64×64元InSb凝视红外焦平面探测器研制

阐述了InSb凝视红外焦平面器件的结构形成、参数设计以及信号噪声的分析,研究了制造中的技术难点及解决途径,给出了所研制的64×64元InSb凝视红外焦平面探测器的测试结果并进行了分析。

InSb凝视红外焦平面组件研制和应用

研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。

混成式焦平面阵列芯片倒装互连技术研究

介绍了为保证倒装焊接性能，设备所采取的措施。对比了不同形貌铟柱的优缺点，分析了互连可靠性与铟柱高度的关系，介绍了考核互连可靠性的方法。通过互连技术研究，我们实现了较高性能的倒装互连，互连条件选择温度在60℃-140℃范围，压力范围0．1克／铟柱-0．5克／铟柱。互连连通率〉99．9％，互连后的芯片组件在低温（77K）与常温（23℃）间不少于100次的反复冲击的情况下，测试接触性能及InSb二极管性能都无变化，满足了互连器件可靠性要求。

积分时间和工作电压对焦平面探测器性能的影响

测试了采用某CTIA型读出电路的128元InSb焦平面探测器在不同积分时间和工作电压情况下的特性,分析了实验中遇到的一些现象,得到了使焦平面探测器综合性能较高的积分时间和工作电压的取值区间,为设计CTIA型读出电路提供了参考依据。

增强混成式焦平面器件互连芯片可靠性的几点措施

主要讨论了互连及后继工序对互连芯片的要求,以及提高五连芯片可靠性的几点措施,如重熔原理与方法、互连参数选择、聚胺树脂填充等。文中所采用的红外器件为InSb面阵芯片,CMOS读出电路制作在Si材料上。

混成式焦面器件中InSb背面减反/钝化膜研制

InSb凝视焦平面器件(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需在表面沉积减反/钝化膜,增大InSb芯片对红外光的吸收,同时减少载流子的表面复合。本文介绍了采用等离子化学气相沉积(PECVD)方法在几种不同沉积条件下生长的SiO_x,测量其光谱透过率及C-V特性,通过对沉积条件进行优化分析,获得了适合于FPA中InSb芯片的既能有效减反又可以有效降低表面复合的沉积条件。

锑化铟光伏器件温度特性分析

锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ。本文介绍采用金属变温杜瓦瓶在不同温度下测试了锑化铟光伏器件的光电特性，其结果显示出锑化铟光伏器件在高于７７Ｋ一段温度范围内也能满足工作需要，因此为锑化铟制冷探测器的设计提供了一定的依据。

初中物理教学中如何激发学生学习物理的兴趣

一、师生情感相融有利于激发学生的学习兴趣"没有人的感情,就从来没有也不可能有人对真理的追求。"教学过程是师生情感双向交流的过程,物理课的教学实践证明,以师生之"情"为基础,可以唤起学生的学习兴趣。一般来说,学生对某位老师感情越好,就越爱听他的课,愿意学习老师讲授的知识,并表现出浓厚兴趣。反之。

非致冷探测器阵列的读出方式

介绍了热辐射计型非致冷探测器阵列的几种读出方式,对它们的工作原理及特点进行了分析,为非致冷探测器阵列,以及光导焦平面探测器阵列的研制提供参考。

面阵焦平面阵列积分方式的研究

研究了面阵焦平面阵列的两种积分工作方式:先积分后读出方式和边积分边读出方式。对两种积分方式及其优缺点进行了分析与比较,给出了焦平面阵列在两种积分方式下的性能测试,为面阵焦平面阵列两种积分方式的应用提供了重要的参考依据。

量子阱红外探测器

八十年代后期,贝尔实验室首先提出了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)结构的红外探测器,并报道了器件性能。近几年来,广泛开展了对量子阱等超晶格结构的红外探测器的研究,特别是128×128元二维阵列的开发,其优异的红外图像证实了GaAs/AlGaAs量子阱探测器的潜在能力。 本文介绍了量子阱红外探测器技术的发展动向。以GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器为主,简要概述了各种器件的结构、工作原理及性能;同时对不同结构的器件进行了比较,并且介绍了它们在红外成像方面的应用。