Simulation Research of Transient Over-voltage on High-voltage Shunt Capacitor Banks

With the development of power systems,a large number of shunt capacitors are used to improve power quality in the distribution network.The shunt capacitor banks are operated much frequently,as a result,the capacitor banks will bear large numbers of over-voltage inevitably.If the over-voltage exceeds certain amplitude,the capacitor will be damaged.This paper aims at the capacitor banks in the 35 kV side of Shanghai Xu-xing 500 kV substation,and applies ATP-EMTP to simulate the over-voltages generated by operating the switches under different angles of the source.Finally,according to the results of simulation and theoretical analysis,a best choice(i.e.angles of the source) to switch on capacitor banks is proposed.In this case the over-voltage on the capacitor will be limited to lowest.

基于MgO磁性隧道结的五种隧穿磁电阻线性传感单元性能比较

磁性隧道结经过结构优化和性能提升已成功应用于磁存储、磁传感、磁逻辑等多种自旋电子学器件中.磁传感是利用磁性隧道结的自由层和钉扎层之间特殊的磁结构来实现隧穿磁电阻(TMR)随外加磁场变化而呈现的线性输出.迄今为止,人们基于MgO磁性隧道结已经研发出五种TMR线性传感单元,分别是人工间接双交换耦合型、磁场偏置型、面内/面外垂直型、超顺磁型的TMR线性传感单元.本文梳理了这五种TMR线性传感单元并对它们的磁传感性能进行了系统比较,为人们探索和发现磁敏传感器的相关应用提供了帮助.

基于多孔式敏感膜片的MEMS光纤珐珀传感器及其局部放电检测

基于微机电系统(Micro-electromechanical Systems,MEMS)的非本征光纤珐珀超声传感器具有抗电磁干扰、信号传输距离远、体积小、质量轻等特点,对电力设备中局部放电所释放的超声信号有着良好的检测与定位能力。该型传感器的敏感结构通常为圆形完整膜片,其加工方法相对简单,但是膜片的内外温度差异或压力不平衡会导致传感器性能指标的偏移,减小或消除这种影响是促进光纤珐珀超声传感器工业化应用的基本前提。提出了一种基于多孔式敏感膜片的光纤珐珀超声传感器,敏感膜片采用MEMS工艺制造,其厚度仅有5μm,加工方法简单,成本低廉;进一步地,结合3D打印技术与防水透声膜完成了敏感膜片的保护性封装。实验结果表明:该传感器在液体中具有良好的超声响应,静压灵敏度可达到1.25 V/Pa,距离衰减、方向响应与静态压力等性能与空气中保持相同规律,且通气孔避免敏感膜片内外出现气压不平衡的情况。因此,该传感器在液体中局部放电检测领域展现出较好的应用潜力。

110kV同塔三回输电线路异常雷击同跳故障机理分析及防护

为分析同塔非对称排列三回输电线路异常雷击同跳故障机理,以华东电网一条110kV非对称排列三回输电线路异常雷击同跳故障为例,分析了故障产生原因为雷电反击;再分析了雷击时刻各相绝缘子电压分布,研究了不同雷电流下闪络情况,找到了造成异常三回同跳的原因,并提出防止多回同跳的措施。结果表明,由于工频电压叠加作用,使得各相绝缘子电压分布不一致,B相电压较低无法闪络,#1回A相因工频电压较低难以建弧,#2、#3回A、C相耐受电压在临界击穿电压附近,造成部分相击穿并闪络,部分相未击穿或无法成功建弧;降低接地电阻、架设耦合地线、改变相序排列及布设避雷器等措施可有效降低故障发生概率。研究结果为110kV非对称同塔三回线路防雷改造提供指导。