智能剥离SOI高温压力传感器

采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约

多孔硅的微观结构及其氧化特性

采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．

微电网技术综述(英文)

微电网是分布式电源接入电网的一种有效手段,逐步引起广泛关注。新能源的利用将使微电网的建设出现高速发展期,本文概述了微电网的概念和主要特点,综述了微电网国内外的发展状况,阐述了微电网的基本结构。并从能量管理、控制策略、继电保护等方面阐述了微电网技术近年来的研究热点及发展趋势,讨论了需要解决的若干关键的技术问题。最后结合微网的研究热点,阐述了经济运行与安全机制的问题。

采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究

本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄ＳＯＩ结构进行了分析，结果表明其顶层硅膜单晶性好，硅膜和埋层氧化层界面平整．实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件．在硅膜厚约为８０ｎｍ的ＴＦＳＯＩ材料上制备了ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ，输出特性良好．

高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究

本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon）技术在n-／n＋／n-衬底上形成的SOI（SiliconOnInsulator）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从100nm到数μm），且硅岛宽度可大于100μm．XTEM结果显示顶层硅／氧化层界面非常平整和均匀．在硅膜厚300nm的FIPOS衬底上采用2μm硅栅工艺制备了N沟和P沟MOS晶体管和21级环形振荡器，环振的门延迟为396ps.

多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应．结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用．采用ＸＴＥＭ分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性，发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区。

多孔硅及其在SOI技术中的应用研究

对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ－／ｎ＋／ｎ－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。

虚拟物流企业的风险管理研究

系统研究虚拟物流企业的风险机理,可能存在的风险种类。探讨风险区间评价方法,建立风险评估的层次模型,给出风险防范的对策。

快速热工艺氧化法生长超薄SiO_2层的研究

在卤素钨灯和弧光灯二种不同辐射热源的快速热工艺系统中用快速热工艺氧化法制备了超薄(20埃-400埃)的SiO_2薄膜.对快速热工艺氧化的生长动力学进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能.对二种不同快速热工艺系统所得结果作了比较.本文还讨论了快速热工艺氧化中,温度骤变过程的氧化效应.最后,本文提出了“温度骤变(Temperature Ramp-only)快速热氧化”技术,该技术特别适于制备20埃到60埃的超薄SiO_2层.

快速热工艺系统中的氮-硅反应

本文报道了以卤素钨灯为辐射源的快速热工艺(RTP)系统中的氮-硅直接热反应并和在常规电阻丝加热氧化炉中的氮-硅反应作了比较。并研究了RTP系统中氮-硅反应生成的超薄含氮表面层对氧化的抑制效应。实验结果表明,含氮表面层的生成以及对氧化的抑制效应和硅片初始氧化层厚度、氮-硅反应时的条件有关。

指数迭代的极限函数的性质(英文)

给出了指数迭代序列的极限函数的一些性质.

光声光谱法探测微量气体

介绍光声光谱气体传感器的发展及应用意义,根据气体光声效应讨论了光声气体传感器的工作原理,详细分析了多种不同结构传感器的原理及优缺点。重点讨论了常用一维管状光声腔体的光声理论,并给出了数学模拟模型。根据国内外的研究现状,分析了光声气体探测系统的重难点以及可能的解决方法,并讨论了光声传感向MEMS方向发展的原因及意义。

一种可直接脉冲调制的MEMS红外激发源

针对红外气体探测器对光源的要求,结合现有MEMS(微机电系统)工艺及与其兼容的IC工艺,研制了一种可用于红外多气体传感器的脉冲式MEMS辐射光源.该光源主要有Si3N4/SiO2的复合支撑层和铂金发热电极组成,可以产生相当于黑体300～800 K的红外辐射,在温度T＝1 106 K时有λ=2.62 μm峰值辐射波长;并且光源有足够强的辐射强度和2～15 μm红外辐射波段,能够满足大部分气体在2～14 μm波长范围内特征的吸收谱线的要求.经过对辐射元的动态测量可知,辐射源的动态调制频率可达到50 Hz,完全能够满足气体测量对所需红外光源调制频率的要求.

用于火灾探测的非色散红外吸收气体传感器

基于朗伯-比尔吸收定律建立了便携式非色散红外气体传感体系,并成功的应用于火灾现场生成气体的实时检测。该体系利用直接电调制的红外辐射源、窄带薄膜干涉滤光片和高灵敏度的TGS热释电红外探测器,很大程度地降低了系统的成本和体积,提高了探测灵敏度。通过对CO、CO2、NH3和SO2四种火灾现场燃烧生成气体在不同浓度状态下的测量,证明系统对所测气体可以达到了几十个微量级的探测极限,响应时间均小于20s,具有较好的稳定性,能够满足一定的测量要求。

用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构

用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.

沸石分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

研究了Cu2+-Beta型纳米分子筛对类神经毒剂DMMP有机气体的敏感特性,并结合高灵敏的石英谐振微天平(QCM)研制了DMMP气体的传感器.研究结果表明,选择Cu2+-Beta纳米分子筛作为敏感膜对DMMP气体的检测灵敏度大大提高,达到14.4811Hz/lg(C/ppm).在0.2ppmDMMP气体浓度下,传感器的响应时间和恢复时间分别为40s和100s,响应达到103Hz.同时经过高温和水汽吹扫脱附处理,该传感器表现了较好的重复性.

二维金属亚波长孔阵列的强透射特性研究进展

光通过二维金属亚波长孔(孔的直径不超过入射光波长的一半)阵列(TDMSHA)时,由于入射光与金属表面自由电子的电荷密度波发生共振耦合作用,会在特定的波长内表现出窄带透射增强。TDMSHA对光具有的透射增强与滤波特性在纳米光学、光电子、化学传感和生物物理上都有着十分重要的潜在应用。文中回顾了该特性的研究历史,详细地阐述了其发生的物理机理,对近十年来该特性在机理、材料、结构等方面的研究进展作了总结,对其前沿研究热点和应用前景分别进行了分析与展望。

微悬臂梁在化学及生物传感器中的应用进展

微悬臂梁结构传感器以其低成本、小体积、高性能在当今传感器研究中愈来愈受到重视。文章概述了以微悬臂梁为主要结构的传感器在化学及生物探测中的应用进展,介绍了几种可能用于化学和生物探测的高性能微悬臂梁传感器。

MEMS红外光源及应用

针对传统红外光源需要另加调制部件,使得传感体系价高和笨重的不足,利用微电子工艺研制了一种用于便携式非扩散红外气体传感器的电调制红外光源,并对其辐射特性进行了测试。将光源应用于自行搭建的小型红外吸收气体传感系统中,对不同气体体积分数的CO2和SO2气体进行探测,测量精度分别达到20×10-6和50×10-6气体体积分数。重复测量偏差在10%之内,且光源辐射性能稳定,可用于多组分气体探测。

高灵敏度电容型透明质酸结合蛋白免疫传感器的研制

实验用金电极自组装技术构建透明质酸结合蛋白电容型免疫传感器 ,采用交流阻抗技术对电极表面生物绝缘膜进行研究。按R(RC)等效电路图对其阻抗谱进行拟合的偏差较小 ,显示实际体系接近于拟合的电路图。该传感器对 1～ 10 0mg L抗原具有良好的线性响应。构建的生物膜对于一定范围的离子强度、酸度具有良好的稳定性 。