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采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件
1
作者
Yong In Park
Tae Jun Ahn
+5 位作者
sung ki kim
Jae Yong Park
Juhn S.Yoo
Chang Yeon
kim
Chang Dong
kim
孙海涛
《现代显示》
2003年第6期20-23,共4页
我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效...
我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。
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关键词
光掩模
AMOLED
有源矩阵有机发光二极管
多晶硅薄膜晶体管
TFT
下载PDF
职称材料
题名
采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件
1
作者
Yong In Park
Tae Jun Ahn
sung ki kim
Jae Yong Park
Juhn S.Yoo
Chang Yeon
kim
Chang Dong
kim
孙海涛
机构
L.G.Philips LCD.
北京维信诺科技有限公司
出处
《现代显示》
2003年第6期20-23,共4页
文摘
我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。
关键词
光掩模
AMOLED
有源矩阵有机发光二极管
多晶硅薄膜晶体管
TFT
Keywords
photo-marsk process
AMOLED
p-channel TFT
分类号
TN873 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件
Yong In Park
Tae Jun Ahn
sung ki kim
Jae Yong Park
Juhn S.Yoo
Chang Yeon
kim
Chang Dong
kim
孙海涛
《现代显示》
2003
0
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