磁控溅射制备增透ITO薄膜及其性能研究

用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO(In2O3:SnO2=1:1)薄膜。质量流量计调节氩气压强PAr为0.2～3.0Pa,氧流量fO2为0～10sccm,并详细探讨了溅射时PAr和fO2变化对ITO薄膜光学性能的影响。结果表明:fO2的改变引起薄膜中氧空位浓度变化而影响ITO薄膜折射率n;fO2对ITO靶材表面的溅射阀值和对Ar+散射而改变溅射速率。衬底表面粗糙度对ITO薄膜的折射率测量准确性有较大影响。PAr为0.8Pa,fO2为2.4sccm,薄膜厚度为241.5nm时,nmin=1.97,最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9?/□,电阻率为8.8×10-4?·cm。AFM分析表明薄膜表面针刺很少,表面平整(RMS=3.04nm)。

1.06μm连续与脉冲激光对GaAs材料的联合破坏效应

通过１．０６μｍ连续激光和脉冲激光联合破坏ＧａＡｓ材料的实验研究，给出了ＧａＡｓ材料在三种不同的连续激光功率密度辐照下，所需脉冲激光的破坏阈值，结果表明，联合破坏时所需脉冲激光的破坏阈值小于单独使用脉冲激光的破坏阈值。根据轴对称二维热模型，计算了三种情况下连续激光辐照时ＧａＡｓ材料的表面温度分布曲线及表面辐照中心处温升随辐照时间的关系，并估算了其后作用的脉冲激光对材料的温升，对实验及计算结果进行了分析，并着重比较了联合破坏方式和单独破坏方式的优缺点。

BaTiO_3系PTCR材料电学性能的复阻抗解析

采用复阻抗解析法研究了ＢａＴｉＯ_３系ＰＴＣＲ材料晶粒、晶界的电学性能。结果表明：使用欧姆接触电极的ＰＴＣＲ材料等效电路的复阻抗为 ：晶粒电阻呈ＮＴＣ特性，而晶界电阻在Ｔ＜Ｔｃ时呈ＮＴＣ特性，Ｔ＞Ｔｃ时呈明显的ＰＴＣ特性；ＰＴＣ效应是一种晶界效应。

Zn_(1-x)Mn_xS纳米颗粒的制备及发光性质

水热法制备Mn离子掺杂的ZnS（ZnS∶Mn）纳米颗粒,研究不同比例掺杂Mn离子对Zn1-xMnxS纳米颗粒光致发光性质的影响.通过X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对样品的物相和形貌进行分析表征,结果显示Zn1-xMnxS（x=0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.10）为六方纤锌矿结构的球形纳米晶,晶粒大小均匀,粒径在15-20nm之间.室温下,用350nm波长的紫外光激发Zn1-xMnxS纳米粒子,可以得到浅施主能级与锰t2能级之间的跃迁产生的蓝色发光,发光强度随锰掺杂量的增大先增强后减弱,发射峰位随锰掺杂量的变化有一定移动.究其原因可能与硫空位有关,硫空位影响ZnS的浅施主能级,锌锰比对硫空位的数量和能级位置有一定影响.

Cd S 纳米微晶在 P A N 膜中的形成与特性

采用离子络合法在 Ｐ Ａ Ｎ 膜中制备了 Ｃｄ Ｓ 纳米微晶。根据红外吸收（ Ｉ Ｒ） 光谱和原子力显微镜（ Ａ Ｆ Ｍ） 的测试结果提出了可能的形成机理， 并采用 Ｘ 射线衍射分析（ Ｘ Ｒ Ｄ） 、紫外可见吸收光谱（ Ｕ Ｖ） 、激发和发射光谱（ Ｐ Ｌ） 对其特征进行了初步表征。

碲镉汞的液相外延生长

设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液大为减少 ,外延薄膜的组分比较均匀 ,其电学性能得到较大改善 ,Hg Cd Te外延薄膜与Cd Zn Te衬底之间的互扩散非常少 ,外延膜的晶体结构也较完整 .

玻璃衬底上CdTe薄膜的制备及其性质

利用近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制备了CdTe薄膜,用X射线衍射仪,扫描电镜表征了CdTe薄膜的微结构。结果表明CdTe薄膜的微观结构依赖于衬底粗糙度,(111)晶面的择优取向随衬底表面粗糙度的增加而降低。

溶剂热法制备双螺旋ZnS纳米结构研究

采用溶剂热法以醋酸锌和硫化钠反应成功制备了具有双螺旋结构的一维ZnS纳米棒,利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线能量色散分析谱仪(XEDS)、紫外吸收光谱(UV-vis)和光致发光谱(PL)等测试手段对样品的化学成分、形貌、晶体结构和光学性质等进行了表征分析。实验结果表明样品为一维六方纳米晶结构,沿着[001]方向生长,并具有双螺旋结构,长度分布在100～200 nm范围,直径约为5～15 nm,螺距约为20 nm。双螺旋ZnS纳米结构的吸收峰与块体材料相比发生了蓝移。

PVT法生长ZnTe晶体的技术

采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件进行一系列籽晶扩大实验。发现适当缩小温差、增加生长压强有益于籽晶横向扩展。当温差缩小到35℃,压强增加到230 mbar(1 mbar=102 Pa),生长出了直径45 mm、厚度8 mm的ZnTe单晶。观察发现,晶体表面存在明显的孪晶线,孪晶线产生原因为生长前籽晶边缘有破损,导致生长过程突变。取其较大的单晶进行XRD测试,结果显示该ZnTe单晶具有良好的〈111〉晶向和结晶质量。

Mn^+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性

用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn+离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm-2,被注入的p型GaN处于室温.对注入样品的快速热退火处理是在N2气流中进行的,温度约为800℃,时间为30～90s.采用X射线衍射(XRD)、卢瑟福背散射(RBS)和原子力显微镜(AFM)研究,发现Mn+注入GaN膜的结构受注入剂量和退火条件的控制.通过超导量子干涉仪(SQUID)分析,在Mn+注入剂量为5.0×1015cm-2、并经850℃退火30s的GaN膜中发现了铁磁性,表明离子注入方法是进行GaN掺杂改性的有效手段.

Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se_2太阳电池的影响

利用共蒸发三步法制备了Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓（Ga）的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响。从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失。优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高。量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中（520~1100nm）的光子吸收损失大大减小。

水溶性CdTe纳米晶荧光探针的制备与表征

采用水相合成技术制备了表面带有羧基的发射红光CdTe纳米晶。应用单因素法探索最佳的合成条件。采用TEM、XRD、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱等技术对所制得产品进行表征。结果表明,当Cd2+∶HTe-∶TGA的摩尔比为1.0∶0.2∶2.4时,反应体系的pH=11.0,在96℃条件下回流4h,为制备发射红光的CdTe纳米晶的最佳实验条件。该红光纳米晶量子产率较高(42.54%)、半峰宽较窄(FWHM=17.3nm、EM=696nm),与其他制备方法相比,这种方法不但大大的缩短了红光CdTe纳米晶的制备时间,而且提高了水溶性CdTe的荧光量子产率,从而为建立免疫分析新方法检测环境中的环境激素类污染物提供了新的荧光纳米颗粒探针。

Cd_(1-x)Zn_xTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征

用显微光致发光 (μ- PL)平面扫描的方法对 Cd Zn Te(CZT)晶片进行了研究 .分别在 19μm× 16 μm的缺陷区域进行微米尺度和 7.9mm× 6 .0 mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点 PL 测量 .对测得每一点的 PL 谱进行了拟合 ,得到测量点的禁带宽度等参数 ,其平面分布对应于 CZT中 Zn的组分分布 .统计的结果给出禁带宽度的不均匀性 .对样品进行溴抛光后重复类似的测量 ,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善 。

立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征

在NiS纳米粒子的辅助下,采用CVD方法,在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线,其最优生长方向为[111]。由PL谱可知,在437.2nm处有一个很强的发射峰,说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶质量。并提出了氧化还原反应作用下的VLS生长机制,较好的解释了ZnS纳米线的形成过程。

MLEC锑化镓单晶性能研究

首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺（ＭＬＥＣ）生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５～０．３２Ｔ（坩埚中心处），且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２～５ｍｍ，拉速０．３～１．５ｃｍ／ｈ。生长方向〈１００〉；对ＭＬＥＣ和ＬＥＣ样品进行质谱分析，研究磁场强度与晶体性能的关系，在非掺杂ＭＬＥＣ样品的ＰＬ谱中观察到明显的自由激子峰。这些结果表明，ＭＬＥＣ样品中电学参数的纵向分布比ＬＥＣ晶体更均匀；ＭＬＥＣ样品中（重掺碲）７７Ｋ电子迁移率高于ＬＥＣ晶体；

AlN 和 SiO_xN_y 薄膜与其 GaAs 衬底间界面应力的喇曼光谱研究

本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ衬底上用Ｓ－枪磁控反应溅射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀积的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面应力，并研究了这两种薄膜在Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温热处理对界面应力的影响．结果表明，与ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ衬底上制备的ＡｌＮ薄膜，其界面应力很小，而且经Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温快速热退火，仍具有较好的稳定性，从而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料．

Sr: BaTiO_3铁电相变温度的形成机理

Ｓｒ：ＢａＴｉＯ３铁电相变温度的形成机理周学农陈丽莎赵芳吴键李嘉（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＦｏｒｍｉｎｇＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＳｒ：ＢａＴｉＯ３ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎＺｈｏｕＸｕｅｎｏｎｇＣｈｅｎ...

未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理

对于未掺杂 Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,则采用在 Te气氛下进行热处理 .分别研究了不同的热处理条件 ,包括温度、时间、p In或 p Te等对晶片电学性能、红外透过率以及 Te夹杂 /沉淀相的影响 .结果表明 ,在 Cd/ Zn气氛下适当的掺 In热处理和在 Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率 ,分别达到 2 .3× 10 1 0 和 5 .7× 10 9Ω· cm。

掺铝氧化锌薄膜的结构与刻蚀性能

利用中频反应磁控溅射技术,以Zn/Al(质量比98∶2)合金靶为靶材,制备了综合性能优良的铝掺杂氧化锌(ZnO:Al,AZO)透明导电薄膜.探讨了沉积工艺对薄膜结构、电学及光学性能的影响,分析了AZO薄膜的刻蚀性能以及所制备的绒面结构特性.结果表明:基体温度对薄膜生长有较大的影响;采用适当的沉积温度,薄膜具有较好的晶化率,晶粒呈明显的柱状生长,晶界间结合紧密,薄膜的电阻率为4.600×10-4Ω.cm;镀膜时基体的移动速度影响薄膜的晶体生长方式,但对其沉积效率影响不大;具有择优生长特性、形成柱状晶组织的薄膜经稀盐酸腐蚀后,其表面呈规则的粗糙形貌,此结构有利于充分捕集太阳光,从而提高薄膜太阳电池的效率.