Ge(313)表面能带结构分析

使用紧束缚最近邻近似下的 sp3s* 模型 ,利用形式散射理论的格林函数方法 ,首次分析了半导体 Ge的(313)高指数表面的表面能带结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (313)表面在二维布里渊区高对称点的波矢分辩的电子态密度和表面投影能带结构 .分析结果表明 :(313)表面在 - 12 e V到 1e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的轨道特性。

Si( 31 3)表面电子结构特性的理论研究

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的 sp3s模型 ,首次计算了半导体 Si的(31 3)高指数表面的表面电子结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (31 3)表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构 .计算结果表明 :(31 3)表面在-1 0 e V到 +2 e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的色散特性。

不同剂量电子线照射宫颈癌细胞后红外光谱的统计分析

本文通过统计方法研究宫颈癌细胞经不同剂量的电子线辐照后的红外光谱,分析不同剂量的射线对细胞造成的辐射损伤情况。结果表明:9 Gy电子线照射下与空白对照组对应谱带差异有统计学意义,有较多凋亡细胞存在;与空白对照组相比,显著度α=0.05时,差异有统计学意义的谱带概括为:磷酸二酯基团对称伸缩振动(2、6、9、11 Gy),反对称伸缩振动(2、9、15 Gy),CH3反对称伸缩振动(2、9、11 Gy),酰胺Ⅰ谱带(6、15 Gy),酰胺Ⅱ谱带(6、9 Gy),CH3反对称弯曲振动(9、15 Gy),CH2对称伸缩振动(15 Gy),CH2反对称伸缩振动(9、11 Gy),N-H伸缩振动谱带(9、11、15 Gy)。相对峰值I1 654/I1 542(9、11、15 Gy)、I2 958/I2 854(6、9、11 Gy)、I1 455/I1 398(2、6、9、11、15 Gy)差异性显著,以上谱带和相对峰强或许可以作为判别电子线对宫颈癌细胞有效作用的标志。本研究为宫颈癌治疗效果及临床拟定宫颈癌的放疗剂量提供实验依据和参考。

利用激光拉曼光谱研究^(137)Csγ射线照射人食管癌细胞的最佳剂量

目的:利用激光拉曼光谱研究137Csγ射线照射人食管癌细胞的最佳剂量。方法:人食管癌细胞(EC9706)经不同剂量137Csγ射线辐照,继续培养24h后采集其激光拉曼光谱,并对拉曼光谱进行比对分析。结果:(1)蛋白质酰胺Ⅲ带1240cm-1谱带在各剂量组出现不同程度蓝移,表明改变了β回折构象;色氨酸残基的吲哚环振动谱带550、762cm-1谱带在各剂量组中出现较明显的频移,说明其内部构象的改变;空白对照组EC9706细胞中酪氨酸是"埋藏式"的,而在4、5、6Gy组却变成了"暴露式;"(2)核酸中磷酸骨架基团的785、1096cm-1在射线剂量组出现了明显频移和散射强度变化,这可能与137Csγ射线对EC9706细胞DNA损伤,导致其增殖机制变化有关;(3)脂类中的CH2、CH3弯曲振动谱带1448cm-1仅在4、6Gy组出现频移,其它剂量组基本上没有改变。结论:4、6Gy组频移明显,说明4、6Gy组为最佳照射剂量。

电脉冲刺激穴位治疗青少年近视112眼

目的:观察电脉冲刺激穴位治疗青少年近视的临床疗效。方法:选取56例青少年近视患者112眼,给予郑州大学物理工程学院自制电脉冲刺激仪,分别刺激阳白、瞳子髎、光明、攒竹、睛明穴。1次15 min,1 d 1次,10次为1个疗程,治疗3个疗程后判定疗效。结果:治愈10眼,显效44眼,有效52眼,无效6眼,有效率占94.64%。结论:电脉冲刺激穴位治疗青少年近视疗效确切。

正常口腔粘膜和口腔鳞癌组织拉曼光谱的对比分析

本文应用激光显微拉曼光谱法对口腔粘膜和口腔鳞癌组织冰冻切片进行对比分析。发现正常口腔粘膜的1085cm-1、1134cm-1、1294cm-1、1417cm-1谱线,在癌变组织中向高波数频移4cm-1、2cm-1、2cm-1、2cm-1。可见口腔正常粘膜组织和鳞癌组织切片的拉曼谱图的这些变化,表明组织细胞在癌变过程中,其构型、构象和数量上发生了变化;磷酸基团在癌变的变化过程中遭到破坏;C=C键的张力发生改变;核酸和蛋白质均发生了变化。口腔粘膜和口腔鳞癌组织切片的拉曼光谱相对强度在1085cm-1附近,1134cm-1附近、1294cm-1附近与内标1438cm-1,1459cm-1的比值相比,明显减弱,能否成为判别口腔鳞癌的标准,有待于进一步的研究。

Sb吸附在GaAs(110)(1×1)-Sb(1ML)表面上的电子态特性

采用紧束缚的ｓｐ３ｓ模型描述体电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＡｓ（１１０）表面上的电子特性．计算结果表明：在－１２ｅＶ—＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质。

金属丝杨氏模量的测量方法

介绍金属丝杨氏弹性模量的概念和计算的理论依据,探讨测量金属丝微小伸长量的方法。详述光杠杆放大法和光电传感器法检测杨氏弹性模量的工作原理,给出检测原理图,并分别用2种方法测量长1.10 m、直径0.608 mm钢丝的杨氏模量。使用证明:光杠杆放大法测量精度高,但仪器调整难度大;光电传感器法用激光做光源,利用光电传感器作为接收器,可以直接读出伸长量的对应数值,是测量杨氏模量的简便方法,但测量精度不及光杠杆放大法。

提高《大学物理》教学质量的探索与实践

面对新形势下对高素质人才培养的需求,本文介绍了郑州大学以“在多层次大学物理教学中,加强教学内容改革、重视课堂教学、培养能力、提高素质”为核心的大学物理课程的教学改革与实践。旨在与其他院校教学改革交流经验,加强协作,为大学物理课程建设和教学改革做出贡献。

不同剂量电子线照射宫颈癌细胞后红外光谱研究

文章研究了宫颈癌细胞经不同剂量的电子线辐照后的红外光谱,比较放射源各剂量组光谱间的差异,分析了不同剂量的射线对细胞造成的辐射损伤情况。结果表明:3413cm-1在9Gy剂量组波数减小最明显,使其N-H基团氢键化;1542cm-1谱带普遍红移,蛋白质分子间的氢键遭到破坏,构象变得疏松无序,使吸收峰向低波数移动;1398cm-1向低波数频移,电子线以碰撞损失能量的方式作用于磷脂分子,改变膜脂中磷脂分子的排列状态,造成其对应红外光谱频率向低波数移动的现象;研究结果得到了电子射线辐照宫颈癌细胞的较佳放射剂量,为研究宫颈癌治疗效果及临床拟定宫颈癌的放疗剂量提供实验依据和参考。

不同参物角两次成像全息摄影的实验研究

利用普通光路,改变参物角、调整全息干板角度,实现一张全息干板两次曝光、两次成像目前尚未见报道。本研究在全息台上,通过改变参物角、调整全息干板角度,在一张干板上,成功地拍出了两次曝光的全息图,并再现。能否一张干板多次曝光,记录更多的信息,还有待于进一步研究。

基于创新理念的大学物理教学

创新是科学研究的灵魂,如何培养学生的创新精神、创新意识和创新能力,已成为大学物理教学改革的关键。从教学内容、教学方法、考核方式等各个环节入手,进行了尝试和努力,重视对学生进行创新素质与能力的培养,以启发学生创造性地学习知识、运用知识,达到培养学生创新能力的目的。

两步法制备ZnO∶Eu^(3+)薄膜及其光学特性的研究

通过两步法在普通载玻片上成功制备了具有六角纤锌矿结构且沿(002)衍射峰c轴择优取向生长的铕掺杂氧化锌(ZnO∶Eu3+)薄膜。首先利用CS-300直流磁控溅射镀膜机在载玻片上制备ZnO种子层,然后利用水热法在ZnO种子层上生长ZnO∶Eu3+薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱分析表明,Eu3+掺杂使薄膜的结晶度降低,平均晶粒尺寸变小,且(002)衍射峰的峰位向小角度偏移。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌,膜层表面颗粒分布均匀致密。室温光致发光(PL)谱测试表明,ZnO基质与Eu3+之间存在有效的能量传递,325 nm的波长激发下,在波长615 nm左右观察到强而尖锐的红色特征峰,最佳掺杂比为5%;该实验结果为扩大ZnO∶Eu3+薄膜的应用领域提供了部分依据。

反常弛豫的CuCl(110)表面电子态研究

采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 p- p和 p-

BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与大多数Ⅲ Ⅴ族和Ⅱ Ⅵ族半导体的 (110 )面的电子结构定性上是类似的 .但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别 .

水文自动测报系统的数据收集处理和系统体系结构的探讨

一、综述我国水文自动化测报技术的开发,自1978年起步,经过十几年的发展,已成为重点防洪地区收集、传送水雨情信息的重要手段,显示出常规测报不能替代的优势,受到各级防汛、水文部门的重视,得以迅速发展。截止92年初,全国已建成和投入运行的水文自动测报系统(以下简称“系统”)近百处,遥测站1700多个,但“系统”的效益并未充分发挥,主要表现在:

Ga N,Al N和 BN(110 )表面反常弛豫的电子结构计算

在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体 Ga N,Al N和 BN(110 )反常弛豫表面的表面电子结构 ,讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响 ,并将结果同 Ga As(110 )表面的表面电子结构作了比较 .