期刊文献+
共找到67篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
石墨烯/碳纳米管三维结构的电子输运特性 被引量:4
1
作者 娄利飞 潘青彪 +1 位作者 张军琴 周晓乐 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期85-89,共5页
根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构... 根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构的透射图谱和电子态密度谱线进行了仿真分析.研究结果可为基于碳纳米材料三维互连线结构的相关研究提供参考. 展开更多
关键词 石墨烯 碳纳米管 三维互连线 电子输运特性
下载PDF
硅各向异性腐蚀的原子级模拟 被引量:5
2
作者 姜岩峰 黄庆安 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期618-623,共6页
应用原子级模型中的随机CA算法,针对硅材料和具体的工艺特点,构造了相应的函数,并在此基础上编制了应用软件———SSAE.该软件可独立运行,能够模拟出硅在KOH中不同腐蚀条件下腐蚀的过程和结果,并且克服了其他采用原子级模型的模拟软件... 应用原子级模型中的随机CA算法,针对硅材料和具体的工艺特点,构造了相应的函数,并在此基础上编制了应用软件———SSAE.该软件可独立运行,能够模拟出硅在KOH中不同腐蚀条件下腐蚀的过程和结果,并且克服了其他采用原子级模型的模拟软件中常出现的边界模糊等缺点.该结果与其他软件和实验结果相比,较为一致,并且该软件具有占用系统资源少、运行时间快等优点,具有一定的实用价值. 展开更多
关键词 各向异性腐蚀 计算机模拟 原子模型
下载PDF
一种反求杂质浓度的数值方法——基于CV数据的逐点反求多次循环法 被引量:5
3
作者 傅兴华 陈军宁 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期33-38,共6页
根据CV数据用数值模拟反求杂质浓度时,遇到了不确定性问题。本文认为这实际上是用CV数据反求杂质浓度时的非单值性问题。针对数值方法的非单值性问题,本文提出了逐点反求多次循环的算法。本算法已成功地应用于分布陡峻的高斯离子注入分... 根据CV数据用数值模拟反求杂质浓度时,遇到了不确定性问题。本文认为这实际上是用CV数据反求杂质浓度时的非单值性问题。针对数值方法的非单值性问题,本文提出了逐点反求多次循环的算法。本算法已成功地应用于分布陡峻的高斯离子注入分布及矩形阶跃分布,反求的杂质浓度分布与理论杂质浓度分布符合得很好。 展开更多
关键词 杂质浓度 循环算法 CV数据
下载PDF
ZnO本征缺陷的第一性原理计算 被引量:2
4
作者 万齐欣 熊志华 +2 位作者 刘国栋 李冬梅 江风益 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2008年第6期557-559,共3页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者的实验结果相吻合。 展开更多
关键词 ZNO 第一性原理 电子结构
下载PDF
GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算 被引量:1
5
作者 何国敏 王仁智 +2 位作者 吴正云 郑永梅 蔡淑惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期11-18,共8页
本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了(001)界面应变对GaN、AlN应变层的能带、平均键能Em和带阶参数Emv的影响.借助于带阶参数形变势的计算,预言了不同生长厚度情况下GaN/AlN应变层异质结价带带阶和导... 本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了(001)界面应变对GaN、AlN应变层的能带、平均键能Em和带阶参数Emv的影响.借助于带阶参数形变势的计算,预言了不同生长厚度情况下GaN/AlN应变层异质结价带带阶和导带带阶. 展开更多
关键词 氮化镓 氮化铝 形变势 应变层 异质结带阶 计算
下载PDF
MOCVD生产GaN气相、表面反应的数值模拟 被引量:1
6
作者 高立华 杨云柯 +1 位作者 陈海昕 符松 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期245-248,共4页
采用计算流体力学方法对生长GaN的立式行星结构金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室中的流场、空间气相反应和载片表面沉积速率进行了三维数值模拟,研究了载片旋转、反应室高度、氨气流量和基座不同温度布局方式对反应产物浓度分布和... 采用计算流体力学方法对生长GaN的立式行星结构金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室中的流场、空间气相反应和载片表面沉积速率进行了三维数值模拟,研究了载片旋转、反应室高度、氨气流量和基座不同温度布局方式对反应产物浓度分布和载片表面沉积速率等物理参数的影响,并对主要运行参数提出了优化建议,例如采用较低反应室高度、基座中心附近采用较低温度等. 展开更多
关键词 CFD GAN MOCVD 气相反应 表面沉积速率
下载PDF
First-Principle Calculation of the Electronic Structure of Sb-Doped SrTiO_3 被引量:1
7
作者 贠江妮 张志勇 +1 位作者 邓周虎 张富春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1537-1542,共6页
The electronic structure,including band structure,density of states (DOS), and partial density of states of SrTi1-xSbxO3 with x = 0,0. 125,0.25,and 0.33 is calculated from the first principles of plane wave ultra-so... The electronic structure,including band structure,density of states (DOS), and partial density of states of SrTi1-xSbxO3 with x = 0,0. 125,0.25,and 0.33 is calculated from the first principles of plane wave ultra-soft pseudo-potential technology based on density function theory. The calculated results reveal that due to the electron doping,the Fermi level moves into the conduction bands for SrTi1-xSbxO3 with x = 0. 125 and the system shows metallic behavior. In addition, the DOS moves towards low energy and the optical band gap is broadened. The wide band gap and the low density of the states in the conduction band result in the transparency of the films. 展开更多
关键词 first principles SRTIO3 Sb-doping electronic structure transparent films
下载PDF
一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化 被引量:1
8
作者 禹玥昀 林宏 +2 位作者 赵同林 狄光智 石艳玲 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第6期1049-1053,共5页
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究... 研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究对象,在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改,实现了该可靠性模型。实验表明,该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化,进而评估标准工艺器件的寿命。 展开更多
关键词 SPICE模型 BSIM3v3模型 热载流子注入(HCI) 可靠性 参数
下载PDF
AIN、GaN立方晶体的静态性质和AIN/GaN异质结的价带偏移 被引量:1
9
作者 何国敏 郑永梅 王仁智 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期30-35,共6页
采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿(立方)结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的△Ev值;最后,采用超原胞(AIN)n(GaN... 采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿(立方)结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的△Ev值;最后,采用超原胞(AIN)n(GaN)n(001),(n=1,3,5)界面自洽计算方法,考察了超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和验证了价带偏移△Ev计算结果的准确性。 展开更多
关键词 静态性质 应变层 异质结 价带偏移 半导体材料
下载PDF
离子注入硅的碘钨灯快速热退火温度计算 被引量:1
10
作者 罗益民 陈振华 黄培云 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期548-551,共4页
离子注入并通过快速热退火引发固相外延生长,退火温度及温度分布对固相外延生长的结晶速率及退火材料的性质有很大影响。利用等温模型,根据入射能流密度与辐射损失能流密度之间的平衡,得出了离子注入硅的碘钨灯快速热退火的退火温度与... 离子注入并通过快速热退火引发固相外延生长,退火温度及温度分布对固相外延生长的结晶速率及退火材料的性质有很大影响。利用等温模型,根据入射能流密度与辐射损失能流密度之间的平衡,得出了离子注入硅的碘钨灯快速热退火的退火温度与衬底温度以及碘钨灯功率的关系。研究结果表明:在300~1070K的衬底温度范围内,退火温度主要由碘钨灯功率决定,而衬底温度对其影响不大;发生固相外延生长的最大碘钨灯功率或液相熔融再结晶的理论临界碘钨灯功率为2.6kW,与实测值基本相符。 展开更多
关键词 离子注入 快速热退火 温度
下载PDF
注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟 被引量:2
11
作者 丁扣宝 张秀淼 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期221-224,共4页
通过计算机数值求解半导体的基本方程,模拟了表面光伏(SPV)法测量N型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明,当注入水平较高时,少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。
关键词 注入水平 少子扩散长度 计算机模拟
下载PDF
电子束辐照a-Si的模拟计算 被引量:1
12
作者 胡翠英 钟雨乐 张春粼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期36-40,共5页
在分析了非晶硅(a-Si)材料的模型后,提出了一种能够反映a-Si材料结构特点的无规网络模型。以此模型为基础,用MonteCarlo方法模拟计算了能量为0.5~2.5MeV的电子束与a-Si的相互作用,得到了一些对电... 在分析了非晶硅(a-Si)材料的模型后,提出了一种能够反映a-Si材料结构特点的无规网络模型。以此模型为基础,用MonteCarlo方法模拟计算了能量为0.5~2.5MeV的电子束与a-Si的相互作用,得到了一些对电子辐照实验有参考价值的结果。 展开更多
关键词 非晶硅 电子辐照 模拟计算
下载PDF
柱形量子点的能级与电子结构 被引量:5
13
作者 杨洋 冯浩 《河北北方学院学报(自然科学版)》 2007年第1期4-8,共5页
在EMA(Effective Mass Approximation)的理论框架下,研究了柱形量子点的能级和电子结构.计算了柱形量子点的激发态(m=1)基态(m=0)能量,并作出柱形量子点能量图;还计算了柱形量子点的电子概率密度,并作出电子概率分布图.
关键词 半导体量子点 电子结构 能量 电子概率密度
下载PDF
非对称线性缓变结击穿电压的解析计算 被引量:3
14
作者 何进 张兴 黄如 《半导体情报》 2000年第4期34-37,54,共5页
通过有效掺杂浓度梯度的定义和耗尽近似求解 ,得到非对称线性缓变结击穿电压的简洁表达式。借助计算的有效掺杂浓度梯度和双边对称线性结击穿电压公式 ,可以方便地计算出非对称线性结的击穿电压。
关键词 非对称线性缓变结 击穿电压 解析计算
下载PDF
MOCVD工艺中源材料用量计算方法 被引量:1
15
作者 胡晓宇 何华云 王慧勇 《电子工业专用设备》 2007年第10期56-60,共5页
介绍了MO源和气态源实际用量的计算原理与方法,并在中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的MOCVD设备中应用;提出了提高MO源利用率、降低工艺成本的三项措施。
关键词 MOCVD 斜率 恒温浴槽 MO源 利用率 反应器
下载PDF
低能粒子轰击(001)2×1表面重构金刚石的计算机模拟
16
作者 李荣斌 戴永兵 +2 位作者 胡晓君 沈荷生 何贤昶 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1974-1978,共5页
利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼原子注入金刚石的微观行为.结果表明:硼注入后产生温度为5000K的热峰,其寿命为0.18ps;同时产生了半径为0.45nm的局部非晶化区域,三重配位原子数占该区域原子数的7%.硼原子以B〈... 利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼原子注入金刚石的微观行为.结果表明:硼注入后产生温度为5000K的热峰,其寿命为0.18ps;同时产生了半径为0.45nm的局部非晶化区域,三重配位原子数占该区域原子数的7%.硼原子以B〈110〉分裂间隙的形式存在于金刚石结构中. 展开更多
关键词 分子动力学 金刚石 离子注入
下载PDF
AlN单晶生长热场稳定性模拟
17
作者 张丽 齐海涛 +1 位作者 程红娟 史月增 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期621-625,共5页
借助多物理场耦合软件模拟了物理气相传输法AlN单晶生长系统中的热场分布。探讨了生长不同厚度晶体的系统内部热场分布,并与实际生长不同厚度晶体的表面形貌进行比对。模拟结果表明,随着晶体厚度的增大,生长系统内部的轴向温度梯度出现... 借助多物理场耦合软件模拟了物理气相传输法AlN单晶生长系统中的热场分布。探讨了生长不同厚度晶体的系统内部热场分布,并与实际生长不同厚度晶体的表面形貌进行比对。模拟结果表明,随着晶体厚度的增大,生长系统内部的轴向温度梯度出现不同程度的降低。晶体表面的径向温度曲线逐渐变为微凸界面,这与实际单晶厚度增大时表面形貌的变化趋势基本一致。另外模拟了多晶Al N源的升华收缩对热场分布稳定性的影响。结果表明,多晶AlN源收缩导致系统稳定性下降。通过分析不同电流下的热场分布结果,提出改善系统稳定性的措施。 展开更多
关键词 多物理场耦合 AlN单晶 物理气相传输法 热场分布 稳定性
下载PDF
金属薄膜系统电子功函数随温度和覆盖度变化规律研究 被引量:1
18
作者 文国知 《武汉工业学院学报》 CAS 2010年第4期111-114,共4页
通过建立金属薄膜系统吸附模型,导出了金属薄膜吸附系统电子功函数W随温度T和覆盖度θ的变化关系式,并对铕Eu在钨W(100)面的吸附进行了计算.计算结果发现,铕Eu在钨W(100)面的功函数的温度系数随温度的升高而减小,功函数随温度升高... 通过建立金属薄膜系统吸附模型,导出了金属薄膜吸附系统电子功函数W随温度T和覆盖度θ的变化关系式,并对铕Eu在钨W(100)面的吸附进行了计算.计算结果发现,铕Eu在钨W(100)面的功函数的温度系数随温度的升高而减小,功函数随温度升高而增大,随覆盖度增大而增大. 展开更多
关键词 功函数 温度系数 吸附系统 覆盖度
下载PDF
La掺杂SrTiO3电子结构的密度泛函理论研究
19
作者 李成荣 负江妮 张志勇 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期27-30,共4页
目的研究La掺杂对SrTiO_3体系电子结构和导电性的影响。方法采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。结果La掺杂后,体系总体态密度只是向低能方向进行了刚性平移,费米能级进入导带,简并化加剧,刚性能带模型仍... 目的研究La掺杂对SrTiO_3体系电子结构和导电性的影响。方法采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。结果La掺杂后,体系总体态密度只是向低能方向进行了刚性平移,费米能级进入导带,简并化加剧,刚性能带模型仍然适用于Sr_(1-x)La_xTiO_3体系;由于Burstein-Moss移动效应,光学带隙明显展宽,在导带底出现大量由La原子贡献的自由载流子-电子,改善了SrTiO_3的导电性能。结论La掺杂对SrTiO_3的导电性起着非常重要的作用。 展开更多
关键词 密度泛函理论 SRTIO3 LA掺杂 电子结构 透明导电薄膜
下载PDF
RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜
20
作者 姜岩峰 郝达兵 黄庆安 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期180-183,197,共5页
采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后... 采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。 展开更多
关键词 碳化硅 成核生长 等离子化学汽相淀积
下载PDF
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部