液相先驱体转化法制备ZrC粉末及合成机理

以氯氧化锆、丙醇、丙三醇和乙酰丙酮等为基本原料合成了锆的有机先驱体溶液,采用液相先驱体转化法在1 500℃制备了ZrC粉末。运用FTIR对锆的先驱体溶液的组成、结构以及形成机理进行了分析,用XRD和EDS分析了粉末的形成机理,用SEM观察了粉末的形貌。结果表明,有机锆的先驱体溶液具有螯和的链状或网状结构;先驱体溶液干燥后的粉末呈蜂窝状结构,在不同热处理温度下获得面心立方的ZrC粉末。经过热力学计算结果表明,C还原锆的氧化物开始生成ZrC的最低温度为1594℃,实验温度低于理论温度,在1500℃时获得面心立方的ZrC材料。

SiC粉体表面性质及其浆料流变性质研究

研究了两种不同来源的SiC粉体的表面性质及其浆料的流变性质．发现尽管两种粉体的粒径分布相近，形貌相似，但由于粉体表面性质的差别导致两种粉体形成的浆料有不同的流变性质．其中SiC－1粉体需添加分散剂PEI形成稳定浆料，其最高固体含量为40vol％，而SiC－2仅依靠调节浆料的pH至10左右即可以获得固体含量高达55vol％的稳定浆料．

激光制备碳化硅纳米粉的研究

以廉价有机硅烷反应物—二甲基二乙氧基硅烷为原料 ,采用激光气相法合成了纳米SiC粉。详细研究了载气对粉体产率的影响 ,并对粉体的合成方法。

纳米碳化钨粉的研究及应用开发动态

碳化钨粉是生产硬质合金的重要原材料 ,纳米碳化钨粉可使硬质合金具有许多更加优良的特性。本文对近年来纳米碳化钨粉的研究和应用发展动态进行了归纳和评述 ,并对存在的问题提出了一些见解。

自蔓延高温合成TiC-Al_2O_3-Fe系金属陶瓷的致密化研究

采用SHS／PHIP工艺制备出了致密的TiC-Al2O3-Fe系金属陶瓷．研究了延迟时间、高压持续时间、压力及Fe含量对合成TiC-Al2O3-Fe金属陶瓷密实度的影响．结果表明，采用SHS／PHIP技术制备TiC－Al2O3-Fe系金属陶瓷时，合成产物中气体的排放、液相的存在发组成相之间的润湿性是制各密实材料的关键．

自蔓延高温合成碳化钛粉末

综述了自蔓延高温合成碳化钛粉末的研究成果，包括热点火、燃烧反应动力学、工艺过程、碳钛相互作用机理及实验方法等，并指出了其发展趋势。

球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察

在室温条件下，球磨Ｓｉ，Ｃ混合粉末合成纳米尺寸ＳｉＣ．采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程．高分辨像表明，在球磨过程中首先形成非晶 Ｃ（ａ－Ｃ）、非晶 Ｓｉ（ａ－Ｓｉ）以及纳米晶 Ｓｉ（ｃ－Ｓｉ），为合成 ＳｉＣ提供了适宜条件 ＳｉＣ的合成主要是通过 Ｃ原子向 ａ－Ｓｉ及 ｃ－Ｓｉ的扩散对于前者，形成非晶 ａ－Ｓｉ（Ｃ），然后机械力诱使非晶 ａ－Ｓｉ（Ｃ）晶化；对于后者， Ｃ原子直接取代 Ｓｉ原子形成 ＳｉＣ，具有取向关系（１１１）ＳｉＣ ／／（１１１）Ｓｉ．在一些区域内，还发生局域自蔓延反应，形成稍大尺寸的

超细碳化物粉末的制取方法

分析比较了几种制备超细碳化物粉末的方法及其原理，发现搅拌球磨工艺是一种制备超细粉末的有效方法。

超细钨粉碳化时碳黑粒径对WC粉化合碳的影响

采用超细颗粒（０．３５μｍ）钨粉与不同粒径（０．１，０．３，０．８，４．５μｍ）的碳黑粉，按Ｗ＋Ｃ ＝ＷＣ的反应式配碳，在氢气保护下，于８３０～１３００℃保温４０ｍｉｎ，研究碳黑粒径、碳化温度对ＷＣ粉的化合碳含量及物相组成的影响．ＸＲＤ分析物相组成，用化学分析测定碳含量（质量分数）结果表明：当使用０．１μｍ的超细碳黑，温度大于９３０℃时，ＷＣ粉的含碳量可达理论含量．但是在此温度下，随着使用的碳黑粒径增大，ＷＣ粉中的化合碳含量急速下降，例如在９５０℃下，使用０．３μｍ的碳黑只能使ＷＣ粉化合碳达到５．２％，使用０．８ μｍ碳黑时，ＷＣ的化合碳为３．１８％．

不同含量聚乙二醇对碳化硅喷雾造粒的影响

通过研究碳化硅及其烧结助剂碳化硼、纳米碳黑在水溶液中的共分散性,制得了分散性良好的混合浆料,研究结果发现碳化硅及其烧结助剂碳化硼、纳米碳黑在碱性条件下可以实现共分散。同时聚乙二醇(PEG)作为浆料的分散剂和粉体的粘结剂,PEG含量对碳化硅喷雾造粒有重要的影响,结果显示随着PEG含量的增加,喷雾造粒的球状颗粒形貌趋于规整,粉体的流动性增加。

预热SHS制备SiC粉末的机理及工艺

对ＳＨＳ合成ＳｉＣ粉末的粒度及其影响因素进行了较深入的研究，发现ＳｉＣ产物的粒度主要由碳粉的粒度决定，与硅粉的粒度无关，并在此基础上提出了Ｓｉ＋Ｃ的反应机理。在预热ＳＨＳ工艺中采用预置引燃剂法，可以省去自蔓延反应设备中的点火装置，实现工业化连续炉生产。

在不同球磨机上合成TiC粉末的研究

应用三种球磨机 ,对Ti和C粉末进行室温下合成TiC的研究进行了分析 .结果表明 :用MA法可以在比较短的时间内合成TiC粉末 ,它的合成机理为机械碰撞诱发自蔓延反应 .比较三种球磨机 ,高能式球磨机效率最高 ,应用高能式反应球磨可以得到颗粒平均大小为 5.641nm ,并且具有 1 0nm左右的纳米晶粒的TiC ,通过球磨工艺可以使该反应过程在室温进行 .

场激活加压燃烧合成碳化钨

采用不同钨碳摩尔比例 ,即W +1.0C、W +1.1C、W +1.2C和W +1.3C ,利用场激活加压燃烧合成技术制备了碳化钨材料 ,测量了合成反应前后样品的收缩百分比 ,研究了温度、反应物组成和不同碳源对产物组成、密度和维氏硬度的影响 ,结果表明 ,最终产物的相对密度在 81.1%和 89.9%之间 ,样品的维氏硬度介于 4 2 3和 731kg·mm- 2 之间。

溶胶-凝胶法合成β-SiC超细粉末

引言目前文献报道的溶胶法合成β-SiC超细粉末多以TEOS（Si（OC2H5）4）和/或PTES（C6H5Si（OC2H5）3）等有机硅和碳的化合物为原料,经溶胶-凝胶过程制SiC先驱体,然后在惰性气氛中热解合成.由于所用原料价格较贵,制备出的SiC粉末成本高,难以实现工业化生产.本文旨在探讨采用廉价硅源来制备β-SiC超细粉末的可行性,以加速我国SiC高技术材料的研究和应用.

碳酸钙微粉的分级工艺及原理研究

采φ１５０涡轮式分级机对碳酸钙微粉进行了精细分级研究，选取适当分极工艺参数，可从０～４３μｍ的原料中分离出－１０μｍ、－５μｍ占９８％、９０％的微细物料，且分级效率高达８０％。

B_4C粉末的气流粉碎及烧结

采用气流粉碎对B4C粗粉 (比表面积为 0 5 2m2 g,中位粒度为 2 0 4μm)进行粉碎实验 ,研究了气流粉碎次数对粉末性能、压坯密度和烧结密度的影响及成形压力和烧结温度对B4C烧结密度的影响 .研究结果表明 :当粉碎次数达到 3次后 ,可获得中位粒度小于 1μm的B4C超细粉末 ;经过 4次气流粉碎的B4C超细粉末 ,其比表面积为2 5 3m2 g ,中位粒度为 0 5 6 μm ;该粉末于 2 2 5 0℃无压烧结 1h ,其烧结密度为 2 0 7g cm3 ,达到理论密度的82 .5 % ,平均晶粒粒度为 5 0 μm .可见 ,气流粉碎能改善B4C的烧结性 .

机械化学反应法制备纳米W2C粉体

用机械化学反应法成功制备单相纳米W2C粉体，方法是将WO3与Mg粉混合，加入石墨粉作为碳源，在N2气氛中高能球磨而成。反应分两步完成：首先是Mg粉还原WO3得到α-W，此步称"爆炸化学反应（EMS），反应历时5h；其次为α-W通过扩散反应逐渐碳化成W2C，WC；最后都转化为W2C，反应历时47h。继续球磨30h后W2C细化为纳米粒子。样品经HCl溶液洗去MgO后得到的产物为单相纳米W2C粉体，晶粒度为4～20nm。

球形铸造碳化钨的制备技术

介绍了国内外近年来的球形铸造碳化钨生产方法。球形铸造碳化钨制备技术按原料可分为两类,一类以W、WC、C为原料,通过雾化制备,如旋转雾化、超高温熔炼气体雾化等;另一类是以铸造碳化钨为原料,通过高温改性处理制备,如等离子球化法、感应或电阻加热球化法等。无论采用何种方式均能制备出化学性能稳定、显微硬度达3 000 kg/mm2、组织结构均匀致密、100%细等轴树枝状晶粒、流动性能好的球形铸造碳化钨粉末,但因设备、工艺方法等的差异,各种方法均有各自不同的特点。

碳化硼陶瓷力学性能及其影响因素

碳化硼的力学性能与其他陶瓷材料一样,对结构十分敏感.在工艺控制过程上看,不可能制得结构完全相同的材料,文献报道的计算式和数据亦非常分散.作者测定了用热压方法制得的碳化硼陶瓷(表现密度为2.1～2.3g/cm^3,晶粒度为12μm)的抗弯强度、抗压强度、弹性(弯曲)模量和泊松比.同时,通过文献检索,搜集了各种公式和数据,并对本实验结果进行了综合分析,得出了有关的计算式和性能值.

高B_4C相含量极细碳化硼粉的制取

用碳管炉硼酐碳热还原法制得了碳化硼粉,其化学成分和杂质含量符合中国国家标准和美国国家标准对一、二级核级粉末的要求,其B_4C含量远高于按上述标准中化学成分折算的值。化学成分折算法经X射线内标法验证,证明是可靠的。两种方法获得的结果很接近。上述原始粗B_4C粉经振动球磨和酸洗后获得了成分符合技术标准的微米级B_4C细粉。实验证明:振动球磨的效率较滚动球磨高数倍甚至数十倍;振动球磨的平衡粒度和达到平衡粒度所需的时间也远低于普通球磨相应的值。