α-Fe_(2)O_(3)纳米棒的水热合成与阻变开关特性研究

采用水热法合成了沿[110]方向具有优先生长取向的α-Fe_(2)O_(3)纳米棒,设计了具有非易失性阻变开关性能的W/α-Fe2O_(3)/FTO阻变存储器。对W/α-Fe_(2)O_(3/)FTO器件的阻变开关特性进行分析发现,W/α-Fe_(2)O_(3)/FTO阻变存储器的电阻比(RHRS/RLRS)在一个数量级以上,可保持100 s以上而无明显下降。此外,器件的载流子运输特性分别由LRS下的欧姆传导机制和HRS下的陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制决定。由氧空位的迁移引起的纳米导电细丝的部分形成与断裂可以解释W/α-Fe_(2)O_(3)/FTO阻变存储器的非易失性阻变开关行为。因此,基于α-Fe_(2)O_(3)纳米棒的阻变存储器件可能是下一代非易失性存储应用的潜在候选器件。

用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜

本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜 ,薄膜具有 (0 0 2 )取向 ,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在 15 0nm左右 ,现有的薄膜在 5 2

微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜

发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体（ＥＣＲ）辅助反应蒸发沉积薄膜的方法，并且使用它成功地在低气压（１０￣（－２）Ｐａ）、低温基片（３０～１００℃）上，不作后处理，直接制备出了附着力强，透光率高于８５％，方阻低于１００Ω／□的ＩＴＯ膜。

相变型VO_2薄膜的制备及其特性的研究

利用反应离子束溅射和后退火工艺制备一种新的相变型VO2薄膜,对该薄膜进行电学测试、XRD和光学透过率的测试。这种工艺制备出的相变型VO2薄膜相变温度更接近室温,XRD显示这种薄膜中有VO2、V2O5成分的存在。对这种薄膜的光学透过率测试表明,低温下薄膜的透过率是高温下薄膜透过率的近5倍。通过实验可以看出,氧气分压、退火温度、退火时间是影响制备新型相变型VO2薄膜的重要因素。

光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 .

离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究

用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840cm^(-1)附近,光折射率在2.2到2.6之间,其组分为Si_3N_4用RBS、AES、TEM、SEM、ED及扩展电阻,测量和观察生成的氮化硅薄膜的组分深度分布及结构.发现,离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜,存在着表面富硅层、氮化硅沉积层及混合过渡层这样的多层结构.薄膜呈球状或方块状堆积.基本上是无定形相,但局部可观察到单晶相的存在.离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜中的含氧量比不用离子束辅助沉积的显著减少.

光折变KNSBN掺Cu晶体的生长

用 Czochralski 技术生长了 A 位置非充满型 KNSBN 掺 Cu 晶体,提拉速度为4—8mm/h,转速为15—20r/min;沿提拉方向测量了温场分布,用氩离子激光器测量了晶体的高光折变性能。

CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制

利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．

一步法电沉积CuInSe_2半导体膜

在以ＩｎＣｌ３、ＣｕＣｌ、ＳｅＯ２为主盐，酒石酸为络合剂，聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中，在Ｍｏ片或Ｔｉ片上进行阴极电沉积，可获得ＣｕＩｎＳｅ２半导体膜，它与ＣｄＳ组成的ｎ－ＣｄＳ／ｐ－ＣｕＩｎＳｅ２光电池光电效率可达７％～８％，部分达１１％。

Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究

本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相．４５０℃１小时处理形成单相的ＣｏＳｉ．从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果．

m-NBA-DEA 和3,5-DNBA-DEA 晶体生长与结构

在乙醇溶液中合成出 m-NBA-DEA 和3,5-DNBA-DEA 两种新化合物。测出了它们在乙醇溶液中的溶解度曲线,采用降温法在乙醇溶液中于45～40%范围内,从 pH 值为7的饱和溶液中分别生长出 m-NBA-DEA 和3,5-DNBA-DEA 大尺寸单晶体。用红外光谱和 X 射线衍射测定出了晶体的结构。使用 1064nm 激光入射上述两种晶体均产生532nm 的倍频光,这两晶体的(SHG)倍频光强度约是 KDP 晶体的5—10倍。

碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。

Bi_（4）Ti_（3）O_12铁电薄膜的MOCVD制备及其物理性质研究

采用常压ＭＯＣＶＤ技术在（１００）硅衬底上生长了具有（１００）及（００１）取向的钛酸铋（Ｂｉ＿（４）Ｔｉ＿（３）Ｏ＿１２）薄膜。在适当的生长条件下可获得（１００）取向膜，在７５０～８００℃下退火可获得（００１）择优取向膜。通过观察Ｐ－Ｅ电滞回线可确认膜的铁电性质，测得（１００）取向膜的剩余极化强度为３８μｃ／ｃｍ￣２，矫顽场为４５ＫＶ／ｃｍ。同时测量了钛酸铋薄膜的介电常数及损耗角正切。

溶胶凝胶法制备的Mn系氧化物热敏薄膜的尺寸效应

本文阐述了用溶胶凝胶法制备ＣｏＭｎＣｕＯ等热敏薄膜的方法，研究了它们的电学性质。结果表明，薄膜的Ｒ－Ｔ特性基本符合Ｒ＝Ｒ＿ｏｅｘｐ（Ｂ／Ｔ）关系。在本文样品厚度的范围内，厚度对电阻率（ρ＿ｆ）和材料常数（Ｂ）有较大的影响。利用扩展电阻仪分析了电阻率随深度的变化，用俄歇电子能谱分析了组分随深度的变化，在此基础上对尺寸效应作出了相应的解释。

Cdln_2O_4膜红外性质分析

CdIn_2O_4膜在可见光区域透射率高,在红外区域反射率高。利用射频反应溅射Cd-In靶制备该膜时,溅射气体中氧含量及退火温度对其红外反射率有明显影响。

BBO 晶体中包裹物的研究

本文研究了采用熔盐提拉法生长的低温相偏硼酸锁(BBO)晶体中的包裹物及其负晶结构。采用光学显微和电子探针微区分析等手段观测和分析了晶体中包裹物的种类、化学成分以及包裹物的分布规律。分析比较了各类包裹物在晶体中的结晶方位,提出并证实了晶体中的有规则状包裹物具有明显的负晶结构特征。讨论了消除或控制 BBO 晶体中包裹物产生的方法。

用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究

本文通过离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由α－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜．薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有ＣＯ２Ｓｉ、ＣｏＳｉ相生成．７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散，而复合方法该制的样品则形成均匀的ＣｏＳｉ２薄膜。

通气加热法降低铝酸钇(YAlO_3)晶体用料—Al_2O_3中的碳杂质

本文用纯化空气流加热除碳法,使 Al_2O_3中的碳含量从130×10^(-6)减少到50×10^(-6)60×10^(-6)。用这种 Al_2O_3和含碳量为100×10^(-6)—150×10^(-6)的 Y_2O_3的熔料生长出无气泡和无光弥散区的长度在150mm 以上的 Nd∶YAlO_3单晶。

Nd∶Mg∶LiNbO_3晶体的生长及其物理性能

本文报道了 Nd∶Mg∶LN 晶体的生长。测试了晶体的吸收光谱、荧光光谱、双折射梯度和光折变阈值。探讨了 Nd∶Mg∶LN 晶体抗光折变的机理。

金属有机化合物在制备半导体材料中的应用

简单介绍了金属有机化合物的制备及其在光电薄膜、陶瓷薄膜及纳米级半导体材料中的应用。