MPTP对小鼠多巴胺能神经元细胞MN9D凋亡的影响

目的:探讨MPTP对小鼠多巴胺能神经元细胞MN9D凋亡的影响及其可能机制。方法:MN9D细胞分别以0、1μmol/L MPTP处理(对照组和MPTP组),或分别以pcDNA4、pcDNA4-BACE2转染(对照组和BACE2组),采用Western blot法检测BACE2、Cleaved Caspase-3和内源性DSG2蛋白的表达。MN9D细胞分为DSG2组、DSG2+BACE2组和DSG2+BACE2+BACE抑制剂组,分别转染pENTER-DSG2+pcDNA4、pENTER-DSG2+pcDNA4-BACE2以及转染pENTER-DSG2+pcDNA4-BACE2后用1μmol/L的BACE抑制剂处理,采用Western blot法检测DSG2全长以及DSG2各片段的表达。结果:与对照组相比,MPTP组中BACE2及Cleaved Caspase-3表达均上升(P<0.05);与对照组相比,BACE2组Cleaved Caspase-3表达增加,内源性DSG2表达减少(P<0.05)。与DSG2组相比,DSG2+BACE2组中全长DSG2表达下降,DSG2羧基末端片段以及胞外DSG2氨基末端片段均增多(P<0.05),而DSG2+BACE2+BACE抑制剂组中全长DSG2及各DSG2片段的表达与DSG2组相似(P>0.05)。结论:MPTP可通过上调BACE2促进MN9D细胞凋亡,其机制可能与BACE2对DSG2的剪切有关;BACE2和DSG2可能参与了帕金森病的发病。

偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究

针对22 nm FDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于Sentaurus TCAD仿真工具对22 nm FDSOI NMOS进行建模,仿真研究了22 nm FDSOI NMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理。仿真结果表明,22 nm FDSOI NMOS的敏感区域为体区和靠近体区的LDD区域;随着偏置电压的升高,漏端总收集电荷逐渐增大,漏端瞬态脉冲电流的脉冲宽度逐渐减小;相较于偏置电压对单粒子瞬态的影响,工作温度对22 nm FDSOI NMOS单粒子瞬态的影响并不明显。