提供了支撑。