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题名双向负阻晶体管张弛振荡器分频锁相特性的研究
被引量:1
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作者
余道衡
朱照宣
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机构
北京大学
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出处
《电子科学学刊》
CSCD
1989年第5期551-556,共6页
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文摘
本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是正确有效的。
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关键词
负阻晶体管
张弛振荡器
分频锁相
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Keywords
Relaxation oscillator
Bidirectional negative resistance transistor
Fractional pha- se-locking
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分类号
TN321.2
[电子电信—物理电子学]
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题名巧用双向晶闸管的交流调压电路改进
被引量:1
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作者
侯晓霞
高宁
郑军
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机构
北京机械工业学院
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出处
《实验技术与管理》
CAS
2004年第6期59-61,共3页
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文摘
本文给出了一个单相交流调压电路,并巧妙地用了一个小功率双向晶闸管做了改进,使触发控制电路简单、成本降低、工作可靠并易于设计。
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关键词
双向晶闸管
交流调压电路
单相交流
触发控制电路
小功率
可靠
成本降低
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分类号
TM13
[电气工程—电工理论与新技术]
TN321.2
[电子电信—物理电子学]
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题名双向负阻晶体管动态伏安特性的实验研究
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作者
周旋
高广和
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机构
中国科学院半导体研究所
华北电力学院研究生院
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出处
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第3期327-331,共5页
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文摘
本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态伏安特性对BNRT张弛振荡电路的一些性质进行了分析。实验结果与计算结果一致。本文还对改进器件结构的设计,以便使器件达到更高的振荡频率提供了理论依据。
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关键词
负阻晶体和
张弛振荡器
伏安特性
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Keywords
Semiconductor devices
Negative resistance device
Relaxation oscillator
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分类号
TN321.2
[电子电信—物理电子学]
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题名双向负阻晶体管的性能及其应用
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作者
周旋
李凤银
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出处
《电子世界》
1989年第10期7-9,共3页
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关键词
双向
负阻
晶体管
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分类号
TN321.2
[电子电信—物理电子学]
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题名双向负阻晶体管的脉冲应用
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作者
高广和
冯明昭
付连生
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出处
《山东电子》
1994年第3期28-29,共2页
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文摘
双向负阻晶体管的脉冲应用高广和,冯明昭,付连生关键词负阻晶体管,阶跃二极管,亚钠秒脉冲1引言双向负阻晶体管(BNRT)是我国发明的一种新功能器件,该器件是一种合并晶体管结构,如图1(a)所示,它在电路中的符号参照图1(b)。两输出电极El和E2具有完...
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关键词
双向负阻晶体管
晶体管
脉冲发生器
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分类号
TN321.2
[电子电信—物理电子学]
TN782
[电子电信—电路与系统]
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题名有待开发的传感器-Z元件
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作者
孙健
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机构
南京动力专科学校
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出处
《电子器件》
CAS
1999年第2期110-116,共7页
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文摘
Z-元件发明于80年代,而公开见报却在90年代,专利费高达10亿美元。Z-元件与传统的传感器相比,无需前置放大器和A/D转换器,便可直接输出大幅值数字信号,且是无接触式测量,具有体积小,功耗低,抗噪能力强等优点。目前国内尚无厂家生产,但是,在中国与Z-元件有很多共性的双向负阻晶体管BNRT(BidirectionalNegativeResistanceTransistor),有可能成为类似于Z-元件的传感器,也是有待研究与开发的半导体器件。
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关键词
Z-元件
双向负阻晶体管
传感器
负阻特性
开发
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Keywords
Z sensor, bidirectional negative resistance transistor sensor, self oscillation, force oscillation, negative resistance phenomenon
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分类号
TP212.02
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN321.202
[电子电信—物理电子学]
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题名微电子所获得100GHz的PHEMT晶体管
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出处
《现代材料动态》
2004年第6期23-23,共1页
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关键词
PHEMT晶体管
微电子所
化合物半导体
InP基纳米栅HEMT
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分类号
TN321.2
[电子电信—物理电子学]
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