显示技术新进展

叙述了 CRT、 LCD、PDP、 FED及OEL技术发展和趋势。在显示领域里 TFT LCD的技术进步是最快的,例如:在6～7年时间里,分辨率由CGA(320×240)发展到UXGA(1600×1200);像素密度超过 200dpi;用光学补偿膜或IPS、 MVA、 SAM等技术得到宽视角,克服了 LCD显示视角窄的缺点;用低温多晶硅技术,把周边驱动电路集成到 TFT LCD屏上等。最后描述了我国显示技术发展现状与前景。

液晶显示技术发展轨迹

介绍了TFT LCD技术发展的评估结果、集成技术、材料及液晶显示新模式等。评估结果表明TFT LCD发展速度为4.1～5.1倍/3年,其发展速度是以基板玻璃尺寸、屏尺寸及分辨率等发展速度相乘而得的,略快于微电子的发展速度(4倍/3年)。

有源矩阵OLED

介绍了OLED的工作原理、器件结构、有源驱动等,有机发光器件由ITO阳极、金属阴极和多层有机薄膜构成,其中各有机层分别起电子、空穴传输、复合发光及缓冲作用,讨论了发光效率和器件寿命及可靠性等问题。

平板显示技术的发展

介绍了平板显示发展动态 ,重点介绍液晶显示发展动态。TFT LCD发展速度符合西村 北原规则 ,其规则指出TFT LCD增长速度为 3年增长 4倍 ,其数值是玻璃基板尺寸增长速度为 1 8倍 /3年 ,屏幕尺寸增长速度为 1 44倍 /3年 ,分辨率增长速度为 2 5倍 /3年及灰度增长速度为 1 7倍 /3年等相乘而得的。该结果表明TFT LCD增长速度相当于遵守摩尔规则的微电子发展速度。

LCOS技术的发展

介绍了LCOS器件结构 ,应用中的关键问题。描述了投影显示关键参数 (分辨率、对比度、投影光学、系统的光通量、彩色化、灯及屏幕 )及优化方法。讨论了有待于研究开发的问题 。

液晶显示技术的开发和产业化——庆祝中国科学院长春光学精密机械与物理研究所建所50周年

介绍中国科学院原长春物理所1969年国内首次开展研究液晶显示技术以来TN、STN、a SiTFT及低温p SiTFT LCD的研究和取得的科研成果,并叙述了科技成果与吉林省液晶产业、联信STN LCD产业结合的情况。

无阈值铁电液晶

简要介绍铁电、反铁电液晶的发现、发展、显示应用中遇到的问题以及近来发展起来的无阈值铁电液晶的研究结果。最后讨论无阈值铁电液晶应用前景。

TFT LCD技术的进步

叙述近年来ＴＦＴＬＣＤ品质的改善和技术进步以及信息系统集成在ＴＦＴＬＣＤ屏上的新技术。

液晶显示技术的回顾和展望

本文简要地回顾并展望了液晶显示技术的发展。液晶显示技术的发展可分为三个阶段：液晶显示技术完善和开拓阶段；向ＣＲＴ技术挑战阶段；向印刷技术挑战阶段。液晶显示最终发展成书本式多媒体终端显示，人们用它可随时随地实时地在全球范围内进行信息交流。

TFT LCD——未来主流显示技术

有资料表明,未来10年不可能有在性能上优于TFT-LCD的显示器问世,TFT-LCD产品将会越来越成熟。所谓平板显示器时代,实际上就是液晶平板显示时代。我国也将在最近10年内成为世界上重要的液晶平板显示基地之一。

在ZnS_xSe_(1-x)单晶中本征缺陷的研究

本文用气相法生长ZnS_xSe_(1-x)(x=0.03)单晶,解理得到(110)面晶片。在组分分压(Zn或S/Se或Se)下300—800℃范围内进行热处理,在4.2K激子发射光谱中观察到与V_(Zn)(Zn空位)有关的I_1deep谱线强度的变化。当热处理温度低于300℃时,未观察到I_1deep谱线强度的变化。在300℃以上热处理样品中均观察到I_1deep谱线强度的变化。由此研究了V_(Zn)浓度随热处理条件的变化。提供了分别控制本征V_(Zn)缺陷和掺杂的实验依据。

显示技术的发展

日本产业界把电子器件分为电子管、IC(集成电路)、分立器件与FPD(平板显示器件)四类,随着时代的发展,四大类产品的市场发生了很大的变化,目前,从大至小依次是:IC、FPD、分立器件、电子管,可见FPD已越居第二位。FPD的发展主流是LCD,除此之外,还有PDP、VFD、LED、OLED等,它们各有千秋,技术、市场与应用值得关注。

低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能

研究了直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ＩＴＯ薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ＩＴＯ薄膜，可见光透过率高于８５％，在厚度为１００ｎｍ时其方块电阻在１５０～２００Ω／□之间，并且ＩＴＯ薄膜的制备工艺完全与ＡＭＬＣＤ中ＴＦＴ器件的制作工艺兼容。

VGA TFT LCD的驱动电路设计

介绍了VGA TFT LCD驱动电路的设计思想、 所使用的行反转驱动方法及其优点、 数据驱动器的工作原理和灰度级实现方法以及扫描驱动器的工作原理。 详细地分析和计算了公共电极驱动Vcom调节方法， 并有效地解决了由于TFT寄生电容引起的电压跳变而导致的图像闪烁问题。

聚合物分散液晶膜中液晶分子的电场取向效应

制备了液晶微滴在聚合物基体中呈独立分散且具有不同尺度的ＰＤＬＣ复合膜，利用偏光显微镜实时地观察了微滴内液晶织构在适度电场作用下的变化特性，获得了有关微滴内液晶分子的动态取向信息。实验发现，当施加的电压由饱合值降低时，不同尺度的微滴内液晶分子呈不同的电场取向效应，对直径大于十几微米的微滴，液晶分子易呈现较强的取向滞后效应，而直径在微米量级的液滴其液晶分子的电场取向滞后效应相对减少。微滴内液晶分子的这种取向滞后效应正是ＰＤＬＣ膜在宏观上呈现光透过率滞后现象的反映。从作用能的角度出发，讨论了影响微滴内液晶分子取向滞后效应的因素，如微滴与基体的界面作用、液晶微滴的形状、电容效应以及工作温度等。

光控取向弱锚定表面的液晶分子排列

研究了光敏聚酰亚胺ＰＩ（ＢＴＤＡ－ＴＭＭＤＡ）用于液晶取向时的弱锚定边界特性。实验测得了两基板皆为摩擦取向层扭曲向列液晶显示器件（ＤＲ－ＴＮ－ＬＣＤ）及两基板皆为光控取向层的扭曲向列液晶显示器件（ＤＬＰＰ－ＴＮ－ＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性曲线。研究了液晶排列的稳定性，讨论了液晶分子在光控取向弱锚定表面上的排列机理。

TFT液晶显示屏驱动方法的研究

详细分析了当前TFT-LCD驱动电路所使用的场反转、行反转和列/点反转驱动方法,说明了每种方法的优。

光散射液晶偏振片电光特性的研究

沿面均匀取向的正性向列液晶被聚合物网络稳定后具有电场可调的光散射各向异性 ,即起偏特性。研究了聚合物单体与向列液晶以不同浓度配比条件下制成的偏振片电光特性 ,得到低压驱动的、且与常规偏振片结合具有高对比度开关能力、快速响应的光阀器件。

激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究

利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。