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Recent advances in two-dimensional photovoltaic devices
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作者 Haoyun Wang Xingyu Song +6 位作者 Zexin Li Dongyan Li Xiang Xu yunxin chen Pengbin Liu Xing Zhou Tianyou Zhai 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第5期26-40,共15页
Two-dimensional(2D)materials have attracted tremendous interest in view of the outstanding optoelectronic properties,showing new possibilities for future photovoltaic devices toward high performance,high specific powe... Two-dimensional(2D)materials have attracted tremendous interest in view of the outstanding optoelectronic properties,showing new possibilities for future photovoltaic devices toward high performance,high specific power and flexibility.In recent years,substantial works have focused on 2D photovoltaic devices,and great progress has been achieved.Here,we present the review of recent advances in 2D photovoltaic devices,focusing on 2D-material-based Schottky junctions,homojunctions,2D−2D heterojunctions,2D−3D heterojunctions,and bulk photovoltaic effect devices.Furthermore,advanced strategies for improving the photovoltaic performances are demonstrated in detail.Finally,conclusions and outlooks are delivered,providing a guideline for the further development of 2D photovoltaic devices. 展开更多
关键词 two-dimensional materials photovoltaic devices PHOTODETECTORS solar cells HETEROSTRUCTURES
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具有亚2-nm沟道长度的二维垂直p-n结二极管 被引量:1
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作者 王浩云 宋星宇 +6 位作者 李东燕 李泽鑫 许翔 陈韵欣 刘鹏斌 周兴 翟天佑 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第9期3637-3643,共7页
尺寸极限微缩的p-n结二极管对互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展至关重要.然而,由于界面缺陷和短沟道效应,实现5 nm以下沟道长度的p-n结二极管仍然面临着巨大的挑战.本文展示了1.9 nm沟道的WSe_(2)/WS_(2)垂直p-n结二极管,实现... 尺寸极限微缩的p-n结二极管对互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展至关重要.然而,由于界面缺陷和短沟道效应,实现5 nm以下沟道长度的p-n结二极管仍然面临着巨大的挑战.本文展示了1.9 nm沟道的WSe_(2)/WS_(2)垂直p-n结二极管,实现了~8×10^(3)的高开关比和~17的整流比.此外,沟道长度为4.7 nm的器件具有~10^(4)的高开关比和~10^(3)的整流比.其高性能源于无肖特基势垒的接触导致的理想带排列,以及无缺陷的全范德华(vdW)界面导致的低隧穿电流和小的费米钉扎效应.因此,我们实现了p-n二极管的本征性能.该策略也可以扩展到其他的p-n结,如WSe_(2)/MoSe_(2)和WSe_(2)/MoS_(2),这表明我们的策略具有普适性.该策略为电子器件尺寸微缩和集成电路的进一步发展提供了新的思路. 展开更多
关键词 沟道长度 肖特基势垒 短沟道效应 隧穿电流 开关比 集成电路 二极管 界面缺陷
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