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超临界二氧化碳介质中晶圆清洗与选择性刻蚀研究进展
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作者 张泽欣 郑伟中 +5 位作者 徐益升 胡冬冬 卓欣宇 宗原 孙伟振 赵玲 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期110-119,共10页
随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重... 随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重、深沟槽刻蚀效果不明显;而等离子体干法刻蚀则存在刻蚀速率慢、光刻胶脱落和黏附、结构损伤、废气处理等一系列问题。超临界清洗和刻蚀技术是最具有前景的环境友好、无损伤技术,能够耦合刻蚀、清洗与干燥工艺为一体,且可以循环使用,安全环保,是晶圆制造过程中常规清洗和刻蚀的首选替代技术。综述了超临界二氧化碳中晶圆清洗与选择性刻蚀的研究进展,重点介绍了超临界二氧化碳共溶剂、微乳液体系在光刻胶剥离以及含硅基底选择性蚀刻中的应用,展望了超临界二氧化碳晶圆清洗和刻蚀存在的问题和发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆清洗 晶圆刻蚀 超临界二氧化碳 超临界流体 微乳液
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阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果
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作者 刘鸣瑜 高宝红 +3 位作者 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期461-470,共10页
为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面... 为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD⁃40和JFC⁃6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD⁃40与JFC⁃6进行复配得到的CMP清洗液对SiO_(2)颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 CMP后清洗
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用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究 被引量:16
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作者 曹宝成 于新好 +2 位作者 马瑾 马洪磊 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1226-1229,共4页
目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表... 目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表明 ,它们的去污效果基本相当 .但对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术优于标准 RCA清洗技术 . 展开更多
关键词 表面清洗 表面活性剂 螯合剂 清洗液 硅片
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HF/O_3在300mm硅片清洗中的应用 被引量:10
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作者 闫志瑞 李俊峰 +2 位作者 刘红艳 张静 李莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期108-111,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF/O3槽式清洗法和HF/O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。 展开更多
关键词 硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3
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超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗 被引量:12
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作者 王磊 惠瑜 +1 位作者 高超群 景玉鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第2期65-70,79,共7页
简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保... 简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。 展开更多
关键词 RCA清洗 硅片清洗 无损伤清洗 超临界二氧化碳 超临界流体 干燥
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干冰微粒喷射清洗技术 被引量:16
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作者 郭新贺 王磊 景玉鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第4期258-262,共5页
简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒... 简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。 展开更多
关键词 RCA清洗 硅片清洗 CO2 干冰微粒喷射 清洗设备
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ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望 被引量:8
7
作者 刘玉岭 古海云 +1 位作者 檀柏梅 桑建新 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期134-138,共5页
阐述了ULSI衬底硅单晶片清洗的重要性 ,详尽介绍了目前世界上采用的各种清洗方法 (湿法、干法、兆声、激光等 )的发展概况、应用价值及发展方向 ,并提出晶片清洗的发展趋势将向多元化、综合化和专用化方向发展。
关键词 ULSI 硅衬底 清洗方法 硅单晶 集成电路 半导体
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晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术 被引量:4
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作者 成立 李加元 +2 位作者 李岚 李华乐 王振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期721-725,共5页
在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等。分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可... 在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等。分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染。 展开更多
关键词 集成电路 晶圆级芯片 清洗洁净 环境保护 技术优势 应用前景
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LED用GaAs抛光片清洗技术研究 被引量:5
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作者 王云彪 赵权 +2 位作者 牛沈军 吕菲 杨洪星 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期446-448,458,共4页
伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形... 伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面。表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2nm厚表面氧化层。 展开更多
关键词 发光二极管 表面颗粒度 金属离子浓度 表面粗糙度
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通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究 被引量:7
10
作者 黄绍春 刘新 +1 位作者 叶嗣荣 刘小芹 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期468-471,共4页
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weib... 通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。 展开更多
关键词 RCA清洗法 湿法化学清洗 四甲基氢氧化铵(TMAH) 乙二胺四乙酸(EDTA)
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新型半导体清洗剂的清洗工艺 被引量:6
11
作者 曹宝成 于新好 马洪磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期777-781,共5页
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度... 报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定 ,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在 ,一般DGQ 1、DGQ 2的配比浓度在 90 %到 98%之间 ;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时 ,增溶能力最强 ,因而清洗液的温度定在 6 0℃ . 展开更多
关键词 半导体 清洗剂 清洗工艺 红外吸收谱 X射线光电子谱
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用MatLab仿真高阶RC模型的互连线特性 被引量:5
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作者 袁宝国 章文斌 +1 位作者 冯培昌 靳炜 《系统仿真学报》 CAS CSCD 2004年第6期1220-1221,1224,共3页
用MatLab软件,对超大规模集成电路互连线的高阶王氏RC梯形电路模型在时域和频域进行仿真。结果显示,①100阶模型与2000阶模型单位阶跃响应0.9的上升时间仅相差9.5‰,表明用100阶模型仿真已足够精确。②通过仿真,确定了一个来自实际的互... 用MatLab软件,对超大规模集成电路互连线的高阶王氏RC梯形电路模型在时域和频域进行仿真。结果显示,①100阶模型与2000阶模型单位阶跃响应0.9的上升时间仅相差9.5‰,表明用100阶模型仿真已足够精确。②通过仿真,确定了一个来自实际的互连线的通频带宽度。③测定了分布电阻和分布电容对互连线阶跃响应的上升时间及其通频带宽度的影响。④高阶仿真结果与1阶模型的理论结果相比,定性描述相同,定量描述差异较大,因此,用高阶模型对互连线的分布电路性质进行准确描述有一定的必要。 展开更多
关键词 计算机仿真 超大规模集成电路 互连线 分布电路 状态空间方程
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氢氟酸在新型清洗工艺中的作用 被引量:5
13
作者 曹宝成 于新好 +1 位作者 马洪磊 张庆坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期23-25,共3页
介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧... 介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收。 展开更多
关键词 硅片清洗 氢氟酸 润湿性 二氧化硅吸收
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外延生长用磷化铟单晶片清洗技术 被引量:3
14
作者 武永超 林健 +2 位作者 刘春香 王云彪 赵权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期620-624,共5页
根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜(AFM)、表面分析仪和X射线光电子能谱(XPS)对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶... 根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜(AFM)、表面分析仪和X射线光电子能谱(XPS)对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片(0.15~0.17 nm)。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。 展开更多
关键词 磷化铟单晶衬底 表面雾值 表面粗糙度 原子力显微镜(AFM) X射线光电子能谱(XPS)
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BDD电极电化学氧化清洗工艺氧化性研究 被引量:4
15
作者 高宝红 刘玉岭 +1 位作者 朱亚东 刘效岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期833-836,共4页
为了改进现有的RCA清洗法以及臭氧/过氧化氢湿式清洗技术,利用金刚石膜(BDD)电极的高级电化学氧化技术生成过氧化物氧化有机物,以实现简化清洗设备及节能环保。为研究金刚石膜电极的氧化能力,电解不同浓度的硫酸钾溶液,通过高锰酸钾滴... 为了改进现有的RCA清洗法以及臭氧/过氧化氢湿式清洗技术,利用金刚石膜(BDD)电极的高级电化学氧化技术生成过氧化物氧化有机物,以实现简化清洗设备及节能环保。为研究金刚石膜电极的氧化能力,电解不同浓度的硫酸钾溶液,通过高锰酸钾滴定法进行氧化性的测量,研究原料浓度对生成过氧硫酸盐浓度的影响;通过添加KOH调节pH值,研究pH值对电化学制备过氧化物的影响,用该电化学氧化方法与RCA清洗法进行清洗效果对比。实验结果显示,金刚石膜电化学氧化能力可以通过阳极电解液浓度以及pH值的调整得到控制,清洗效果在Si片表面粗糙度方面明显优于传统的RCA清洗法,而且更加节能环保。 展开更多
关键词 金刚石膜电极 电化学氧化 氧化性 掺硼金刚石膜
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A Diamond Electrochemical Cleaning Technique for Organic Contaminants on Silicon Wafer Surfaces 被引量:2
16
作者 张建新 刘玉岭 +4 位作者 檀柏梅 牛新环 边永超 高宝红 黄妍妍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期473-477,共5页
Peroxodiphosphate anion (a powerful oxidant) can be formed in a special water-based cleaning agent through an electrochemical reaction on boron-doped diamond electrodes. This electrochemical reaction was applied dur... Peroxodiphosphate anion (a powerful oxidant) can be formed in a special water-based cleaning agent through an electrochemical reaction on boron-doped diamond electrodes. This electrochemical reaction was applied during the oxidation,decomposition, and removal of organic contaminations on a silicon wafer surface, and it was used as the first step in the diamond electrochemical cleaning technique (DECT). The cleaning effects of DECT were compared with the RCA cleaning technique, including the silicon surface chemical composition that was observed with X-ray photoelectron spectroscopy and the morphology observed with atomic force microscopy. The measurement results show that the silicon surface cleaned by DECT has slightly less organic residue and lower micro-roughness,so the new technique is more effective than the RCA cleaning technique. 展开更多
关键词 organic contaminations silicon wafer surface cleaning boron-doped diamond electrodes powerful oxidant micro-roughness electrochemical cleaning
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等离子体清洗同步辐射光学元件 被引量:3
17
作者 尉伟 王秋平 +2 位作者 王勇 余小江 高兴宇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期704-706,共3页
同步辐射光束线的光学元件的碳污染问题。它导致光学系统的光通量下降,尤其是在碳吸收边情况更加严重。因此在光束线运行一定的时间后,必须对光学元件的碳污染进行清洗以便保证其正常使用。为此我们开发了一套射频等离子体原位光学元件... 同步辐射光束线的光学元件的碳污染问题。它导致光学系统的光通量下降,尤其是在碳吸收边情况更加严重。因此在光束线运行一定的时间后,必须对光学元件的碳污染进行清洗以便保证其正常使用。为此我们开发了一套射频等离子体原位光学元件清洗系统,以干燥的氧气和氩气为介质。在产生的等离子中存在大量的臭氧,与光学元件表面的碳反应,变成CO和CO2气体,从而达到清洗的目的。实验证明等离子体清洗不但可有效清除碳污染,而且有利于光束线真空系统的超高真空环境的恢复,为光束线的维护提供了方便。 展开更多
关键词 光学元件 碳污染 等离子体清洗
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一种基于概率解释的新型互连线时延Slew模型 被引量:3
18
作者 周磊 孙玲玲 +2 位作者 严晓浪 陈偕雄 蒋立飞 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2009年第2期7-11,共5页
基于概率解释的互连线时延模型具有效率高,实现简单,估计准确等特点,在亚100纳米工艺IC设计及验证中具有较好的应用前景。基于概率解释的互连线时延模型往往需要大量的查表计算,对效率及计算精度都存在一定的影响,而且有些模型不能进行S... 基于概率解释的互连线时延模型具有效率高,实现简单,估计准确等特点,在亚100纳米工艺IC设计及验证中具有较好的应用前景。基于概率解释的互连线时延模型往往需要大量的查表计算,对效率及计算精度都存在一定的影响,而且有些模型不能进行Slew的估计。本文提出了一种基于BS统计分布的互连线时延模型,完全避免了查表运算而且可直接用于Slew估计。90纳米工艺TCAD仿真实验结果表明,该模型在效率、精度、实现难易程度等方面具有一定的优势,对亚100纳米VLSI静态时序分析及相关EDA工具开发也有一定的参考价值。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 互连线 概率分布函数 仿真
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硅片纳米微粒清洗洁净新技术 被引量:2
19
作者 张慧 成立 +4 位作者 韩庆福 严雪萍 刘德林 徐志春 李俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期297-300,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高。传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法。简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高。传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法。简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等。 展开更多
关键词 硅片 纳米微粒 电子回旋加速共振 清洗洁净技术
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节水技术在半导体制造企业的应用 被引量:7
20
作者 厉晓华 何义亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期653-655,共3页
介绍了集成电路制造中的用水,讨论了节水在该行业中的重要性。详细分析了用水的特征和可能实现的节水手段和方法,特别阐述了如何对生产过程中使用的超纯水进行节流回收和再利用有价值的废水,为实现环保节能的集成电路制造企业提供了现... 介绍了集成电路制造中的用水,讨论了节水在该行业中的重要性。详细分析了用水的特征和可能实现的节水手段和方法,特别阐述了如何对生产过程中使用的超纯水进行节流回收和再利用有价值的废水,为实现环保节能的集成电路制造企业提供了现实可行的操作依据。 展开更多
关键词 集成电路制造 超纯水 回收率 酸洗机 化学机械抛光
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