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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面
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Recent progresses in thermal treatment of β-Ga_(2)O_(3) single crystals and devices
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作者 Yuchao Yan Zhu Jin +1 位作者 Hui Zhang Deren Yang 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期1659-1677,共19页
In recent years,ultra-wide bandgap β-Ga_(2)O_(3) has emerged as a fascinating semiconductor material due to its great potential in power and photoelectric devices.In semiconductor industrial,thermal treatment has bee... In recent years,ultra-wide bandgap β-Ga_(2)O_(3) has emerged as a fascinating semiconductor material due to its great potential in power and photoelectric devices.In semiconductor industrial,thermal treatment has been widely utilized as a convenient and effective approach for substrate property modulation and device fabrication.Thus,a thorough summary of β-Ga_(2)O_(3) substrates and devices behaviors after high-temperature treatment should be significant.In this review,we present the recent advances in modulating properties of β-Ga_(2)O_(3) substrates by thermal treatment,which include three major applications:(ⅰ)tuning surface electrical properties,(ⅱ)modifying surface morphology,and(ⅲ)oxidating films.Meanwhile,regulating electrical contacts and handling with radiation damage and ion implantation have also been discussed in device fabrication.In each category,universal annealing conditions were speculated to figure out the corresponding problems,and some unsolved questions were proposed clearly.This review could construct a systematic thermal treatment strategy for various purposes and applications of β-Ga_(2)O_(3). 展开更多
关键词 β-gallium oxide thermal treatment SUBSTRATES DEVICES
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基于NCO-YSZ半导体-离子导体复合电解质导电率探究
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作者 翟姝华 《化工设计通讯》 CAS 2024年第4期123-125,共3页
导电率作为验证材料属性的关键步骤,具有十分关键的作用,如助力研究人员了解材料导电性能的同时反映材料内部的结构和缺陷,继而让其更好地对材料进行评估或更有针对性地应用。在此基础上,将研究复合离子导体YSZ与P型半导体Na_(x)CoO_(2)... 导电率作为验证材料属性的关键步骤,具有十分关键的作用,如助力研究人员了解材料导电性能的同时反映材料内部的结构和缺陷,继而让其更好地对材料进行评估或更有针对性地应用。在此基础上,将研究复合离子导体YSZ与P型半导体Na_(x)CoO_(2),所得到NCO-YSZ半导体-离子导体复合电解质的导电率,为对相关人员降低YSZ基SOFC的操作温度,增加中低温区离子传导率,提供一定思路。 展开更多
关键词 NCO-YSZ 半导体 离子导体 复合电解质 导电率
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同轴静电纺丝法制备气体传感器的研究进展
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作者 郭琛琰 张怀平 李伟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期52-56,共5页
近几十年来同轴静电纺丝法的发展取得了巨大进展。介绍了同轴静电纺丝法原理、工艺和参数,综述了同轴静电纺丝法在金属氧化物气体传感器制备方面的研究进展,并对同轴静电纺丝法在制备金属氧化物纳米材料气体传感器领域应用的发展趋势进... 近几十年来同轴静电纺丝法的发展取得了巨大进展。介绍了同轴静电纺丝法原理、工艺和参数,综述了同轴静电纺丝法在金属氧化物气体传感器制备方面的研究进展,并对同轴静电纺丝法在制备金属氧化物纳米材料气体传感器领域应用的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 同轴静电纺丝 金属氧化物 纳米材料 气体传感器
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微波法制备金属氧化物纳米材料气体传感器研究进展
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作者 卫涛 李伟 +1 位作者 解小玲 王晓敏 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期14-18,23,共6页
微波法具有反应时间短、热量分布均匀、反应温度低、控制精确、抑制副反应、操作简单等优点。介绍了微波法的作用机理,综述了微波法在金属氧化物纳米材料气体传感器制备中的研究进展,总结了各种微波法的优点,并指出了微波法制备金属氧... 微波法具有反应时间短、热量分布均匀、反应温度低、控制精确、抑制副反应、操作简单等优点。介绍了微波法的作用机理,综述了微波法在金属氧化物纳米材料气体传感器制备中的研究进展,总结了各种微波法的优点,并指出了微波法制备金属氧化物纳米材料气体传感器实现商业化生产面临的问题。 展开更多
关键词 微波法 金属氧化物 纳米材料 气体传感器
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微纳米马达聚集的驱动方式以及应用研究现状
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作者 于家明 戴运鹏 +1 位作者 王兢 王莹 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期32-42,共11页
简单阐述了微纳米马达及相关领域的发展历程,详细介绍了在微纳米马达驱动技术的基础上调控微纳米马达发生聚集,重点阐述了通过化学驱动和物理驱动等一系列驱动方式使微纳米马达之间相互发生作用、产生运动并在可控的情况下表现出的聚集... 简单阐述了微纳米马达及相关领域的发展历程,详细介绍了在微纳米马达驱动技术的基础上调控微纳米马达发生聚集,重点阐述了通过化学驱动和物理驱动等一系列驱动方式使微纳米马达之间相互发生作用、产生运动并在可控的情况下表现出的聚集行为。从聚集现象能有效提升微纳米马达执行任务的效率、增强完成复杂任务能力的角度出发,归纳了通过化学能、声能、磁能、电能、光能来驱动微纳米马达进而实现聚集的研究成果,总结了近年来微纳米马达在聚集领域的研究进展,以及在生物医学中对相关疾病治疗的成功应用。最后,对微纳米马达聚集现象的未来发展方向与面临的挑战进行了展望。 展开更多
关键词 微纳米马达 药物运输 聚集 驱动方式 生物医学应用
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氧化石墨烯复合材料的非线性光学性能研究进展 被引量:2
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作者 陈国庆 吐尔迪·吾买尔 +2 位作者 谢宁 王亚辉 纪锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期273-280,288,共9页
石墨烯因其超大的比表面积、超高的载流子迁移率以及带隙可调范围宽等特性在复合材料的光限幅、光开关、数据储存等非线性光学领域表现出巨大的应用潜力。基于石墨烯复合材料的非线性光学性能研究现状,对石墨烯复合材料的制备机理进行... 石墨烯因其超大的比表面积、超高的载流子迁移率以及带隙可调范围宽等特性在复合材料的光限幅、光开关、数据储存等非线性光学领域表现出巨大的应用潜力。基于石墨烯复合材料的非线性光学性能研究现状,对石墨烯复合材料的制备机理进行了分析,并依据改性机理对氧化石墨烯复合体系的研究方法进行了分类讨论,重点对非线性光学测量技术——Z扫描测量技术以及氧化石墨烯复合材料的非线性光学性能研究进展进行了综述,并对未来研究趋势进行了展望。 展开更多
关键词 石墨烯 修饰改性 复合材料 非线性光学 光学性能
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α-Ga_(2)O_(3)基SBD场板结构与电流台阶的关联研究 被引量:1
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作者 盛雨 陈琳 +2 位作者 葛雅倩 李思彦 陶志阔 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第2期193-199,共7页
作为典型的超宽禁带半导体,氧化镓(Ga_(2)O_(3))逐渐以新型功率器件优选材料的身份成为研究热点。近年来它的亚稳态α相因具有相对最宽的带隙,且与蓝宝石、氮化镓相似的六角晶格而受到关注。研究了α-Ga_(2)O_(3)基肖特基二极管器件,在T... 作为典型的超宽禁带半导体,氧化镓(Ga_(2)O_(3))逐渐以新型功率器件优选材料的身份成为研究热点。近年来它的亚稳态α相因具有相对最宽的带隙,且与蓝宝石、氮化镓相似的六角晶格而受到关注。研究了α-Ga_(2)O_(3)基肖特基二极管器件,在TCAD仿真结果中发现反向偏置的I-V特性中出现了电流台阶。通过调节可能影响电流台阶的主要因素:漂移区厚度、掺杂浓度和场板结构,发现击穿特性中的电流台阶随着漂移区厚度的增加而变长,但对掺杂浓度变化的依赖性较弱,解释了漂移区在反偏电场作用下的耗尽过程是电流台阶的产生机制。采用分段场板结构可以优化漂移区的电场分布并提高器件击穿电压,器件击穿的最大电场强度超过10 MV/cm。对电流台阶机制的分析结果有助于抑制器件泄漏电流,提高耐压范围。 展开更多
关键词 α氧化镓 肖特基势垒二极管 电流-电压特性 电流台阶
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Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
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作者 张弘鹏 贾仁需 +3 位作者 陈铖颖 元磊 张宏怡 彭博 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1062-1070,共9页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研究中亟需解决的关键技术难题。首先,对Ga_(2)O_(3)金属-氧化物-半导体(MOS)器件表面钝化、高k介质能带工程的研究进展进行分析、对比;然后,对适用于Ga_(2)O_(3)器件(晶体管、二极管)表面钝化技术的重要研究进展进行了综述,包括表面边缘终端设计、复合钝化工艺、钙钛矿型氧化物钝化等;最后,对Ga_(2)O_(3)器件表面钝化的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 表面钝化 氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 能带工程 表面边缘终端 高k介质
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金属氧化物半导体的界面结构表征与调控 被引量:3
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作者 蒋仁辉 李佩 +5 位作者 孟琪 李雷 赵培丽 贾双凤 郑赫 王建波 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期198-204,214,共8页
界面对材料的力学、热学、电学、磁学和催化等方面的性能有着十分重要的影响,因此界面的原子结构解析和构建对材料的性能调控具有重要的意义。作者课题组利用透射电子显微技术对金属氧化物的界面原子结构进行表征,利用电场、电子束辐照... 界面对材料的力学、热学、电学、磁学和催化等方面的性能有着十分重要的影响,因此界面的原子结构解析和构建对材料的性能调控具有重要的意义。作者课题组利用透射电子显微技术对金属氧化物的界面原子结构进行表征,利用电场、电子束辐照和应力场诱导结构相变并探讨了相界面调控的可能性:(1)在Na_(0.36)WO_(3.14)样品中发现了旋转畴结构,通过施加电场构建了Na_(0.36)WO_(3.14)相与Na_(0.48)WO_(3)相的复合相界面;(2)从原子尺度揭示了Na_(0.5)WO_(3.25)与Na_(x)WO_(3)相界面的形成过程;(3)阐明了拉伸应力作用下ZnO纳米桥从纤锌矿(WZ)结构到h-MgO结构的可逆相变机理,研究了在压应力作用下,CuO纳米线中由于氧空位迁移引起的Cu_(3)O_(2)相的形核,进一步探讨了Cu_(3)O_(2)与CuO相界面的演变过程。作者基于上述实验结果和近期工作对金属氧化物半导体界面的结构表征和调控进行了综述,希望为金属氧化物半导体的结构和性能调控提供参考。 展开更多
关键词 金属氧化物 相界 原位 相变
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基于ESP32-S的小型智能气体识别系统设计
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作者 刘弘禹 李彦宽 +1 位作者 方晓东 陈志超 《计算机测量与控制》 2023年第11期260-265,272,共7页
智能气体识别系统主要包括硬件电路、用户界面、信号处理和深度神经网络模型各模块;其采用ESP32-S作为主控芯片,设计硬件电路对金属氧化物半导体气体传感器加热端电压动态调制,实验选择调制传感器温度范围为150~250℃,对应调制电压范围2... 智能气体识别系统主要包括硬件电路、用户界面、信号处理和深度神经网络模型各模块;其采用ESP32-S作为主控芯片,设计硬件电路对金属氧化物半导体气体传感器加热端电压动态调制,实验选择调制传感器温度范围为150~250℃,对应调制电压范围2.5~3.8 V;以20 Hz的频率采集热调制下的传感器特性变化曲线,通过信号传输功能传递至上位机,将所得热调制响应信号经信号处理特征提取后喂入自行搭建的I-5×5-2×2-200-200-P结构卷积神经网络训练构建模型,使用训练后深度神经网络模型前向传播实现对目标气体的快速识别检测;在静态气敏测试平台中的测试结果显示,该系统能有效实现对多种类VOC气体的识别功能,对乙醇、丙酮和异丙醇的42种测试气氛的识别准确率达到100%。 展开更多
关键词 智能气体识别 热调制 信号处理 卷积神经网络
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高品质四针状氧化锌晶须的结构及生长机理 被引量:44
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作者 戴英 张跃 +2 位作者 方圆 黄秀颀 李杰 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期200-202,共3页
用锌粉氧化的方法,通过控制反应器内的气相过饱和度,合成出纯度高、晶体结构完 整、尺度可控的四针状氧化锌晶须(T-ZnO晶须).制备的T-ZnO晶须为长尾晶须,针长为5~30 μm,针体的根部尺寸为1~2μm,尾部约10... 用锌粉氧化的方法,通过控制反应器内的气相过饱和度,合成出纯度高、晶体结构完 整、尺度可控的四针状氧化锌晶须(T-ZnO晶须).制备的T-ZnO晶须为长尾晶须,针长为5~30 μm,针体的根部尺寸为1~2μm,尾部约100nm.晶须的生长机理为气-固(VS)机理.控制反应器 内的反应气相过饱和度是制备高品质T-ZnO晶须的关键因素. 展开更多
关键词 生长机理 氧化锌 四针状晶须 气-固机理 结构 半导体
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直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱 被引量:49
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作者 叶志镇 陈汉鸿 +2 位作者 刘榕 张昊翔 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1015-1018,共4页
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Z... 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 . 展开更多
关键词 薄膜 直流磁控溅射 光致发光光谱 氧化锌 PL谱
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环境净化功能M/TiO_2纳米材料光催化活性的研究 被引量:44
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作者 梁金生 金宗哲 +1 位作者 王静 王毅敏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期601-604,共4页
用电子自旋共振(ESR) 方法,研究( 稀土元素,银)/TiO2 纳米光催化材料(M/TiO2) 在紫外光照射前后羟基自由基(·OH) 信号强度的变化规律. 结果表明:在Ag/TiO2 系材料中加入稀土元素后,不论紫外... 用电子自旋共振(ESR) 方法,研究( 稀土元素,银)/TiO2 纳米光催化材料(M/TiO2) 在紫外光照射前后羟基自由基(·OH) 信号强度的变化规律. 结果表明:在Ag/TiO2 系材料中加入稀土元素后,不论紫外光照射与否,羟基自由基信号均增强,光催化活性增加;材料(M/TiO2) 经800 ℃热处理后,羟基自由基信号减弱,光催化活性降低. 展开更多
关键词 光催化活性 环境净化 半导体 纳米材料 二氧化钛
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In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 被引量:40
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作者 陈猛 白雪冬 +1 位作者 黄荣芳 闻立时 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期394-399,共6页
基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格... 基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 展开更多
关键词 导电薄膜 结构 导电机制 氧化锌 氧化铟
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氧化锌微晶的制备和形貌控制 被引量:29
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作者 张军 孙聆东 +1 位作者 廖春生 严纯华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期72-74,共3页
本文在溶液体系中合成了多种形貌的氧化锌(ZnO)微晶。所得花状、雪花状、棒状、多刺球状和棱柱状氧化锌微晶用粉末X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行了鉴定和表征,考察了反应条件如溶剂、温度及pH值对ZnO微粒尺寸和形貌的影响,初步探... 本文在溶液体系中合成了多种形貌的氧化锌(ZnO)微晶。所得花状、雪花状、棒状、多刺球状和棱柱状氧化锌微晶用粉末X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行了鉴定和表征,考察了反应条件如溶剂、温度及pH值对ZnO微粒尺寸和形貌的影响,初步探讨了不同形貌ZnO微粒的生长机理。该文对制备形貌可控的氧化物具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 氧化锌 制备 形貌控制 氧化物半导体 微晶 XRD SEM 表征
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溶胶-凝胶法制备WO_3-SiO_2材料的氨敏特性研究 被引量:27
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作者 王旭升 张良莹 +4 位作者 姚熹 岛之江宪刚 酒井刚 三浦则雄 山添升 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期276-280,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了WO3+xwt%SiO2(x=0,5,10,20)粉体材料。对其结构、形貌进行了XRD、AFM、XPS和比表面积测量、分析,结果表明:获得了单斜晶系结构的WO3多晶材料;晶粒尺寸随SiO2含量的... 采用溶胶-凝胶法制备了WO3+xwt%SiO2(x=0,5,10,20)粉体材料。对其结构、形貌进行了XRD、AFM、XPS和比表面积测量、分析,结果表明:获得了单斜晶系结构的WO3多晶材料;晶粒尺寸随SiO2含量的增加而减小。测量了材料的NH3气敏特性,得到敏感元件的电阻和灵敏度随SiO2含量的增加而增加;溶胶-凝胶法制备的WO3+5wt%SiO2粉料用于NH3测量具有优良的特性,在350℃及以上应用优于纯WO3材料。 展开更多
关键词 半导体 气敏材料 溶胶-凝胶法 三氧化钨 二氧化硅
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拓展作用光范围的纳米TiO_(2-X)N_X制备和表征 被引量:16
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作者 谢晓峰 陆文璐 +2 位作者 张剑平 方建慧 施利毅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期212-215,共4页
以廉价的工业偏钛酸为原料 ,采用特殊的酸解工艺制得纳米级水合二氧化钛粉体 ,再利用高温管式炉对前驱体 -TiO2 ·nH2 O进行掺氮 ,制得纳米TiO2 -XNX 粉体 ,研究了不同掺氮气体和反应工艺对TiO2 -XNX 粉体吸光特性、形态结构的影响... 以廉价的工业偏钛酸为原料 ,采用特殊的酸解工艺制得纳米级水合二氧化钛粉体 ,再利用高温管式炉对前驱体 -TiO2 ·nH2 O进行掺氮 ,制得纳米TiO2 -XNX 粉体 ,研究了不同掺氮气体和反应工艺对TiO2 -XNX 粉体吸光特性、形态结构的影响。结果表明水合TiO2 粉体与氨气在 6 0 0℃下反应 5h ,制得的粉体为锐钛矿型结构 ,粒径约为 2 0nm ,光吸收阀值由 387nm红移至 5 2 0nm左右。 展开更多
关键词 纳米TiO2-xNx 制备工艺 偏钛酸 二氧化钛 光吸收效率 热稳定性 结构表征 半导体材料
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工作气压对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响 被引量:21
19
作者 付恩刚 庄大明 +2 位作者 张弓 杨伟方 赵明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期543-545,共3页
 工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2~8.0Pa条件下,制备了ZAO...  工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2~8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜。利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上。当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω·cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490~600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 性能 磁控溅射 工作气压 工艺参数 电阻率 透过率
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制备条件对固相反应法制取YAG多晶体透光性的影响 被引量:15
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作者 王介强 陶珍东 +2 位作者 郑少华 郝哲 孙旭东 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期432-436,共5页
YAG(钇铝石榴石)多晶体在不同制备条件下,对固相反应过程中的物相变化、YAG烧结体透明程度、密度和显微组织进行了观测和分析。结果表明:Y3+的扩散速率是决定固相反应进程的主要因素,将高活性的Y2O3纳米微粒与Al2O3粉均匀混合,可促进固... YAG(钇铝石榴石)多晶体在不同制备条件下,对固相反应过程中的物相变化、YAG烧结体透明程度、密度和显微组织进行了观测和分析。结果表明:Y3+的扩散速率是决定固相反应进程的主要因素,将高活性的Y2O3纳米微粒与Al2O3粉均匀混合,可促进固相反应的完成,使获得YAG透明体的烧结温度降低100~200℃,保温时间也显著缩短;气孔和晶界对光的反射和散射是YAG多晶体透光性降低的主要原因,采用真空烧结可提高YAG烧结体的密度,改善晶体结构的均匀度,有利于提高YAG多晶体的透光性。 展开更多
关键词 钇铝石榴石多晶体 固相反应 制备条件 透光性 烧结
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